公开(公告)号：CN106601884A

公开(公告)日：2017-04-26

申请号：CN201610946967.8

申请日：2016-10-26

Applicant: 中南民族大学

Inventor： 龙浩 ,  顾锦华 ,  钟志有 ,  王皓宁 ,  杨春勇 ,  侯金 ,  李颂战 ,  杨艳芹

IPC: H01L33/06 ,  H01L33/12 ,  H01L33/14 ,  H01L33/28 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/06 ,  H01L33/0087 ,  H01L33/12 ,  H01L33/14 ,  H01L33/28

Abstract: 本发明公开了一种ZnO基纳米杆/量子阱复合紫外发光二极管及其制备方法，该发光二极管包括衬底，衬底上从下往上依次设有n型ZnO薄膜层、ZnO纳米杆阵列、ZnO/Zn1‑xMgxO量子阱有源层、p型NiO薄膜层和第一电极；第二电极与ZnO纳米杆阵列并列位于n型ZnO薄膜层上；ZnO/Zn1‑xMgxO量子阱有源层包覆ZnO纳米杆阵列，且0.1≤x≤0.3。该发光二极管电致发光峰值波长在374nm附近，发光峰半高宽约为17nm，该发光二极管结构能充分发挥ZnO材料直接宽带隙和高激子束缚能等优势，有效减弱极化效应、提高材料与界面质量、增大有源层有效面积、提升光取出效率、提高光谱单色性，并且可实现低温制备，成本低廉，易于实现产业化。

公开(公告)号：CN106601884B

公开(公告)日：2019-06-21

申请号：CN201610946967.8

申请日：2016-10-26

Applicant: 中南民族大学

Inventor： 龙浩 ,  顾锦华 ,  钟志有 ,  王皓宁 ,  杨春勇 ,  侯金 ,  李颂战 ,  杨艳芹

IPC: H01L33/06 ,  H01L33/12 ,  H01L33/14 ,  H01L33/28 ,  H01L33/00

Abstract: 本发明公开了一种ZnO基纳米杆/量子阱复合紫外发光二极管及其制备方法，该发光二极管包括衬底，衬底上从下往上依次设有n型ZnO薄膜层、ZnO纳米杆阵列、ZnO/Zn1‑xMgxO量子阱有源层、p型NiO薄膜层和第一电极；第二电极与ZnO纳米杆阵列并列位于n型ZnO薄膜层上；ZnO/Zn1‑xMgxO量子阱有源层包覆ZnO纳米杆阵列，且0.1≤x≤0.3。该发光二极管电致发光峰值波长在374nm附近，发光峰半高宽约为17nm，该发光二极管结构能充分发挥ZnO材料直接宽带隙和高激子束缚能等优势，有效减弱极化效应、提高材料与界面质量、增大有源层有效面积、提升光取出效率、提高光谱单色性，并且可实现低温制备，成本低廉，易于实现产业化。

公开(公告)号：CN206210826U

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：CN201621171331.2

申请日：2016-10-26

Applicant: 中南民族大学

Inventor： 龙浩 ,  顾锦华 ,  钟志有 ,  王皓宁 ,  杨春勇 ,  侯金 ,  李颂战 ,  杨艳芹

IPC: H01L33/06 ,  H01L33/12 ,  H01L33/14 ,  H01L33/28 ,  H01L33/00

Abstract: 本实用新型公开了一种ZnO基纳米杆/量子阱复合紫外发光二极管，该发光二极管包括衬底，衬底上从下往上依次设有n型ZnO薄膜层、ZnO纳米杆阵列、ZnO/Zn1‑xMgxO量子阱有源层、p型NiO薄膜层和第一电极；第二电极与ZnO纳米杆阵列并列位于n型ZnO薄膜层上；ZnO/Zn1‑xMgxO量子阱有源层包覆ZnO纳米杆阵列，且0.1≤x≤0.3。该发光二极管电致发光峰值波长在374nm附近，发光峰半高宽约为17nm，该发光二极管结构能充分发挥ZnO材料直接宽带隙和高激子束缚能等优势，有效减弱极化效应、提高材料与界面质量、增大有源层有效面积、提升光取出效率、提高光谱单色性，并且可实现低温制备，成本低廉，易于实现产业化。