干蚀刻方法、干蚀刻剂及其保存容器

    公开(公告)号:CN113330539A

    公开(公告)日:2021-08-31

    申请号:CN201980090097.0

    申请日:2019-12-20

    Abstract: 本公开的实施方式的干蚀刻方法的特征在于,其具有:对干蚀刻剂进行等离子化的工序;和、使用进行了等离子化的等离子气体对硅氧化物或硅氮化物进行蚀刻的工序,前述干蚀刻剂以碳数2或3的含氟直链腈化合物相对于CF3I的浓度为1体积ppm以上且1体积%以下包含CF3I和所述碳数2或3的含氟直链腈化合物。

Patent Agency Ranking