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公开(公告)号:CN108527824B
公开(公告)日:2021-09-28
申请号:CN201810173216.6
申请日:2018-03-01
Applicant: 住友化学株式会社
IPC: B29C55/02 , B29B7/00 , B29C71/00 , H01M50/403 , H01M50/417 , B01D71/26 , B01D67/00 , B29L7/00
Abstract: 本发明提供一种膜制造方法、隔膜制造方法及增塑剂制造方法。本发明的一方案的膜制造方法包括使将聚烯烃树脂与增塑剂混炼而成的组成物成形的第一混炼成形工序(S1)、使组成物延伸的延伸工序(S2)、将组成物浸渍于清洗溶剂而去除增塑剂的组成物清洗工序(S3)、将溶出到使用后的清洗溶剂中的增塑剂分离的分离工序(S4)、以及使将聚烯烃树脂与在分离工序(S4)中分离出的增塑剂混炼而成的组成物成形的第二混炼成形工序(S6)。
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公开(公告)号:CN101253609A
公开(公告)日:2008-08-27
申请号:CN200680031829.1
申请日:2006-08-30
Applicant: 住友化学株式会社
Inventor: 山手信一
IPC: H01L21/336 , H01L29/786 , H01L51/05 , H01L51/40
CPC classification number: H01L51/0024 , H01L51/0012 , H01L51/0026 , H01L51/003 , H01L51/0036 , H01L51/0504 , H01L51/0541 , H01L51/0545 , H01L51/0558 , H01L51/057 , H01L51/105
Abstract: 本发明的目的在于提供通过简单的方法即可形成具有取向的活性层,可以获得具有优异载流子迁移率的晶体管的晶体管制造方法。本发明的晶体管的制造方法为具有包含半导体膜的活性层的晶体管的制造方法,所述半导体膜含有有机半导体化合物,该方法包括:将半导体膜拉伸的工序、在进行加热和/或加压的同时将半导体膜粘贴在形成活性层的面上获得活性层的工序。
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公开(公告)号:CN101981722B
公开(公告)日:2012-11-07
申请号:CN200980111498.6
申请日:2009-03-24
Applicant: 住友化学株式会社
IPC: H01L51/30 , H01L29/786 , H01L51/05 , H01L51/40 , H01L51/50
CPC classification number: H01L51/0054 , H01L51/0036 , H01L51/0039 , H01L51/0043 , H01L51/0055 , H01L51/0074 , H01L51/0094 , H01L51/0512 , H01L51/0558
Abstract: 本发明的目的在于提供能够形成具有高载流子传输性的有机薄膜的有机半导体组合物。适合的有机半导体组合物包含低分子化合物和具有载流子传输性的高分子化合物,高分子化合物的溶解度参数与低分子化合物的溶解度参数相差0.6~1.5。
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公开(公告)号:CN101743628B
公开(公告)日:2012-03-28
申请号:CN200880024251.6
申请日:2008-07-07
Applicant: 住友化学株式会社
Inventor: 山手信一
IPC: H01L21/336 , H01L29/786 , H01L51/05 , H01L51/40
CPC classification number: H01L51/0002 , H01L51/0012 , H01L51/0013 , H01L51/0018 , H01L51/0024 , H01L51/003 , H01L51/0541 , H01L51/0545 , H01L51/057
Abstract: 本发明的目的在于提供一种可防止活性层的电特性的降低且可形成已被形成为具有良好的图案形状的图案的活性层的有机半导体元件的制造方法。为了实现该目的,本发明的有机半导体元件的制造方法具有:将层叠有支承薄膜及所述活性层的层叠体与将形成所述活性层的元件基板贴合,使得所述层叠体的所述活性层与该元件基板相接的工序;在所述支承薄膜中的与所述活性层相反侧的面上形成具有规定的图案形状的掩模的工序;和通过除去没有形成所述掩模的区域的所述层叠体而将所述活性层图案化的工序。
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公开(公告)号:CN101253610A
公开(公告)日:2008-08-27
申请号:CN200680031983.9
申请日:2006-08-30
Applicant: 住友化学株式会社
Inventor: 山手信一
IPC: H01L21/336 , H01L29/786 , H01L51/05 , H01L51/40
CPC classification number: H01L51/0003 , H01L51/0024 , H01L51/0036 , H01L51/0039 , H01L51/0043 , H01L51/0545
Abstract: 本发明的目的在于提供即便是含有预先赋予了规定特性的有机半导体化合物的活性层,也可以良好地形成于应该形成该活性层的面上的晶体管或有机半导体元件的制造方法。优选实施方式的晶体管的制造方法为具有源极和漏极、成为这些电极间的电流通路且含有有机半导体化合物的活性层、控制通过电流通路的电流的栅极、以及配置在活性层和栅极之间的绝缘层的晶体管的制造方法,其包括在活性层和绝缘层之间存在施工液,将活性层和绝缘层粘贴的粘贴工序。
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公开(公告)号:CN108527824A
公开(公告)日:2018-09-14
申请号:CN201810173216.6
申请日:2018-03-01
Applicant: 住友化学株式会社
Abstract: 本发明提供一种膜制造方法、隔膜制造方法及增塑剂制造方法。本发明的一方案的膜制造方法包括使将聚烯烃树脂与增塑剂混炼而成的组成物成形的第一混炼成形工序(S1)、使组成物延伸的延伸工序(S2)、将组成物浸渍于清洗溶剂而去除增塑剂的组成物清洗工序(S3)、将溶出到使用后的清洗溶剂中的增塑剂分离的分离工序(S4)、以及使将聚烯烃树脂与在分离工序(S4)中分离出的增塑剂混炼而成的组成物成形的第二混炼成形工序(S6)。
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公开(公告)号:CN108527814A
公开(公告)日:2018-09-14
申请号:CN201810173043.8
申请日:2018-03-01
Applicant: 住友化学株式会社
CPC classification number: B29C48/387 , B29B7/481 , B29B7/482 , B29B7/487 , B29B7/625 , B29B7/82 , B29B7/90 , B29B7/94 , B29C48/385 , B29C48/92 , B29C2948/9239 , C08L23/06 , C08L91/00 , B29C48/78 , B29K2023/06
Abstract: 本发明提供一种能够容易地得到原料的最佳特性的混炼装置以及混炼物的制造方法。混炼装置(21)具备:螺杆(23),其将从进料口(27)供给的聚乙烯挤出;加热器(24),其对由螺杆(23)挤出的聚乙烯进行加热;以及加热器(25),其预先对液体石蜡进行加热,该液体石蜡从侧进料口(28)向由螺杆(23)挤出的聚乙烯供给。
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公开(公告)号:CN101253609B
公开(公告)日:2012-06-13
申请号:CN200680031829.1
申请日:2006-08-30
Applicant: 住友化学株式会社
Inventor: 山手信一
IPC: H01L21/336 , H01L29/786 , H01L51/05 , H01L51/40
CPC classification number: H01L51/0024 , H01L51/0012 , H01L51/0026 , H01L51/003 , H01L51/0036 , H01L51/0504 , H01L51/0541 , H01L51/0545 , H01L51/0558 , H01L51/057 , H01L51/105
Abstract: 本发明的目的在于提供通过简单的方法即可形成具有取向的活性层,可以获得具有优异载流子迁移率的晶体管的晶体管制造方法。本发明的晶体管的制造方法为具有包含半导体膜的活性层的晶体管的制造方法,所述半导体膜含有有机半导体化合物,该方法包括:将半导体膜拉伸的工序、在进行加热和/或加压的同时将半导体膜粘贴在形成活性层的面上获得活性层的工序。
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公开(公告)号:CN101981722A
公开(公告)日:2011-02-23
申请号:CN200980111498.6
申请日:2009-03-24
Applicant: 住友化学株式会社
IPC: H01L51/30 , H01L29/786 , H01L51/05 , H01L51/40 , H01L51/50
CPC classification number: H01L51/0054 , H01L51/0036 , H01L51/0039 , H01L51/0043 , H01L51/0055 , H01L51/0074 , H01L51/0094 , H01L51/0512 , H01L51/0558
Abstract: 本发明的目的在于提供能够形成具有高载流子传输性的有机薄膜的有机半导体组合物。适合的有机半导体组合物包含低分子化合物和具有载流子传输性的高分子化合物,高分子化合物的溶解度参数与低分子化合物的溶解度参数相差0.6~1.5。
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公开(公告)号:CN101743628A
公开(公告)日:2010-06-16
申请号:CN200880024251.6
申请日:2008-07-07
Applicant: 住友化学株式会社
Inventor: 山手信一
IPC: H01L21/336 , H01L29/786 , H01L51/05 , H01L51/40
CPC classification number: H01L51/0002 , H01L51/0012 , H01L51/0013 , H01L51/0018 , H01L51/0024 , H01L51/003 , H01L51/0541 , H01L51/0545 , H01L51/057
Abstract: 本发明的目的在于提供一种可防止活性层的电特性的降低且可形成已被形成为具有良好的图案形状的图案的活性层的有机半导体元件的制造方法。为了实现该目的,本发明的有机半导体元件的制造方法具有:将层叠有支承薄膜及所述活性层的层叠体与将形成所述活性层的元件基板贴合,使得所述层叠体的所述活性层与该元件基板相接的工序;在所述支承薄膜中的与所述活性层相反侧的面上形成具有规定的图案形状的掩模的工序;和通过除去没有形成所述掩模的区域的所述层叠体而将所述活性层图案化的工序。
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