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公开(公告)号：CN112038460B
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202011045669.4
申请日：2020-09-28
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司 , 北京京东方技术开发有限公司
IPC: H01L33/14 , H01L33/06 , H01L33/28 , H10K50/115 , H10K50/165 , H10K50/18 , H10K59/10
Abstract: 本发明提供一种发光器件、显示基板和显示装置，发光器件包括：发光层，发光层中具有电子传输材料和量子点；第一电子传输层和空穴传输层，所述第一电子传输层、所述发光层和所述空穴传输层依次层叠设置。在本发明的发光器件中，在发光层中具有电子传输材料和量子点，通过发光层中的电子传输材料能够阻挡空穴，避免空穴在发光层中富集，有利于载流子平衡，减少了由于多余空穴造成的量子点中激子的俄歇复合，提高发光效率。
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公开(公告)号：CN118156144A
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202410050569.2
申请日：2024-01-15
Applicant: 南京航空航天大学
IPC: H01L21/428 , H01L33/28
Abstract: 本发明公开了一种基于镓掺杂氧化锌微米线电致发光特性的调控方法，其特征是将所述镓掺杂氧化锌微米线通过铟粒固定于玻璃片上，通过对微米线进行高能X射线辐照，实现增强和调控微米线电致发光强度和发光波长。本发明为调控掺镓氧化锌微米线电致发光特性提供了有效的策略，操作简便，增强效果大，有效时间长。在调控微米线光电特性，构筑氧化锌基微纳米光电器件方面有着巨大的应用前景。
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公开(公告)号：CN109417110B
公开(公告)日：2023-08-18
申请号：CN201780004004.9
申请日：2017-11-02
Applicant: 苏州立琻半导体有限公司
Abstract: 在此公开一种半导体器件。该半导体器件包括衬底、被布置在衬底上的第一导电型半导体层、被布置在第一导电型半导体层上的有源层以及被布置在有源层上的第二导电型半导体层。第一导电型半导体层包括具有不同的铟(In)组成比的第一层、第二层和第三层。第一半导体层被布置为靠近有源层。第二半导体层被布置在第一半导体层下面。第三半导体层被布置在第二半导体层下面。In含量从有源层到第三半导体层减少，并且第三半导体层的In含量可以是有源层的In含量的5％或以上至10％或以下。
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公开(公告)号：CN116230826A
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202310228988.6
申请日：2023-03-10
Applicant: 南通大学
Abstract: 本发明公开一种基于半导体纳米片的光电传感器，光电传感器采用ZnO溶胶修饰的全无机CdSe/CdS核壳纳米片作为发光介质层。首先，利用胶体化学法制备CdSe/CdS核壳纳米片，然后利用无机ZnO溶胶对核壳纳米片表面改性，得到纳米片溶液；其次，在石英ITO电极基板上滴加纳米片溶液，通过设置不同旋涂转速制备相应厚度的纳米片介质层，然后进行高温退火处理；测量电导率，优化纳米片介质层厚度；然后重复上述步骤（2），来制备最优化纳米片发光介质层；最后利用电子束热蒸发镀膜机在最优纳米片介质层表面镀制银电极，构成完整的纳米片光电传感器。本发明以无机ZnO溶胶进行表面修饰，ZnO溶胶能够改善纳米片周围有机配体不导电特性，从而达到明显的光电传感特性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110444644B
公开(公告)日：2022-10-14
申请号：CN201910683206.1
申请日：2019-07-26
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种增强硅基铒掺杂ZnO薄膜电致发光的器件及制备方法，属于硅基光电子技术领域。所述器件，包括硅衬底，硅衬底正面依次设有发光层、透明电极层，硅衬底背面设有欧姆接触电极，所述硅衬底表面具有氧化硅层，所述发光层为锆、铒共掺杂的ZnO薄膜。本发明在带有～10nm SiOx层的n+型硅片表面沉积锆、铒共掺杂ZnO薄膜，进而制备的电致发光器件有且仅有Er3+离子在可见和红外区的特征发光峰，相比于不掺锆只单掺Er的电致发光器件，本发明提出的共掺锆、铒器件的电致发光强度要增强5倍以上，增强方式简单便捷易操作，而且制备器件所用的方法与现行硅基CMOS工艺兼容。
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公开(公告)号：CN114763473A
公开(公告)日：2022-07-19
申请号：CN202110059325.7
申请日：2021-01-15
Applicant: 纳晶科技股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种量子点、量子点组合物及含其的发光装置。该量子点的表面包括第一量子点配体和第二量子点配体，第一量子点配体和第二量子点配体均包括至少两个结合基团，第一量子点配体包括a个羧基结合基团，第二量子点配体包括b个巯基结合基团，a大于等于2且小于等于100，b大于等于2且小于等于100，结合基团用于与量子点的表面配位；第一量子点配体的结合基团包括羧基，第二量子点配体的结合基团包括巯基。第一量子点配体和第二量子点配体不同，各取所长，提升量子点稳定性和可设计性，扩展了量子点的具体适用范围。
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公开(公告)号：CN112467002B
公开(公告)日：2022-05-10
申请号：CN202011344363.9
申请日：2020-11-25
Applicant: 华南理工大学
Abstract: 一种氧化物发光场效应晶体管，设置有基板、栅极、绝缘层、有源层、源极和漏极，以掺有稀土元素的氧化物半导体材料作为有源层。所述稀土元素为Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm或者Yb中的至少一种。本发明的氧化物发光场效应晶体管，在具有加栅压和漏压时能够实现紫外、可见和红外区域的电致发光。而且本发明的氧化物发光场效应晶体管因为稀土元素的掺杂，从而具有迁移率较高，工艺温度低，良好的电学性能及良好的光学透过性等优势。
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公开(公告)号：CN113707778A
公开(公告)日：2021-11-26
申请号：CN202010434627.3
申请日：2020-05-21
Applicant: TCL科技集团股份有限公司
Abstract: 本发明属于显示器件技术领域，尤其涉及一种复合材料的制备方法，包括步骤：在含卤素气体的氛围下，对石墨炔进行热卤化处理，得到卤化石墨炔；获取金属化合物溶液和卤化石墨炔的有机溶液，将所述卤化石墨炔的有机溶液与所述金属化合物溶液混合处理，得到卤化石墨炔掺杂金属化合物的复合材料。本发明提供的复合材料的制备方法，操作简单，适用于工业化大规模生产和应用功能，卤化石墨炔掺杂金属化合物的复合材料，提高了电子传输层的电子传输能力，促进电子‑空穴在发光层中有效地复合，降低激子累积对器件性能的影响，从而提高发光器件的光电性能。
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公开(公告)号：CN111384214B
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN201811632413.6
申请日：2018-12-28
Applicant: TCL科技集团股份有限公司
Inventor： 叶炜浩
Abstract: 本发明属于发光材料制备技术领域，具体涉及一种量子阱结构的制备方法和量子阱结构。本发明所提供的制备方法，包括：注入掺杂金属、势垒层阳离子前驱体和势垒层阴离子前驱体，在衬底的表面进行沉积，制备势垒层；先后注入量子点阴离子前驱体和量子点阳离子前驱体，在势垒层的表面进行沉积，制备半导体量子点；其中，掺杂金属原子缺电子，且掺杂金属的半径与势垒层阳离子的半径之差的绝对值为0.1～0.3埃。通过引入掺杂金属在势垒层表面形成均匀分布的成核点，改善了量子点在势垒层表面生长的均匀性，提高了量子阱的量子效率。
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