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公开(公告)号：CN115148784A
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN202210159970.0
申请日：2022-02-22
Applicant: 丰田自动车株式会社
Inventor： 旦野克典
IPC: H01L29/06 , H01L29/861
Abstract: 本公开涉及半导体装置。在半导体装置中，多个p型半导体层以与n型氧化镓半导体层相接的方式层叠于n型氧化镓半导体层的一个面侧，第一电极体层以与多个p型半导体层相接，且在多个p型半导体层彼此分离的部分处与n型氧化镓半导体层相接的方式层叠于n型氧化镓半导体层的一个面侧，第二电极体层以与n型氧化镓半导体层相接的方式层叠于n型氧化镓半导体层的另一个面侧，其中，p型半导体层各自与相对于p型半导体层各自而言最接近的p型半导体层之间的最短距离是0.4μm～1.0μm。
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公开(公告)号：CN107916449A
公开(公告)日：2018-04-17
申请号：CN201710902100.7
申请日：2017-09-29
Applicant: 丰田自动车株式会社
Inventor： 旦野克典
Abstract: 本发明涉及SiC单晶的制造方法。目的在于提供位错和缺陷少并且口径扩大率大的SiC单晶制造方法，其为使保持于晶种保持轴的SiC晶种与具有从内部向表面温度降低的温度梯度的Si-C溶液接触、采用溶液法的制造方法，其中，晶种具有与Si-C溶液的表面平行配置的底面、保持于晶种保持轴的顶面、顶面与底面之间的侧面，底面为(0001)面或(000-1)面，底面为在圆形的至少一部分具有除去部、且在外周具有圆弧的形状，除去部为1个或多个，为沿着连结圆形的圆弧上的2点的弦而除去的、具有劣弧或半圆周的弓形，圆形中心与1个除去部的圆弧上的2点所成的圆心角为40°以上，圆心角的合计为180°以下，该方法包括在晶种与Si-C溶液之间形成弯液面而使SiC单晶从晶种的底面生长。
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公开(公告)号：CN105531407A
公开(公告)日：2016-04-27
申请号：CN201480049773.7
申请日：2014-09-01
Applicant: 丰田自动车株式会社
Inventor： 旦野克典
Abstract: 本发明提供了贯穿螺旋位错、贯穿刃型位错、微管缺陷、基底面位错和层叠缺陷的密度降低的SiC单晶以及这样的SiC单晶的制造方法。SiC单晶的制造方法，其为使SiC晶种基板与具有从内部向表面温度降低的温度梯度的Si-C溶液接触以使SiC单晶生长的SiC单晶的制造方法，其包括：以(1-100)面作为生长面使SiC单晶生长的第1工序，使{0001}面从生长的SiC单晶露出的第2工序，和使用{0001}面露出了的SiC单晶作为晶种，以{0001}面作为生长面使SiC单晶生长的第3工序。
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公开(公告)号：CN114446564A
公开(公告)日：2022-05-06
申请号：CN202111246214.3
申请日：2021-10-26
Applicant: 丰田自动车株式会社
Abstract: 本发明涉及稀土磁体及其制造方法。本公开为具有主相和晶界相的稀土磁体及其制造方法。本公开的稀土磁体的整体组成由式(R1(1‑x‑y)LaxCey)u(Fe(1‑z)Coz)(100‑u‑w‑v)BwM1v表示(其中R1为规定的稀土元素，M1为规定的元素，并且0.05≤x≤0.25，0≤y/(x+y)≤0.50，13.5≤u≤20.0，0≤z≤0.100，5.0≤w≤10.0且0≤v≤2.00)。主相具有R2Fe14B型晶体结构，主相的平均粒径和体积率为1.0～20.0μm和80.0～90.0％。主相和晶界相满足(晶界相中的La的存在比例)/(主相中的La的存在比例)＞1.30。
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公开(公告)号：CN107916449B
公开(公告)日：2020-06-19
申请号：CN201710902100.7
申请日：2017-09-29
Applicant: 丰田自动车株式会社
Inventor： 旦野克典
Abstract: 本发明涉及SiC单晶的制造方法。目的在于提供位错和缺陷少并且口径扩大率大的SiC单晶制造方法，其为使保持于晶种保持轴的SiC晶种与具有从内部向表面温度降低的温度梯度的Si‑C溶液接触、采用溶液法的制造方法，其中，晶种具有与Si‑C溶液的表面平行配置的底面、保持于晶种保持轴的顶面、顶面与底面之间的侧面，底面为(0001)面或(000‑1)面，底面为在圆形的至少一部分具有除去部、且在外周具有圆弧的形状，除去部为1个或多个，为沿着连结圆形的圆弧上的2点的弦而除去的、具有劣弧或半圆周的弓形，圆形中心与1个除去部的圆弧上的2点所成的圆心角为40°以上，圆心角的合计为180°以下，该方法包括在晶种与Si‑C溶液之间形成弯液面而使SiC单晶从晶种的底面生长。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105531407B
公开(公告)日：2018-06-05
申请号：CN201480049773.7
申请日：2014-09-01
Applicant: 丰田自动车株式会社
Inventor： 旦野克典
Abstract: 本发明提供了贯穿螺旋位错、贯穿刃型位错、微管缺陷、基底面位错和层叠缺陷的密度降低的SiC单晶以及这样的SiC单晶的制造方法。SiC单晶的制造方法，其为使SiC晶种基板与具有从内部向表面温度降低的温度梯度的Si‑C溶液接触以使SiC单晶生长的SiC单晶的制造方法，其包括：以(1‑100)面作为生长面使SiC单晶生长的第1工序，使{0001}面从生长的SiC单晶露出的第2工序，和使用{0001}面露出了的SiC单晶作为晶种，以{0001}面作为生长面使SiC单晶生长的第3工序。
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公开(公告)号：CN107532329A
公开(公告)日：2018-01-02
申请号：CN201680027101.5
申请日：2016-03-16
Applicant: 丰田自动车株式会社
IPC: C30B29/36 , C30B19/10 , H01L21/208
CPC classification number: C30B19/10 , C30B9/06 , C30B19/04 , C30B29/36 , H01L21/02378 , H01L21/02529 , H01L21/02625 , H01L21/02628
Abstract: 提供能够抑制SiC多晶产生的SiC单晶的制造方法。本实施方式的SiC单晶的制造方法为利用溶液生长法的SiC单晶的制造方法。本实施方式的SiC单晶的制造方法具备输出功率升高工序(S1)、接触工序(S2)和生长工序(S4)。输出功率升高工序(S1)中，将感应加热装置(3)的高频输出功率升高到晶体生长时的高频输出功率。接触工序(S2)中，使SiC晶种(8)与Si‑C溶液(7)接触。接触工序(S2)中的感应加热装置(3)的高频输出功率大于晶体生长时的高频输出功率的80％。接触工序(S2)中的Si‑C溶液(7)的温度低于晶体生长温度。生长工序(S4)中，在晶体生长温度下使SiC单晶生长。
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公开(公告)号：CN104246026B
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201380020512.8
申请日：2013-04-05
Applicant: 丰田自动车株式会社
Inventor： 旦野克典
Abstract: 本发明的目的是提供降低了螺旋位错、刃型位错、以及微管缺陷这些贯穿位错密度的高品质的SiC单晶、以及这样的SiC单晶的采用熔液法的制造方法。一种采用熔液法的SiC单晶制造方法，使SiC籽晶接触具有从内部向表面温度降低的温度梯度的Si‑C熔液而使SiC单晶生长，该制造方法包括：使Si‑C熔液的表面区域的温度梯度成为10℃/cm以下；使SiC籽晶的(1‑100)面接触Si‑C熔液；以及在籽晶的(1‑100)面上以小于20×10‑4cm2/h·℃的、SiC单晶的生长速度相对于温度梯度的比使SiC单晶生长，所述比即是单晶的生长速度/温度梯度。
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公开(公告)号：CN105568362A
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201510718196.2
申请日：2015-10-29
Applicant: 丰田自动车株式会社
Inventor： 旦野克典
Abstract: 本发明涉及SiC单晶的制造方法。本发明提供了一种不形成缓冲层且穿透位错密度小的SiC单晶的制造方法。SiC单晶的制造方法，其为使用具有从内部向表面温度降低的温度梯度的Si-C溶液，使SiC单晶自SiC晶种基板生长的SiC单晶的制造方法，其包括：所述Si-C溶液包含Si和Cr，将所述晶种基板中的硼密度Bs与所述生长的SiC单晶中的硼密度Bg的硼密度差Bs-Bg设为1×1017个/cm3以上，将所述晶种基板中的铬密度Crs与所述生长的SiC单晶中的铬密度Crg的铬密度差Crg-Crs设为1×1016个/cm3以上，并且将所述晶种基板的氮密度Ns与所述生长的SiC单晶的氮密度Ng的氮密度差Ng-Ns设为3.5×1018个/cm3～5.8×1018个/cm3。
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公开(公告)号：CN104246026A
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：CN201380020512.8
申请日：2013-04-05
Applicant: 丰田自动车株式会社
Inventor： 旦野克典
Abstract: 本发明的目的是提供降低了螺旋位错、刃型位错、以及微管缺陷这些贯穿位错密度的高品质的SiC单晶、以及这样的SiC单晶的采用熔液法的制造方法。一种采用熔液法的SiC单晶制造方法，使SiC籽晶接触具有从内部向表面温度降低的温度梯度的Si-C熔液而使SiC单晶生长，该制造方法包括：使Si-C熔液的表面区域的温度梯度成为10℃/cm以下；使SiC籽晶的(1-100)面接触Si-C熔液；以及在籽晶的(1-100)面上以小于20×10-4cm2/h·℃的、SiC单晶的生长速度相对于温度梯度的比使SiC单晶生长，所述比即是单晶的生长速度/温度梯度。
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