-
公开(公告)号：CN107924837B
公开(公告)日：2022-02-01
申请号：CN201680044981.7
申请日：2016-07-01
Applicant: 中央硝子株式会社
IPC: H01L21/3065 , H05H1/46
Abstract: 本发明的干式蚀刻方法的特征在于：其是对形成在基板上的硅氧化物层与硅氮化物层的积层膜，隔着形成在所述积层膜上的掩模，进行使干式蚀刻剂等离子体化并施加500V以上的偏压电压的蚀刻，从而对该层形成垂直方向的贯通孔的方法，并且所述干式蚀刻剂至少包含C3H2F4、CxFy所表示的不饱和全氟碳及氧化性气体，且所述干式蚀刻剂中所含的所述不饱和全氟碳的体积为所述干式蚀刻剂中所含的所述C3H2F4的体积的0.1～10倍的范围。通过该干式蚀刻方法，可以将SiOx的蚀刻速度相对于SiN的蚀刻速度的比(SiN/SiOx比)任意地控制在0.90～1.5之间，并且也可以对掩模实现高蚀刻选择性。
-
公开(公告)号：CN111052468A
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：CN201880058447.0
申请日：2018-09-14
Abstract: 本发明提供一种能够简便地得到粘结性优异的电池用正极、及输出特性与循环特性优异的电池的电池用炭黑。本发明所使用的电池用炭黑的特征在于，按照JIS K6217-2C法测定的BET比表面积为100m2/g以上，且使用XPS测定的表面氟浓度X(单位：原子％)及表面氧浓度Y(单位：原子％)满足下述的条件(A)及(B)：(A)0.3≤X≤4.0、(B)0.1≤Y≤3.0。
-
公开(公告)号：CN111052468B
公开(公告)日：2022-09-16
申请号：CN201880058447.0
申请日：2018-09-14
Abstract: 本发明提供一种能够简便地得到粘结性优异的电池用正极、及输出特性与循环特性优异的电池的电池用炭黑。本发明所使用的电池用炭黑的特征在于，按照JIS K6217‑2C法测定的BET比表面积为100m2/g以上，且使用XPS测定的表面氟浓度X(单位：原子％)及表面氧浓度Y(单位：原子％)满足下述的条件(A)及(B)：(A)0.3≤X≤4.0、(B)0.1≤Y≤3.0。
-
公开(公告)号：CN114512399A
公开(公告)日：2022-05-17
申请号：CN202210020327.X
申请日：2016-07-01
Applicant: 中央硝子株式会社
IPC: H01L21/311
Abstract: 本发明的干式蚀刻方法的特征在于：其是对形成在基板上的硅氧化物层与硅氮化物层的积层膜，隔着形成在所述积层膜上的掩模，进行使干式蚀刻剂等离子体化并施加500V以上的偏压电压的蚀刻，从而对该层形成垂直方向的贯通孔的方法，并且所述干式蚀刻剂至少包含C3H2F4、CxFy所表示的不饱和全氟碳及氧化性气体，且所述干式蚀刻剂中所含的所述不饱和全氟碳的体积为所述干式蚀刻剂中所含的所述C3H2F4的体积的0.1～10倍的范围。通过该干式蚀刻方法，可以将SiOx的蚀刻速度相对于SiN的蚀刻速度的比(SiN/SiOx比)任意地控制在0.90～1.5之间，并且也可以对掩模实现高蚀刻选择性。
-
公开(公告)号：CN107924837A
公开(公告)日：2018-04-17
申请号：CN201680044981.7
申请日：2016-07-01
Applicant: 中央硝子株式会社
IPC: H01L21/3065 , H05H1/46
CPC classification number: H01L21/3065 , H01J2237/3341 , H01L21/30604 , H01L21/31 , H05H1/46
Abstract: 本发明的干式蚀刻方法的特征在于：其是对形成在基板上的硅氧化物层与硅氮化物层的积层膜，隔着形成在所述积层膜上的掩模，进行使干式蚀刻剂等离子体化并施加500V以上的偏压电压的蚀刻，从而对该层形成垂直方向的贯通孔的方法，并且所述干式蚀刻剂至少包含C3H2F4、CxFy所表示的不饱和全氟碳及氧化性气体，且所述干式蚀刻剂中所含的所述不饱和全氟碳的体积为所述干式蚀刻剂中所含的所述C3H2F4的体积的0.1～10倍的范围。通过该干式蚀刻方法，可以将SiOx的蚀刻速度相对于SiN的蚀刻速度的比(SiN/SiOx比)任意地控制在0.90～1.5之间，并且也可以对掩模实现高蚀刻选择性。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119318001A
公开(公告)日：2025-01-14
申请号：CN202380044616.6
申请日：2023-06-09
Applicant: 中央硝子株式会社
IPC: H01L21/302
Abstract: 本发明的目的在于提供如下技术：在具有至少包含Si及O的膜及至少包含Si及N的膜的基板中，能够抑制至少包含Si及O的膜的蚀刻，同时至少对包含Si及N的膜进行蚀刻。本发明是如下蚀刻方法：对于具有至少包含Si及O的膜及至少包含Si及N的膜的基板，使其与(I)HF气体、和(II)选自由磺酰基化合物、羰基化合物、磺酰基异氰酸酯化合物、及异氰酸酯化合物组成的组中的至少一种化合物接触，从而对上述包含Si及N的膜进行蚀刻。
-
公开(公告)号：CN115461843A
公开(公告)日：2022-12-09
申请号：CN202180031263.7
申请日：2021-04-27
Applicant: 中央硝子株式会社
IPC: H01L21/302 , C07C211/04 , C07C211/08
Abstract: 提供一种以固定组成稳定供给包含单甲胺或二甲胺作为微量杂质的三甲胺的方法。本发明为一种组合物的供给方法，其特征在于，将封入有组合物的保存容器在10℃以上的固定温度下进行保温，然后将上述组合物的气体供给至规定装置，上述组合物的气相中包含：三甲胺；二甲基乙基胺；以及、二甲胺和单甲胺中的至少1种。
-
公开(公告)号：CN104995720A
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：CN201480008977.6
申请日：2014-01-24
Applicant: 中央硝子株式会社
IPC: H01L21/205 , C23C16/44
CPC classification number: C11D7/04 , B08B7/0071 , C11D7/02 , C11D11/0041 , C23C16/325 , C23C16/4405 , H01J37/32862
Abstract: 本发明的特征在于，在用于将堆积于基材的含有碳化硅的堆积物去除的清洁中，使用包含七氟化碘的清洁气体，所述基材包含至少一部分具有石墨结构的碳。通过使用上述清洁气体，可以不用蚀刻石墨地将碳化硅去除。
-
公开(公告)号：CN110036460B
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN201780073050.4
申请日：2017-10-23
Applicant: 中央硝子株式会社
IPC: H01L21/3065
Abstract: 本发明公开一种干式蚀刻剂组合物、及使用其的发明，该干式蚀刻剂组合物含有1,3,3,3‑四氟丙烯、与CHxClyFz(x、y、z为1以上的整数，且x+y+z＝4)所表示的氢氯氟烃，且相对于1,3,3,3‑四氟丙烯的上述氢氯氟烃的浓度为3体积ppm以上且不足10000体积ppm。本发明的目的在于：于半导体制造工艺中，在无损HFO‑1234ze的良好的蚀刻特性的情况下提高HFO‑1234ze的保存稳定性，抑制酸性物质的产生，而防止保存容器或配管、蚀刻腔室的腐蚀。
-
公开(公告)号：CN113614891A
公开(公告)日：2021-11-05
申请号：CN202080022923.0
申请日：2020-03-02
Applicant: 中央硝子株式会社
IPC: H01L21/3065
Abstract: 本发明的干蚀刻方法的特征在于：针对具有硅化合物膜的基板，介由形成在前述硅化合物膜上的具有规定开口图案的掩膜，将干蚀刻剂等离子化后对所述硅化合物膜进行蚀刻，前述干蚀刻剂包含以下的所有第1气体至第4气体。第1气体：选自由碘氟碳化合物和溴氟碳化合物组成的组中的1种以上的化合物；第2气体：由CnFm表示的不饱和氟碳；第3气体：由CxHyFz表示的含氢不饱和氟碳；第4气体：氧化性气体。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
18
records
(took 0.022 seconds)
