公开(公告)号：CN105830222A

公开(公告)日：2016-08-03

申请号：CN201480070414.X

申请日：2014-10-16

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 添野明高 ,  福冈佑二

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/12

CPC classification number: H01L29/7827 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0661 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/66666 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7813

Abstract: 本发明公开能够抑制终端区的绝缘层劣化的情况的技术。半导体装置(100)具有形成有元件区(110)和包围元件区(110)的终端区(120)的半导体基板(10)。元件区(110)具有栅极沟槽(20)、覆盖栅极沟槽(20)的内表面的栅极绝缘膜(22)、被配置于栅极绝缘膜(22)的内侧的栅电极(24)。终端区(120)具有被形成于元件区(110)的周围的多个终端沟槽(30a～30j)和被配置于多个终端沟槽(30a～30j)各自的内侧的埋入绝缘层(32b～32e)。埋入绝缘层(32b)也被形成于半导体基板(10)的上表面上。在半导体基板(10)的上表面上形成有层间绝缘膜(40)。栅极配线(44)被形成于埋入绝缘层(32b)的上方，而未被形成于埋入绝缘层(32c～32e)的上方。

公开(公告)号：CN105830222B

公开(公告)日：2019-03-12

申请号：CN201480070414.X

申请日：2014-10-16

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 添野明高 ,  福冈佑二

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/12

CPC classification number: H01L29/7827 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0661 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/66666 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7813

Abstract: 本发明公开能够抑制终端区的绝缘层劣化的情况的技术。半导体装置(100)具有形成有元件区(110)和包围元件区(110)的终端区(120)的半导体基板(10)。元件区(110)具有栅极沟槽(20)、覆盖栅极沟槽(20)的内表面的栅极绝缘膜(22)、被配置于栅极绝缘膜(22)的内侧的栅电极(24)。终端区(120)具有被形成于元件区(110)的周围的多个终端沟槽(30a～30j)和被配置于多个终端沟槽(30a～30j)各自的内侧的埋入绝缘层(32b～32e)。埋入绝缘层(32b)也被形成于半导体基板(10)的上表面上。在半导体基板(10)的上表面上形成有层间绝缘膜(40)。栅极配线(44)被形成于埋入绝缘层(32b)的上方，而未被形成于埋入绝缘层(32c～32e)的上方。