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公开(公告)号：CN111541144A
公开(公告)日：2020-08-14
申请号：CN202010081241.9
申请日：2020-02-06
Applicant: 优志旺电机株式会社
Abstract: 本发明提供一种半导体激光光源装置,具备多个半导体激光元件，能够实现高密度化和高排热性这两者。半导体激光光源装置具有：台座，包括从第一面到达第二面的第一贯通孔；第一散热器，至少一部分嵌合于第一贯通孔内，且由热传导率比台座高的材料构成；副安装件，在第一散热器的从第一贯通孔的第一面侧露出的区域内的面上沿着第二方向配置有多个；多个半导体激光元件，配置于副安装件各自的面上；以及接合材料，在第一贯通孔内，介于台座的内壁与第一散热器的外壁之间。第一散热器具有在第一面侧的位置通过接合材料与台座固定的第一区域、以及在第二面侧的位置未与台座固定的第二区域。
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公开(公告)号：CN107407475A
公开(公告)日：2017-11-28
申请号：CN201680015432.7
申请日：2016-02-10
Applicant: 优志旺电机株式会社
IPC: F21V17/00 , F21S2/00 , F21V9/08 , F21V9/16 , F21V29/502 , B23K35/26 , C22C9/00 , C22C13/00 , F21Y115/30
CPC classification number: F21V29/502 , B23K35/24 , B23K35/26 , C22C5/02 , C22C9/00 , C22C9/01 , C22C9/06 , C22C13/00 , F21K9/64 , F21S2/005 , F21V9/08 , F21V9/30 , F21V29/89
Abstract: 本发明的目的在于提供一种可在荧光体中获得较高的发光效率、并且可获得充分高的荧光强度的荧光光源装置。在本发明中，具备接收激励光而放射荧光的荧光板、以及对该荧光板所产生的热量进行排热的散热基板，该荧光板与该散热基板经由软钎料层而接合，在荧光光源装置中，上述软钎料层中的空隙率被设为75％以下，空隙最长直径被设为0.4mm以下。另外，优选的是软钎料层中的空隙率被设为50％以下，空隙最长直径被设为0.2mm以下。
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公开(公告)号：CN107110440A
公开(公告)日：2017-08-29
申请号：CN201580060975.6
申请日：2015-10-30
Applicant: 优志旺电机株式会社
IPC: F21S2/00 , F21V3/04 , F21V7/04 , F21V9/16 , F21Y115/30 , F21Y115/10
Abstract: 本发明的目的在于可以得到高的发光效率、并且能够得到没有颜色不均的发生且具有高的均匀性的出射光的荧光光源装置。本发明的荧光光源装置，其特征在于，其具备荧光板和设置在该荧光板的荧光放射面侧的光扩散板，在该光扩散板的表面接收的激发光经由该光扩散板射入该荧光板的荧光放射面，其中，上述光扩散板以该光扩散板的背面的外周缘位于比上述荧光板的荧光放射面的外周缘更靠内侧的方式配置，在上述光扩散板上遍及外周面的整周地设置有光反射部，激发光的入射区域以该入射区域的外缘位于该光扩散板的表面的外周缘的内侧的方式形成在上述光扩散板的表面。
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公开(公告)号：CN105556201A
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201480051629.7
申请日：2014-09-11
Applicant: 优志旺电机株式会社
CPC classification number: F21K9/64 , F21V9/30 , F21Y2101/00 , F21Y2115/30 , H01S5/005 , H05B33/14
Abstract: 本发明的目的在于提供荧光光源装置及能够容易地制造该荧光光源装置的制造方法，所述荧光光源装置能够有效地利用在波长转换部件内部产生的荧光并以高的效率射出至外部，因此可获得高的发光效率。本发明的荧光光源装置的特征在于，其具备由在激发光作用下激发的荧光体构成的波长转换部件，所述波长转换部件由含有荧光体而成的荧光部件和形成在该荧光部件上的光激性结构部构成，该光激性结构部的表面为该波长转换部件的荧光射出面，所述光激性结构部通过由金属氧化物形成且具有自所述荧光部件向远方延伸的柱状结构的无机化合物层构成。
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公开(公告)号：CN108692204B
公开(公告)日：2021-07-06
申请号：CN201710665181.3
申请日：2017-08-07
Applicant: 优志旺电机株式会社
IPC: F21K9/64 , F21Y115/10
Abstract: 本发明提供反射层可以长时间地得到高的反射率、而且该反射层的剥离的发生得到抑制的荧光光源装置。本发明的荧光光源装置，其特征在于，其是具备激发光入射面和荧光射出面由同一面构成的荧光板而成的荧光光源装置，其中，上述荧光板依次层叠有荧光层、第一氧化物层和由银形成的反射层，在上述第一氧化物层与上述反射层之间设置有第一保护层，上述第一保护层由透光性材料构成，上述透光性材料由氮化物或氟化物形成。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110031921A
公开(公告)日：2019-07-19
申请号：CN201811618616.X
申请日：2018-12-28
Applicant: 优志旺电机株式会社
Inventor： 北村政治
Abstract: 本发明提供一种荧光板，其可长期地在反射层中得到高反射率，而且该反射层的剥离的产生得以抑制。本发明的荧光板具备含有荧光体的荧光体层、配置于所述荧光体层的下方的氧化物层和配置于所述氧化物层的下方的由银形成的反射层，其特征在于，具备设置于所述氧化物层与所述反射层之间的由透光性材料形成的抗氧化用保护层，具备介于所述抗氧化用保护层与所述反射层之间的透光性密合层而成。
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公开(公告)号：CN108692204A
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201710665181.3
申请日：2017-08-07
Applicant: 优志旺电机株式会社
IPC: F21K9/64 , F21Y115/10
CPC classification number: F21K9/64 , F21Y2115/10
Abstract: 本发明提供反射层可以长时间地得到高的反射率、而且该反射层的剥离的发生得到抑制的荧光光源装置。本发明的荧光光源装置，其特征在于，其是具备激发光入射面和荧光射出面由同一面构成的荧光板而成的荧光光源装置，其中，上述荧光板依次层叠有荧光层、第一氧化物层和由银形成的反射层，在上述第一氧化物层与上述反射层之间设置有第一保护层，上述第一保护层由透光性材料构成，上述透光性材料由氮化物或氟化物形成。
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公开(公告)号：CN107407475B
公开(公告)日：2018-10-02
申请号：CN201680015432.7
申请日：2016-02-10
Applicant: 优志旺电机株式会社
IPC: F21V17/00 , F21S2/00 , F21V9/08 , F21V9/30 , F21V29/502 , B23K35/26 , C22C9/00 , C22C13/00 , F21Y115/30
Abstract: 本发明的目的在于提供一种可在荧光体中获得较高的发光效率、并且可获得充分高的荧光强度的荧光光源装置。在本发明中，具备接收激励光而放射荧光的荧光板、以及对该荧光板所产生的热量进行排热的散热基板，该荧光板与该散热基板经由软钎料层而接合，在荧光光源装置中，上述软钎料层中的空隙率被设为75％以下，空隙最长直径被设为0.4mm以下。另外，优选的是软钎料层中的空隙率被设为50％以下，空隙最长直径被设为0.2mm以下。
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公开(公告)号：CN105556201B
公开(公告)日：2017-09-22
申请号：CN201480051629.7
申请日：2014-09-11
Applicant: 优志旺电机株式会社
CPC classification number: F21K9/64 , F21V9/30 , F21Y2101/00 , F21Y2115/30 , H01S5/005 , H05B33/14
Abstract: 本发明的目的在于提供荧光光源装置及能够容易地制造该荧光光源装置的制造方法，所述荧光光源装置能够有效地利用在波长转换部件内部产生的荧光并以高的效率射出至外部，因此可获得高的发光效率。本发明的荧光光源装置的特征在于，其具备由在激发光作用下激发的荧光体构成的波长转换部件，所述波长转换部件由含有荧光体而成的荧光部件和形成在该荧光部件上的光激性结构部构成，该光激性结构部的表面为该波长转换部件的荧光射出面，所述光激性结构部通过由金属氧化物形成且具有自所述荧光部件向远方延伸的柱状结构的无机化合物层构成。
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公开(公告)号：CN117954967A
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN202311379317.6
申请日：2023-10-24
Applicant: 优志旺电机株式会社
Inventor： 北村政治
Abstract: 提供一种半导体激光装置，其降低了高温下的阈值电流的偏差。半导体激光装置(100)具有在室温下振荡波长相对较短的端面发光型的半导体激光元件(200)以及在室温下振荡波长相对较长的端面发光型的半导体激光元件(200)。波长较短的半导体激光元件(200)与波长较长的半导体激光元件(200)在室温下的振荡波长之差为20nm以下。波长较短的半导体激光元件(200)和波长较长的半导体激光元件(200)的出射端侧的反射膜在膜厚、折射率、层数中的至少一方面不同。波长较短的半导体激光元件(200)在使用温度上限下的出射端侧反射率高于波长较长的半导体激光元件(200)在使用温度上限下的出射端侧反射率。
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