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公开(公告)号：CN101981722B
公开(公告)日：2012-11-07
申请号：CN200980111498.6
申请日：2009-03-24
Applicant: 住友化学株式会社
IPC: H01L51/30 , H01L29/786 , H01L51/05 , H01L51/40 , H01L51/50
CPC classification number: H01L51/0054 , H01L51/0036 , H01L51/0039 , H01L51/0043 , H01L51/0055 , H01L51/0074 , H01L51/0094 , H01L51/0512 , H01L51/0558
Abstract: 本发明的目的在于提供能够形成具有高载流子传输性的有机薄膜的有机半导体组合物。适合的有机半导体组合物包含低分子化合物和具有载流子传输性的高分子化合物，高分子化合物的溶解度参数与低分子化合物的溶解度参数相差0.6～1.5。
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公开(公告)号：CN101263213A
公开(公告)日：2008-09-10
申请号：CN200680033992.1
申请日：2006-09-15
Applicant: 住友化学株式会社
CPC classification number: C09K11/7734 , C09K11/7721 , C09K11/7741 , C09K11/7774 , C09K11/778 , C09K11/7787 , C09K11/7789 , C09K11/7792 , C09K11/7794 , H01L33/502
Abstract: 本发明提供一种磷光体，所述磷光体能够提供在实践上提高主要为显色性的发光特性的发光器件。所述磷光体的特征在于包含由式aM1O－bM22O3－cM3O2表示的化合物，其中M1表示选自Ba、Sr、Ca、Mg和Zn中的至少一种元素，M2表示选自Al、Sc、Ga、Y、In、La、Gd和Lu中的至少一种元素，M3表示选自Si、Ti、Ge、Zr、Sn和Hf中的至少一种元素，a是不小于8且不大于10的值，b是不小于0.8且不大于1.2的值，并且c是不小于5且不大于7的值；并且具有至少一种元素作为活化剂，所述至少一种元素选自稀土元素、Mn、Bi和Zn，并且结合到所述化合物中。
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公开(公告)号：CN102449798A
公开(公告)日：2012-05-09
申请号：CN201080024151.0
申请日：2010-05-11
Applicant: 住友化学株式会社 , 国立大学法人广岛大学
IPC: H01L51/30 , C08G61/12 , H01L21/336 , H01L29/786 , H01L29/80 , H01L51/05 , H01L51/40 , H01L51/50
CPC classification number: H01L51/0035 , C08G61/126 , C08G2261/124 , C08G2261/3223 , C08G2261/3243 , C08G2261/92 , H01L51/0036 , H01L51/0558
Abstract: 本发明的有机薄膜晶体管包括如下的有机半导体层，所述有机半导体层含有具有下述通式(1)所示的重复单元、及/或、下述通式(2)所示的重复单元且还具有下述通式(3)所示的重复单元的高分子化合物。
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公开(公告)号：CN101014682B
公开(公告)日：2010-06-30
申请号：CN200580028879.X
申请日：2005-08-30
Applicant: 住友化学株式会社
IPC: C09K11/77 , C09K11/08 , C09K11/55 , C09K11/57 , C09K11/62 , C09K11/64 , C09K11/66 , C09K11/54 , H01L33/00
CPC classification number: C09K11/0883 , C09K11/54 , C09K11/55 , C09K11/576 , C09K11/625 , C09K11/643 , C09K11/663 , C09K11/77 , H01L33/502
Abstract: 一种荧光物质，其特征在于包含由式M1aM2bNc表示的化合物组成的基质晶体，其中M1是选自Mg、Ca、Sr、Ba和Zn的至少一种元素，M2是选自Al、Ga和In的至少一种元素，并且c＝(2a/3)+b，0＜a和0＜b；其中包含选自稀土金属、Zn和Mn的至少一种元素作为活化剂。
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公开(公告)号：CN101014682A
公开(公告)日：2007-08-08
申请号：CN200580028879.X
申请日：2005-08-30
Applicant: 住友化学株式会社
IPC: C09K11/77 , C09K11/08 , C09K11/55 , C09K11/57 , C09K11/62 , C09K11/64 , C09K11/66 , C09K11/54 , H01L33/00
CPC classification number: C09K11/0883 , C09K11/54 , C09K11/55 , C09K11/576 , C09K11/625 , C09K11/643 , C09K11/663 , C09K11/77 , H01L33/502
Abstract: 一种荧光物质，其特征在于包含由式M1aM2bNc表示的化合物组成的基质晶体，其中M1是选自Mg、Ca、Sr、Ba和Zn的至少一种元素，M2是选自Al、Ga和In的至少一种元素，并且c＝(2a/3)+b，0＜a和0＜b；其中包含选自稀土金属、Zn和Mn的至少一种元素作为活化剂。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1879198A
公开(公告)日：2006-12-13
申请号：CN200480033046.8
申请日：2004-11-08
Applicant: 住友化学株式会社
IPC: H01L21/205
CPC classification number: H01L21/02461 , C30B25/02 , C30B29/40 , H01L21/02392 , H01L21/02433 , H01L21/02463 , H01L21/02502 , H01L21/02546 , H01L21/0262
Abstract: 本发明提供一种凹状缺陷少的化合物半导体外延基板的制造方法。化合物半导体外延基板的凹状缺陷生成的抑制方法，其包括如下所述工序，即：在InP单结晶基板、或与InP单结晶基板晶格整合的外延层上，在V/III比：10～100、成长温度：630℃～700℃、成长速度：0.6μm/h～2μm/h的条件下，通过外延成长，而形成InGaAs层。
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公开(公告)号：CN102666643B
公开(公告)日：2014-08-13
申请号：CN201080059154.8
申请日：2010-12-22
Applicant: 住友化学株式会社 , 国立大学法人广岛大学
CPC classification number: H01L51/0036 , C08G61/126 , C08G2261/3223 , C08G2261/3243 , C08G2261/411 , C08G2261/414 , C08G2261/51 , C08G2261/92 , H01L51/0043 , H01L51/0541 , H01L51/0545 , H01L51/0558 , Y02E10/52 , Y02E10/549
Abstract: 本发明的目的在于，提供一种可获得高电荷迁移率的高分子化合物。本发明的高分子化合物具有式(1)表示的重复单元。[Ar1和Ar2为芳香族烃环、杂环、或者芳香族烃环与杂环的稠环。R1、R2、R3和R4表示氢原子、烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳烷氧基、芳烷硫基、取代甲硅烷基、未取代或取代的羧基、一价杂环基、氰基或者氟原子]。
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公开(公告)号：CN102666643A
公开(公告)日：2012-09-12
申请号：CN201080059154.8
申请日：2010-12-22
Applicant: 住友化学株式会社 , 国立大学法人广岛大学
CPC classification number: H01L51/0036 , C08G61/126 , C08G2261/3223 , C08G2261/3243 , C08G2261/411 , C08G2261/414 , C08G2261/51 , C08G2261/92 , H01L51/0043 , H01L51/0541 , H01L51/0545 , H01L51/0558 , Y02E10/52 , Y02E10/549
Abstract: 本发明的目的在于，提供一种可获得高电荷迁移率的高分子化合物。本发明的高分子化合物具有式(1)表示的重复单元。[Ar1和Ar2为芳香族烃环、杂环、或者芳香族烃环与杂环的稠环。R1、R2、R3和R4表示氢原子、烷基、烷氧基、烷硫基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳烷基、芳烷氧基、芳烷硫基、取代甲硅烷基、未取代或取代的羧基、一价杂环基、氰基或者氟原子。]
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公开(公告)号：CN101981722A
公开(公告)日：2011-02-23
申请号：CN200980111498.6
申请日：2009-03-24
Applicant: 住友化学株式会社
IPC: H01L51/30 , H01L29/786 , H01L51/05 , H01L51/40 , H01L51/50
CPC classification number: H01L51/0054 , H01L51/0036 , H01L51/0039 , H01L51/0043 , H01L51/0055 , H01L51/0074 , H01L51/0094 , H01L51/0512 , H01L51/0558
Abstract: 本发明的目的在于提供能够形成具有高载流子传输性的有机薄膜的有机半导体组合物。适合的有机半导体组合物包含低分子化合物和具有载流子传输性的高分子化合物，高分子化合物的溶解度参数与低分子化合物的溶解度参数相差0.6～1.5。
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公开(公告)号：CN101868857A
公开(公告)日：2010-10-20
申请号：CN200880116357.9
申请日：2008-11-12
Applicant: 住友化学株式会社
IPC: H01L29/786 , C23C14/08 , H01L21/336 , H01L21/363
CPC classification number: C23C14/086 , C23C14/3414 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02573 , H01L21/02581 , H01L21/02631 , H01L29/26 , H01L29/7869
Abstract: 本发明提供氧化物半导体材料和其制造方法、电子装置和场效应晶体管。氧化物半导体材料含有Zn、Sn和O，不含有In，且电子载流子浓度大于1×1015/cm3且小于1×1018/cm3。电子装置具有包含氧化物半导体材料的半导体层，和设置在上述半导体层上的电极。场效应晶体管具有包含氧化物半导体材料的半导体层、设置在上述半导体层中并相互隔开的源电极和漏电极、和门电极，所述门电极设置在可在位于上述源电极和上述漏电极之间的上述半导体层的区域施加偏置电位的位置。
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