电极的制造方法、电极糊剂的制造方法以及钠二次电池

    公开(公告)号:CN102714302A

    公开(公告)日:2012-10-03

    申请号:CN201080057962.0

    申请日:2010-12-15

    Inventor: 坂舞子

    CPC classification number: H01M4/136 C01B25/45 H01M4/1397 H01M4/5825 H01M10/054

    Abstract: 本发明提供电极的制造方法、电极糊剂的制造方法以及钠二次电池。该电极的制造方法依次包括如下的(1)~(5)的工序,该电极糊剂的制造方法依次包括如下的(1)~(3)的工序,即,(1)使P(磷)原料、A原料、M原料以及水相互接触而生成液状材料的工序;(2)通过加热液状材料,生成电极活性物质的沉淀,并通过固液分离,回收该沉淀的工序;(3)通过混合回收了的沉淀以及粘结剂而制造电极糊剂的工序;(4)通过将电极糊剂涂覆至集电体而形成涂膜的工序;(5)通过干燥涂膜而制造电极的工序。该钠二次电池具有通过前述方法制造的电极作为正极。

    过渡金属磷酸盐及钠二次电池

    公开(公告)号:CN102574687A

    公开(公告)日:2012-07-11

    申请号:CN201080044975.4

    申请日:2010-10-05

    Inventor: 坂舞子

    CPC classification number: H01M4/5825 C01B25/45 H01M10/054

    Abstract: 本发明提供过渡金属磷酸盐及钠二次电池。该过渡金属磷酸盐是含有Na、P及M(这里,M表示选自过渡金属元素中的1种以上的元素。)的过渡金属磷酸盐,利用以下的粉末X射线衍射测定确定的I/I0的值为0.6以下。 是如下的方法,即,通过向以使过渡金属磷酸盐∶硅的重量比为8∶1的方式含有过渡金属磷酸盐和硅的混合物照射CuKα射线而得到X射线衍射谱图,将该X射线衍射谱图中的过渡金属磷酸盐的最大峰的强度设为I,将硅的最大峰的强度设为I0,用I0除I,来确定I/I0的值。

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