公开(公告)号：CN119866537A

公开(公告)日：2025-04-22

申请号：CN202480003944.6

申请日：2024-03-04

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝电子元件及存储装置株式会社

Inventor： 川城史义

IPC: H01L21/52 ,  B23K35/26 ,  C22C13/00 ,  H01L23/12 ,  H01L23/48 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18

Abstract: 实施方式的半导体器件具备半导体芯片(10)和设置于半导体芯片(10)的第一面侧的第一导电层(12B)，第一导电层(12B)包含含有铜(Cu)、锡(Sn)及银(Ag)的金属间化合物层，第一导电层(12B)中的银相对于锡的浓度为1.0at％以上且7.9at％以下。

公开(公告)号：CN119703056A

公开(公告)日：2025-03-28

申请号：CN202411876771.7

申请日：2024-12-19

Applicant: 昆山市诺菲尔电子科技有限公司

Inventor： 夏杰 ,  牟达洲 ,  唐保霞

IPC: B22F1/10 ,  H01L23/488 ,  B22F1/065 ,  C22C13/00 ,  B22F3/10

Abstract: 本发明公开了一种适用于低温烧结的半导体浆料及其制作方法，半导体浆料包括膏体部分和分散于膏体部分中的金属颗粒，以半导体浆料的总重量为基准，膏体部分含有15％～25％的丙二醇甲醚、4％～9％的异丙基甲苯、3％～7％的松香胺聚氧乙烯醚、3％～5％的二枞酸甘油酯、1％～4％的二枞酸甘油酯醚和1％～3％的脂松节油，金属颗粒含有25％～30％的铋粉、3％～6％的铟粉和余量的锡银铜合金粉。制作时，先通过热熔搅拌和乳化制得膏体部分，通过造粒加工制得金属颗粒；再通过真空搅拌将膏体部分与金属颗粒混匀，即得具有烧结温度低、烧结时间短，烧结后的膏体残渣少，表面耐腐蚀特性、导通率和键合强度优异的半导体浆料。

公开(公告)号：CN118176084B

公开(公告)日：2025-03-18

申请号：CN202280072345.0

申请日：2022-11-02

Applicant: 千住金属工业株式会社

Inventor： 须川靖久 ,  山崎裕之 ,  白鸟正人

IPC: B23K35/363 ,  C22C13/00 ,  B23K35/26 ,  H05K3/34

Abstract: 本发明采用含有松香、萜烯酚树脂和活性剂的助焊剂。萜烯酚树脂的羟值超过70mgKOH/g。活性剂含有溶解参数(SP值)为11.00以上的有机酸或通式(1)所示的有机酸。式(1)中，R1表示碳原子数2～15的链状烃基、碳原子数3～15的脂环式烃基、芳香族基或羧基。其中，所述链状烃基和所述脂环式烃基分别具有羟基或羧基。

公开(公告)号：CN119585073A

公开(公告)日：2025-03-07

申请号：CN202380054670.9

申请日：2023-07-21

Applicant: 千住金属工业株式会社

Inventor： 斋藤凌 ,  永井智子 ,  竹政哲 ,  髙木和順 ,  桥本裕 ,  宮城奈菜子 ,  金子睦记 ,  早川惠美 ,  真崎刚史

IPC: B23K35/363 ,  B23K35/26 ,  C22C13/00

Abstract: 本发明的助焊剂的特征在于，含有松香、溶剂、触变剂、胺氢碘酸盐和活性剂(其中，胺氢碘酸盐除外)，胺氢碘酸盐含有杂脂环式胺氢碘酸盐。作为该杂脂环胺氢碘酸盐，优选选自哌啶氢碘酸盐和甲基哌啶氢碘酸盐中的至少一种。根据该助焊剂，能够进一步抑制焊接时空隙的产生。

公开(公告)号：CN116324002B

公开(公告)日：2025-02-21

申请号：CN202180065149.6

申请日：2021-12-21

Applicant: 松田产业株式会社

Inventor： 野村薫 ,  铃木岳彦 ,  松冈贵文

IPC: C25D5/12 ,  C22C19/03 ,  C25D7/00 ,  C25D3/12 ,  C22C13/00

Abstract: 一种镀敷结构体，所述镀敷结构体包含：由Cu或Cu合金构成的基板、形成在基板上的Ni电镀膜、形成在Ni电镀膜上的Pd镀膜和形成在Pd镀膜上的Au镀膜，其中，所述Ni电镀膜含有0.01重量％以上且1.0重量％以下的P，当P含量为0.01重量％以上且小于0.05重量％时，所述Ni电镀膜的膜厚为0.1μm以上且10μm以下，当P含量为0.05重量％以上且小于0.2重量％时，所述Ni电镀膜的膜厚为0.06μm以上且10μm以下，当P含量为0.2重量％以上且1.0重量％以下时，所述Ni电镀膜的膜厚为0.01μm以上且10μm以下。本发明的课题在于提供一种具有焊料润湿性优异的Ni镀膜的镀敷结构体。

公开(公告)号：CN119343201A

公开(公告)日：2025-01-21

申请号：CN202280096842.4

申请日：2022-06-20

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 山崎浩次

IPC: B23K35/26 ,  C22C13/00 ,  B23K35/14

Abstract: 焊料接合构件(4)，为将第1对象物(2)与第2对象物(3)接合的焊料接合构件(4)，包含：作为主成分的Sn、3质量％以上且不到4质量％的Ag、0.5质量％以上且不到1.0质量％的Cu、2.5质量％以上且不到4质量％的Bi、及0.5质量％以上且不到3质量％的Sb，具有：包含Sn、Ag及Cu、具有210℃以上且不到220℃的熔点的主相(12)；将上述主相(12)的至少一部分被覆、具有135℃以上且不到145℃的熔点的Sn‑Bi合金相(10)；和将上述Sn‑Bi合金相(10)的至少一部分被覆、具有170℃以上且不到180℃的熔点的Sn‑Bi‑Sb合金相(11)。

公开(公告)号：CN119265460A

公开(公告)日：2025-01-07

申请号：CN202411382033.7

申请日：2024-09-30

Applicant: 昆明理工大学 ,  昆明理工恒达科技股份有限公司 ,  嵩明理工恒达新材料科技有限公司

Inventor： 陈步明 ,  俞小强 ,  黄惠 ,  郭忠诚 ,  徐敏欣 ,  郭锴 ,  董劲 ,  周应平 ,  满东旭

IPC: C22C21/08 ,  C25D3/60 ,  C25D3/58 ,  C22C21/02 ,  C22C9/04 ,  C22C19/03 ,  C22C13/00 ,  C22C1/03 ,  C23C28/02 ,  C25D7/06 ,  C25D5/44 ,  C23C18/50 ,  B21C37/04 ,  C22F1/043 ,  C22F1/047 ,  C22F1/05 ,  C21D9/52

Abstract: 本发明涉及一种高强度铝基光亮锡线材及其半自动化制备方法，属于铝基材料及其表面处理技术领域。本发明高强度铝基光亮锡线材从内至外依次为铝合金基体、Cu‑Zn合金底层、Ni‑Mo‑P中间合金层和光亮Sn或Sn‑Sb合金层；所述铝合金基体经中频炉熔炼、浇铸、冲床裁剪和挤压而成，然后，铝合金线基体置于铝合金线材电镀生产线中进行自动化表面金属化处理，依次包括铝合金线基体放线、铝合金线基体预处理、电镀Cu‑Zn合金底层、化学镀Ni‑Mo‑P中间合金层、电镀光亮Sn或Sn‑Sb合金层、烘干并收卷，制备出高强度铝基光亮锡线材。本发明高强度铝基光亮锡线材与工业纯铝相比，强度提高30％以上。

公开(公告)号：CN119260243A

公开(公告)日：2025-01-07

申请号：CN202411290712.1

申请日：2024-09-14

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 杭春进 ,  关旗龙 ,  李宣 ,  唐晓玖 ,  王睿琦

IPC: B23K35/40 ,  C22B5/00 ,  C23F15/00 ,  C22C13/00

Abstract: 本发明涉及电子辐照还原Sn基钎料金属纳米晶的方法，属于辐照表面改性技术领域。包括以下步骤：步骤1：准备氧化的钎料样品；步骤2：对氧化的钎料进行电子辐照。本发明通过采电子辐照Sn基钎料表面，可以还原Sn基钎料表面的氧化物层，并且相较于传统的氧化物化学还原法和机械清理法具有无环境污染、可控性强、不引入杂质、能够还原微细结构或复杂形状的Sn基钎料表面氧化物。

公开(公告)号：CN115335186B

公开(公告)日：2024-12-31

申请号：CN202180022148.3

申请日：2021-03-10

Applicant: 千住金属工业株式会社

Inventor： 饭岛裕贵 ,  冈田弘史 ,  吉川俊策 ,  斋藤岳 ,  出井宽大 ,  松藤贵大

IPC: B23K35/26 ,  C22C13/00

Abstract: 提供：管脚接通性优异、显示出高的接合强度的软钎料合金、焊料球和钎焊接头。软钎料合金具有如下合金组成：以质量％计为Ag：0.8～1.5％、Cu：0.1～1.0％、Ni：0.01～0.10％、P：0.006％～0.009％、且余量由Sn组成。优选合金组成满足(1)式和(2)式。2.0≤Ag×Cu×Ni/P≤25(1)式、0.500≤Sn×P≤0.778(2)式。上述(1)式和(2)式中，Ag、Cu、Ni、P和Sn为各合金组成的含量(质量％)。

公开(公告)号：CN116140861B

公开(公告)日：2024-10-29

申请号：CN202211622765.X

申请日：2022-12-16

Applicant: 南昌大学

Inventor： 黄惠珍 ,  黄助发 ,  刘洋 ,  陈伟鹏

IPC: B23K35/26 ,  B23K35/40 ,  B23K1/00 ,  C22C13/00 ,  C22C13/02 ,  B22F1/10

Abstract: 本发明公开了一种无铅钎料合金及其钎焊方法，涉及金属材料技术领域，无铅钎料的组分为：Zn 3‑15wt.％，Bi 0.5‑6wt.％，S 0.005‑0.8wt.％，Sr0.001‑2wt.％，余量为Sn。本发明的钎焊方法为：将粒径为20‑50μm的各原料粉末球磨混合均匀后，添加少量助焊剂，搅拌后预压成薄块，放置在待焊的洁净Cu或Ag基板之间，然后加热的同时在基板表面垂直施加5‑15MPa的压力，保温1‑10min后冷却凝固。本发明中的S可提高该合金的抗氧化性能及耐蚀性；添加适量的Bi可能与S发生相互作用形成Bi2S3，提高其耐蚀性和力学性能；Sr与氧的亲和力强，可降低钎料合金中的含氧量，还可细化Sn‑Zn基体的微观组织。该钎焊工艺温度低，工艺简单，钎料合金成本低，适合电子封装中Cu、Ag等金属材料的软钎焊。