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公开(公告)号：CN104195516B
公开(公告)日：2017-10-03
申请号：CN201410424861.2
申请日：2014-08-26
Applicant: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
Abstract: 本发明提供了一种金属掺杂非晶碳压阻传感元件。该压阻传感元件由衬底、金属掺杂非晶碳薄膜、金属电极组成，金属掺杂非晶碳薄膜位于衬底表面，金属电极位于金属掺杂非晶碳薄膜表面。与现有的压阻传感元件相比，该压阻传感元件具有较低的TCR值，并且通过调节工艺参数不仅能够调控元件的GF值，而且能够调控元件的TCR值，从而得到同时具有高GF值、低TCR值的压阻传感元件，实现压阻传感元件的高灵敏度、宽温度范围适应性。
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公开(公告)号：CN104195516A
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：CN201410424861.2
申请日：2014-08-26
Applicant: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
Abstract: 本发明提供了一种金属掺杂非晶碳压阻传感元件。该压阻传感元件由衬底、金属掺杂非晶碳薄膜、金属电极组成，金属掺杂非晶碳薄膜位于衬底表面，金属电极位于金属掺杂非晶碳薄膜表面。与现有的压阻传感元件相比，该压阻传感元件具有较低的TCR值，并且通过调节工艺参数不仅能够调控元件的GF值，而且能够调控元件的TCR值，从而得到同时具有高GF值、低TCR值的压阻传感元件，实现压阻传感元件的高灵敏度、宽温度范围适应性。
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公开(公告)号：CN104701391B
公开(公告)日：2017-03-15
申请号：CN201510114334.6
申请日：2015-03-16
Applicant: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
IPC: H01L31/0224 , H01L31/04 , H01L31/07 , H01L31/02 , H01L31/08
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 本发明提供了一种光电信息转换元件，包括顶电极、介质层与底电极，其中介质层与底电极、顶电极中的至少一个电极构成肖特基结。该元件对光具有宽谱效应，当光照射时，结区光生空穴对肖特基结特性进行调控，从而持续改变元件电阻，并且通过控制照射光的强度和/或波长，能够对元件电阻进行多态调控；另外，通过施加一定的电压又能够将电子注入肖特基结界面处，从而使元件电阻恢复到初始状态。因此，该元件具有宽谱响应、可持续性的光电导，可应用于多功能光探测器、智能感光器、光信号运算器、光信息解码(或编码)器以及非易失性存储器等诸多领域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106992192B
公开(公告)日：2020-12-29
申请号：CN201610039778.2
申请日：2016-01-20
Applicant: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
IPC: H01L27/14 , H01L31/108
Abstract: 本发明提供了一种光电处理器，包括顶电极、介质层与底电极，其中介质层与底电极、顶电极中的至少一个电极构成肖特基结，具有光致电阻转变效应与电致电阻转变效应。该光电处理器能够同时处理光信号与电信号，工作状态时，将光信号、电信号作为两个独立的输入信号施加在该光电处理器，其电阻为输出信号。调节输入信号，该光电处理器可实现逻辑“或门”，逻辑“与门”处理功能，可应用于逻辑存储、逻辑处理、可重构逻辑处理、非易失性存储、光电混合逻辑处理等诸多领域。
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公开(公告)号：CN103730573B
公开(公告)日：2017-11-10
申请号：CN201410018532.8
申请日：2014-01-15
Applicant: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明提供了一种新型的功能结构单元，在电致电阻结构单元的基础上结合发光性能，使该结构单元在电致电阻变化的同时，发光状态也发生相应变化，从而实现了集阻变与光变于一体的新型多功能结构单元。该结构单元可以利用电阻的变化进行信息的存储，利用发光状态的变化进行信息显示，从而能够应用在信息存储领域，实现电写入、光读出的智能存储，为存储领域提供了一种全新的思路；同时，该结构单元还可以利用电阻的变化进行信息的存储，利用发光状态的变化进行信息传输，从而能够应用于光电通讯、光电互联系统中。
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公开(公告)号：CN106992192A
公开(公告)日：2017-07-28
申请号：CN201610039778.2
申请日：2016-01-20
Applicant: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
IPC: H01L27/14 , H01L31/108
CPC classification number: H01L27/14 , H01L31/108
Abstract: 本发明提供了一种光电处理器，包括顶电极、介质层与底电极，其中介质层与底电极、顶电极中的至少一个电极构成肖特基结，具有光致电阻转变效应与电致电阻转变效应。该光电处理器能够同时处理光信号与电信号，工作状态时，将光信号、电信号作为两个独立的输入信号施加在该光电处理器，其电阻为输出信号。调节输入信号，该光电处理器可实现逻辑“或门”，逻辑“与门”处理功能，可应用于逻辑存储、逻辑处理、可重构逻辑处理、非易失性存储、光电混合逻辑处理等诸多领域。
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公开(公告)号：CN104701391A
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：CN201510114334.6
申请日：2015-03-16
Applicant: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
IPC: H01L31/0224 , H01L31/04 , H01L31/07 , H01L31/02 , H01L31/08
CPC classification number: Y02E10/50 , H01L31/0224 , H01L31/02 , H01L31/022408 , H01L31/04 , H01L31/07 , H01L31/08
Abstract: 本发明提供了一种光电信息转换元件，包括顶电极、介质层与底电极，其中介质层与底电极、顶电极中的至少一个电极构成肖特基结。该元件对光具有宽谱效应，当光照射时，结区光生空穴对肖特基结特性进行调控，从而持续改变元件电阻，并且通过控制照射光的强度和/或波长，能够对元件电阻进行多态调控；另外，通过施加一定的电压又能够将电子注入肖特基结界面处，从而使元件电阻恢复到初始状态。因此，该元件具有宽谱响应、可持续性的光电导，可应用于多功能光探测器、智能感光器、光信号运算器、光信息解码(或编码)器以及非易失性存储器等诸多领域。
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公开(公告)号：CN103730573A
公开(公告)日：2014-04-16
申请号：CN201410018532.8
申请日：2014-01-15
Applicant: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明提供了一种新型的功能结构单元，在电致电阻结构单元的基础上结合发光性能，使该结构单元在电致电阻变化的同时，发光状态也发生相应变化，从而实现了集阻变与光变于一体的新型多功能结构单元。该结构单元可以利用电阻的变化进行信息的存储，利用发光状态的变化进行信息显示，从而能够应用在信息存储领域，实现电写入、光读出的智能存储，为存储领域提供了一种全新的思路；同时，该结构单元还可以利用电阻的变化进行信息的存储，利用发光状态的变化进行信息传输，从而能够应用于光电通讯、光电互联系统中。
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