公开(公告)号：CN110230039B

公开(公告)日：2020-07-10

申请号：CN201910588389.9

申请日：2019-07-02

Applicant: 中南大学

Inventor： 黄寒 ,  肖君婷 ,  邵子依 ,  刘金鑫 ,  何丙辰

IPC: C23C16/30 ,  C23C16/44 ,  C23C16/02 ,  C23C14/24 ,  C23C14/06 ,  C30B23/02 ,  C30B29/12

Abstract: 本发明提供了一种单层硫化钼调控碘化铅生长的方法，属于无机物制备领域。包括以下步骤：将基底依次用丙酮、异丙醇和过氧化氢超声清洗后，用氮气枪吹干，得到预处理基底；在氮气保护下，将MoO3粉末和S块在所述预处理基底的一面进行化学气相沉积，得到单层MoS2；在真空条件下，在所述单层MoS2的表面进行PbI2的物理气相沉积。本发明使用真空条件下PVD热沉积PbI2，在CVD生长的单层MoS2上外延生长了PbI2，该过程中生长的MoS2三角形边长在20～60μm，MoS2面积大，并且PbI2在整个单层MoS2上覆盖，避免了层间污染，可以更容易和大规模地生产，制造的器件性能会更好。

公开(公告)号：CN110230039A

公开(公告)日：2019-09-13

申请号：CN201910588389.9

申请日：2019-07-02

Applicant: 中南大学

Inventor： 黄寒 ,  肖君婷 ,  邵子依 ,  刘金鑫 ,  何丙辰

IPC: C23C16/30 ,  C23C16/44 ,  C23C16/02 ,  C23C14/24 ,  C23C14/06 ,  C30B23/02 ,  C30B29/12

Abstract: 本发明提供了一种单层硫化钼调控碘化铅生长的方法，属于无机物制备领域。包括以下步骤：将基底依次用丙酮、异丙醇和过氧化氢超声清洗后，用氮气枪吹干，得到预处理基底；在氮气保护下，将MoO3粉末和S块在所述预处理基底的一面进行化学气相沉积，得到单层MoS2；在真空条件下，在所述单层MoS2的表面进行PbI2的物理气相沉积。本发明使用真空条件下PVD热沉积PbI2，在CVD生长的单层MoS2上外延生长了PbI2，该过程中生长的MoS2三角形边长在20～60μm，MoS2面积大，并且PbI2在整个单层MoS2上覆盖，避免了层间污染，可以更容易和大规模地生产，制造的器件性能会更好。