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公开(公告)号：CN114634363B
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN202210226229.1
申请日：2022-03-08
Applicant: 中国科学院过程工程研究所
IPC: C04B35/597 , C04B35/626
Abstract: 本发明公开了一种制备纯相Si2N2O粉体的系统及方法，利用硅源气、氮源气和氧源气混合反应一步制备含氧硅胺前驱体和卤化铵的混合物，后续在流化床中进行副产物脱除和热分解得到纯相Si2N2O粉体。本发明不仅解决了传统工艺难以获得高分散、高球形度及纯相Si2N2O粉体的难题，同时能够实现连续批量化制备，工艺流程简单，生产效率高。
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公开(公告)号：CN114634363A
公开(公告)日：2022-06-17
申请号：CN202210226229.1
申请日：2022-03-08
Applicant: 中国科学院过程工程研究所
IPC: C04B35/597 , C04B35/626
Abstract: 本发明公开了一种制备纯相Si2N2O粉体的系统及方法，利用硅源气、氮源气和氧源气混合反应一步制备含氧硅胺前驱体和卤化铵的混合物，后续在流化床中进行副产物脱除和热分解得到纯相Si2N2O粉体。本发明不仅解决了传统工艺难以获得高分散、高球形度及纯相Si2N2O粉体的难题，同时能够实现连续批量化制备，工艺流程简单，生产效率高。
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公开(公告)号：CN114634364B
公开(公告)日：2023-08-11
申请号：CN202210226231.9
申请日：2022-03-08
Applicant: 中国科学院过程工程研究所
IPC: C04B35/597 , C04B35/626 , C01C1/16
Abstract: 本发明涉及无机材料合成领域，具体是一种纯相Si2N2O粉体的合成方法，所述合成方法包括将硅源、氮源混合发生反应获得硅胺前驱体，随后氧源对硅胺前驱体增氧获得含氧前驱体，含氧前驱体经过热分解晶化获得纯相Si2N2O粉体。本发明提供的合成方法不仅解决了传统工艺难以合成纯相Si2N2O粉体的难题，而且工艺流程简单、合成效率高。
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公开(公告)号：CN114684797B
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN202210226836.8
申请日：2022-03-08
Applicant: 中国科学院过程工程研究所
IPC: C01B21/082 , B01J8/26
Abstract: 本发明公开了一种制备纯相多壳层Si2N2O空心球形粉体的系统和方法。该方法通过硅源气与氮源气混合发生反应生成硅胺前驱体粉体，随后经过多次交替吸附硅源气和氮源气与控制增氧的方法获得双壳层球形含氧前驱体粉体，后续进行副产物脱除和热分解得到双壳层纯相Si2N2O空心球形粉体。本发明不仅解决了传统工艺难以获得高分散、高球形度的多壳层纯相Si2N2O球形粉体的难题，同时能够实现连续批量化制备，工艺流程简单，生产效率高。
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公开(公告)号：CN114634168A
公开(公告)日：2022-06-17
申请号：CN202210226837.2
申请日：2022-03-08
Applicant: 中国科学院过程工程研究所
IPC: C01B21/082
Abstract: 本发明公开了一种制备纯相多壳层Si2N2O空心球形粉体的系统和方法。该方法首先通过硅源气与氮源气混合反应获得硅胺前驱体，随后交替利用氧源气和硅源气与氮源气的组合气，获得多壳层球形含氧前驱体，最后经高温热分解获得纯相多壳层Si2N2O空心球形粉体。本发明不仅解决了传统工艺难以获得高分散、高球形度多壳层纯相Si2N2O空心球形粉体的难题，同时能够实现连续批量化制备，工艺流程简单，生产效率高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114634167B
公开(公告)日：2023-12-19
申请号：CN202210226826.4
申请日：2022-03-08
Applicant: 中国科学院过程工程研究所
IPC: C01B21/082 , C04B35/597 , C04B35/626
Abstract: 本发明公开了一种制备纯相Si2N2O空心球形粉体的系统及方法，该方法利用硅源气和氮源气混合反应得到硅胺前驱体和卤化铵混合物，利用氧源气对硅胺前驱体粉体增氧，获得含氧前驱体球形粉体，在流化床中进行副产物脱除和前驱体热分解得到纯相Si2N2O空心球形粉体。本发明不仅解决了传统工艺难以获得高分散、高球形度纯相Si2N2O空心球形粉体的难题，同时能够实现连续批量化制备，工艺流程简单，生产效率高。
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公开(公告)号：CN114634168B
公开(公告)日：2023-11-28
申请号：CN202210226837.2
申请日：2022-03-08
Applicant: 中国科学院过程工程研究所
IPC: C01B21/082
Abstract: 本发明公开了一种制备纯相多壳层Si2N2O空心球形粉体的系统和方法。该方法首先通过硅源气与氮源气混合反应获得硅胺前驱体，随后交替利用氧源气和硅源气与氮源气的组合气，获得多壳层球形含氧前驱体，最后经高温热分解获得纯相多壳层Si2N2O空心球形粉体。本发明不仅解决了传统工艺难以获得高分散、高球形度多壳层纯相Si2N2O空心球形粉体的难题，同时能够实现连续批量化制备，工艺流程简单，生产效率高。
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公开(公告)号：CN114684797A
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN202210226836.8
申请日：2022-03-08
Applicant: 中国科学院过程工程研究所
IPC: C01B21/082 , B01J8/26
Abstract: 本发明公开了一种制备纯相多壳层Si2N2O空心球形粉体的系统和方法。该方法通过硅源气与氮源气混合发生反应生成硅胺前驱体粉体，随后经过多次交替吸附硅源气和氮源气与控制增氧的方法获得双壳层球形含氧前驱体粉体，后续进行副产物脱除和热分解得到双壳层纯相Si2N2O空心球形粉体。本发明不仅解决了传统工艺难以获得高分散、高球形度的多壳层纯相Si2N2O球形粉体的难题，同时能够实现连续批量化制备，工艺流程简单，生产效率高。
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公开(公告)号：CN114634364A
公开(公告)日：2022-06-17
申请号：CN202210226231.9
申请日：2022-03-08
Applicant: 中国科学院过程工程研究所
IPC: C04B35/597 , C04B35/626 , C01C1/16
Abstract: 本发明涉及无机材料合成领域，具体是一种纯相Si2N2O粉体的合成方法，所述合成方法包括将硅源、氮源混合发生反应获得硅胺前驱体，随后氧源对硅胺前驱体增氧获得含氧前驱体，含氧前驱体经过热分解晶化获得纯相Si2N2O粉体。本发明提供的合成方法不仅解决了传统工艺难以合成纯相Si2N2O粉体的难题，而且工艺流程简单、合成效率高。
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公开(公告)号：CN114634167A
公开(公告)日：2022-06-17
申请号：CN202210226826.4
申请日：2022-03-08
Applicant: 中国科学院过程工程研究所
IPC: C01B21/082 , C04B35/597 , C04B35/626
Abstract: 本发明公开了一种制备纯相Si2N2O空心球形粉体的系统及方法，该方法利用硅源气和氮源气混合反应得到硅胺前驱体和卤化铵混合物，利用氧源气对硅胺前驱体粉体增氧，获得含氧前驱体球形粉体，在流化床中进行副产物脱除和前驱体热分解得到纯相Si2N2O空心球形粉体。本发明不仅解决了传统工艺难以获得高分散、高球形度纯相Si2N2O空心球形粉体的难题，同时能够实现连续批量化制备，工艺流程简单，生产效率高。
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