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公开(公告)号：CN119776988A
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202411987994.0
申请日：2024-12-31
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明属于晶体制备技术领域，具体涉及一种α‑Al2Mo3O12纳米片及其制备方法和应用。本发明采用化学气相沉积法，在c面蓝宝石衬底上外延生长高定向的单晶纳米片，提高了晶体质量，降低了生产成本，同时可以大规模制备。本发明还提供了上述方案所述制备方法得到的纳米片。本发明提供的纳米片，是由多层原子组成的二维晶体，具有极低的热导率系数，化学特性、光学特性和电子特性优异。系统的变温拉曼光谱研究发现特征声子具有超短的寿命，表明本发明纳米片具有极低热导率系数。
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公开(公告)号：CN110230039B
公开(公告)日：2020-07-10
申请号：CN201910588389.9
申请日：2019-07-02
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明提供了一种单层硫化钼调控碘化铅生长的方法，属于无机物制备领域。包括以下步骤：将基底依次用丙酮、异丙醇和过氧化氢超声清洗后，用氮气枪吹干，得到预处理基底；在氮气保护下，将MoO3粉末和S块在所述预处理基底的一面进行化学气相沉积，得到单层MoS2；在真空条件下，在所述单层MoS2的表面进行PbI2的物理气相沉积。本发明使用真空条件下PVD热沉积PbI2，在CVD生长的单层MoS2上外延生长了PbI2，该过程中生长的MoS2三角形边长在20～60μm，MoS2面积大，并且PbI2在整个单层MoS2上覆盖，避免了层间污染，可以更容易和大规模地生产，制造的器件性能会更好。
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公开(公告)号：CN109721103A
公开(公告)日：2019-05-07
申请号：CN201910206530.4
申请日：2019-03-19
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明提供了一种沿 晶向生长的二氧化钼纳米棒及其制备方法，属于纳米材料技术领域，包括以下步骤：以m面蓝宝石为基底，硫块和三氧化钼粉末为反应原料，进行常压化学气相沉积，得到沿 晶向生长的二氧化钼纳米棒；所述硫块与三氧化钼粉的质量比为10～20：1。本发明以m面蓝宝石为基底，通过常压化学气相沉积的方法得到了 晶向生长的二氧化钼纳米棒。所得纳米棒为单斜晶系，结晶性好，定向性高，生长分布均匀。
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公开(公告)号：CN106370891B
公开(公告)日：2023-09-15
申请号：CN201610937534.6
申请日：2016-10-24
Applicant: 中南大学
IPC: G01Q60/16
Abstract: 本发明提供了扫描隧道显微镜扫描探针的制备方法及控制电路，方法包括步骤：对探针进行去氧化膜的处理：在直径为0.5mm的探针底部套上胶圈，胶圈底部距离探针底部2mm；将金属丝圈放入2～3mol/L的KOH溶液中，探针底部插入液面的深度1mm；探针为阳极，金属丝圈为阴极，两端加5～12V的电压；当阳极上的第一电压与控制电路的固定电阻上的第二电压相等时，控制电路切断电路，使得探针底部形成针尖；控制电路包括与单片机串联的继电器、固定电阻和使用电解液连接的阴阳极。本申请利用橡皮圈控制纵横比和加大重力，用控制电路自动切断电源并实时检测电压，使得一步腐蚀法可制得纵横比合适、扫描图样清晰的理想探针针尖。
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公开(公告)号：CN107963667B
公开(公告)日：2019-11-22
申请号：CN201711191657.0
申请日：2017-11-24
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明提供了一种无支撑MoS2纳米带的获取方法，包括以下步骤：旋涂PMMA溶液后进行烘烤，然后样品放在KOH腐蚀液中浸泡剥离PMMA层，将漂浮的、粘有MoO2为核、MoS2为壳的核壳结构的PMMA层捞取出来用去离子水清洗，将PMMA/MoO2@MoS2纳米棒/SiO2/Si基底在丙酮溶液中溶胶后得到无支撑MoS2。本发明不依赖于基底模板材质和结构，过程安全有效且不会破坏MoS2晶体结构，直接获取无支撑的MoS2纳米带。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110230039A
公开(公告)日：2019-09-13
申请号：CN201910588389.9
申请日：2019-07-02
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明提供了一种单层硫化钼调控碘化铅生长的方法，属于无机物制备领域。包括以下步骤：将基底依次用丙酮、异丙醇和过氧化氢超声清洗后，用氮气枪吹干，得到预处理基底；在氮气保护下，将MoO3粉末和S块在所述预处理基底的一面进行化学气相沉积，得到单层MoS2；在真空条件下，在所述单层MoS2的表面进行PbI2的物理气相沉积。本发明使用真空条件下PVD热沉积PbI2，在CVD生长的单层MoS2上外延生长了PbI2，该过程中生长的MoS2三角形边长在20～60μm，MoS2面积大，并且PbI2在整个单层MoS2上覆盖，避免了层间污染，可以更容易和大规模地生产，制造的器件性能会更好。
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公开(公告)号：CN109205677A
公开(公告)日：2019-01-15
申请号：CN201811454026.8
申请日：2018-11-30
Applicant: 中南大学
CPC classification number: C01G39/06 , B82Y30/00 , C01P2002/82 , C01P2004/03 , C01P2004/04 , C01P2004/17
Abstract: 本发明涉及纳米材料技术领域，尤其涉及一种一维硫化钼纳米带的制备方法，本发明分别对硫和氧化钼进行加热，在氮气流的载流作用下，硫蒸汽与氧化钼蒸汽接触，氧化钼蒸汽被硫蒸汽还原，在硫蒸汽含量少(即缺硫)的环境中形成气态的钼氧化物，这些气态的钼氧化物沉积形成MoOxS2-x，在硫蒸汽含量多(即富硫)的环境中，MoOxS2-x被进一步硫化形成硫化钼。实施例结果表明，本发明提供的方法能够制备得到硫化钼纳米带，而且本发明提供的方法耗时短，且在不使用催化剂的条件下即可完成。
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公开(公告)号：CN109205677B
公开(公告)日：2019-08-06
申请号：CN201811454026.8
申请日：2018-11-30
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明涉及纳米材料技术领域，尤其涉及一种一维硫化钼纳米带的制备方法，本发明分别对硫和氧化钼进行加热，在氮气流的载流作用下，硫蒸汽与氧化钼蒸汽接触，氧化钼蒸汽被硫蒸汽还原，在硫蒸汽含量少(即缺硫)的环境中形成气态的钼氧化物，这些气态的钼氧化物沉积形成MoOxS2‑x，在硫蒸汽含量多(即富硫)的环境中，MoOxS2‑x被进一步硫化形成硫化钼。实施例结果表明，本发明提供的方法能够制备得到硫化钼纳米带，而且本发明提供的方法耗时短，且在不使用催化剂的条件下即可完成。
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公开(公告)号：CN110060929A
公开(公告)日：2019-07-26
申请号：CN201910338900.X
申请日：2019-04-25
Applicant: 中南大学
IPC: H01L21/322 , H01L29/06 , H01L29/24 , H01L29/78
Abstract: 本发明提供了一种MoSe2面内同质p-n结的制备方法，属于半导体材料技术领域。本发明将MoSe2场效应晶体管的部分沟道保护起来，然后进行紫外臭氧处理，暴露的沟道在紫外臭氧的强氧化作用下，MoSe2表层会形成高功函数的MoOx，导致电子从功函数较低的MoSe2转移到MoOx，因此暴露的MoSe2呈现出空穴导电，而保护的区域仍然是电子导电，从而使同一沟道中电子与空穴同时导电，得到MoSe2面内同质p-n结。实验结果表明，本发明所提供的方法制备得到的产品的整流特性以及双狄拉克点是p-n结典型的特征，表明成功制备了p-n结，且本发明所得MoSe2面内同质p-n结对光照有明显响应。
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公开(公告)号：CN109868505A
公开(公告)日：2019-06-11
申请号：CN201910206529.1
申请日：2019-03-19
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明提供了一种沿 晶向生长的二氧化钼@二硫化钼核壳纳米棒及其制备方法，属于纳米材料技术领域，包括以下步骤：以蓝宝石的m面为基底，硫块和三氧化钼粉末为反应原料，进行常压化学气相沉积，得到沿 晶向生长的二氧化钼@二硫化钼核壳纳米棒；所述硫块与三氧化钼粉末的质量比为25～35：1。本发明以蓝宝石的m面为基底，通过常压化学气相沉积的方法得到了沿 晶向生长的二氧化钼@二硫化钼核壳纳米棒。所得纳米棒为单斜晶系，结晶性好，定向性高，生长分布均匀。
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