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公开(公告)号：CN102130299A
公开(公告)日：2011-07-20
申请号：CN201010603931.2
申请日：2007-03-22
Applicant: 国立大学法人大阪大学 , 住友化学株式会社 , 大日本印刷株式会社 , 株式会社理光
CPC classification number: H01L51/0504 , B82Y10/00 , C08G2261/92 , H01L27/3262 , H01L51/0037 , H01L51/0046 , H01L51/0053 , H01L51/006 , H01L51/0078 , H01L51/0081 , H01L51/5096 , H01L51/5203 , H01L51/5296
Abstract: 本发明提供在发射极-集电极之间可以以低电压进行大电流调制的晶体管元件。还提供上述晶体管元件的制造方法、具有该晶体管元件的发光元件和显示器。晶体管元件具有发射极3和集电极2。发射极3和集电极2之间设有半导体层5(5A、5B)和片状的基极4。半导体层5设于发射极3和基极4之间、以及集电极2和基极4之间，分别构成第2半导体层5B和第1半导体层5A，进一步优选基极的厚度为80nm以下。至少发射极和基极之间、或者集电极和基极之间设置有暗电流抑制层。
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公开(公告)号：CN1894805A
公开(公告)日：2007-01-10
申请号：CN200480037561.3
申请日：2004-12-16
CPC classification number: H01L27/288 , H01L27/305 , H01L31/141 , H01L51/0034 , H01L51/0035 , H01L51/0036 , H01L51/0038 , H01L51/0094
Abstract: 一种具有优异的装置特性的有机光－光变换装置，其包含：具有包含通过光照射产生光－电流倍增现象的光电导有机半导体的层的光感应单元和具有包含通过电流注入而发光的场致发光有机半导体的层的发光单元，其特征在于，光电导有机半导体和场致发光有机半导体中的至少一个是聚合物半导体。一种由多个布置的上述有机光－光变换装置构成的图像增强器。一种光学传感器，其配备有测定和输出施加在上述有机光－光变换装置和包含场致发光有机半导体的层的相反端的电压的装置。
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公开(公告)号：CN101432883B
公开(公告)日：2011-08-10
申请号：CN200780010021.X
申请日：2007-03-22
Applicant: 国立大学法人大阪大学 , 住友化学株式会社 , 大日本印刷株式会社 , 株式会社理光
CPC classification number: H01L51/0504 , B82Y10/00 , C08G2261/92 , H01L27/3262 , H01L51/0037 , H01L51/0046 , H01L51/0053 , H01L51/006 , H01L51/0078 , H01L51/0081 , H01L51/5096 , H01L51/5203 , H01L51/5296
Abstract: 本发明提供在发射极-集电极之间可以以低电压进行大电流调制的晶体管元件。还提供上述晶体管元件的制造方法、具有该晶体管元件的发光元件和显示器。晶体管元件具有发射极3和集电极2。发射极3和集电极2之间设有半导体层5(5A、5B)和片状的基极4。半导体层5设于发射极3和基极4之间、以及集电极2和基极4之间，分别构成第2半导体层5B和第1半导体层5A，进一步优选基极的厚度为80nm以下。至少发射极和基极之间、或者集电极和基极之间设置有暗电流抑制层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101908557A
公开(公告)日：2010-12-08
申请号：CN201010225183.9
申请日：2004-12-16
Applicant: 住友化学株式会社
CPC classification number: H01L27/288 , H01L27/305 , H01L31/141 , H01L51/0034 , H01L51/0035 , H01L51/0036 , H01L51/0038 , H01L51/0094
Abstract: 一种具有优异的装置特性的有机光-光变换装置，其包含：具有包含通过光照射产生光-电流倍增现象的光电导有机半导体的层的光感应单元和具有包含通过电流注入而发光的场致发光有机半导体的层的发光单元，其特征在于，光电导有机半导体和场致发光有机半导体中的至少一个是聚合物半导体。一种由多个布置的上述有机光-光变换装置构成的图像增强器。一种光学传感器，其配备有测定和输出施加在上述有机光-光变换装置和包含场致发光有机半导体的层的相反端的电压的装置。
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公开(公告)号：CN101908556A
公开(公告)日：2010-12-08
申请号：CN201010225181.X
申请日：2004-12-16
Applicant: 住友化学株式会社
CPC classification number: H01L27/288 , H01L27/305 , H01L31/141 , H01L51/0034 , H01L51/0035 , H01L51/0036 , H01L51/0038 , H01L51/0094
Abstract: 一种具有优异的装置特性的有机光-光变换装置，其包含：具有包含通过光照射产生光-电流倍增现象的光电导有机半导体的层的光感应单元和具有包含通过电流注入而发光的场致发光有机半导体的层的发光单元，其特征在于，光电导有机半导体和场致发光有机半导体中的至少一个是聚合物半导体。一种由多个布置的上述有机光-光变换装置构成的图像增强器。一种光学传感器，其配备有测定和输出施加在上述有机光-光变换装置和包含场致发光有机半导体的层的相反端的电压的装置。
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公开(公告)号：CN101432883A
公开(公告)日：2009-05-13
申请号：CN200780010021.X
申请日：2007-03-22
Applicant: 国立大学法人大阪大学 , 住友化学株式会社 , 大日本印刷株式会社 , 株式会社理光
CPC classification number: H01L51/0504 , B82Y10/00 , C08G2261/92 , H01L27/3262 , H01L51/0037 , H01L51/0046 , H01L51/0053 , H01L51/006 , H01L51/0078 , H01L51/0081 , H01L51/5096 , H01L51/5203 , H01L51/5296
Abstract: 本发明提供在发射极－集电极之间可以以低电压进行大电流调制的晶体管元件。还提供上述晶体管元件的制造方法、具有该晶体管元件的发光元件和显示器。晶体管元件具有发射极3和集电极2。发射极3和集电极2之间设有半导体层5(5A、5B)和片状的基极4。半导体层5设于发射极3和基极4之间、以及集电极2和基极4之间，分别构成第2半导体层5B和第1半导体层5A，进一步优选基极的厚度为80nm以下。至少发射极和基极之间、或者集电极和基极之间设置有暗电流抑制层。
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公开(公告)号：CN100406516C
公开(公告)日：2008-07-30
申请号：CN200480008063.6
申请日：2004-03-25
Applicant: 住友化学株式会社
CPC classification number: H05B33/14 , C08L65/00 , C09K11/06 , C09K2211/14
Abstract: 一种金属配位组合物，特征在于包含具有由式(1)表示的重复单元的聚合物和以其三重态受激态发光的金属配合物；和一种高分子配位化合物，特征在于包含由下式(1)表示的重复单元并且以其三重态受激态发光的金属配合物结构，并且特征在于显示固态可见光发射：(其中，Ar1和Ar2各自独立地表示三价芳族烃基或三价杂环基；Ar3表示芳族烃基或杂环基，所述的Ar3在环上具有选自烷基、烷氧基、烷硫基、烷基甲硅烷基、烷基氨基、芳基、芳氧基、芳基烷基、芳基烷氧基、芳基烯基、芳基炔基、芳基氨基、单价杂环基和氰基中的基团；X表示单键或连接基团)。
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公开(公告)号：CN1764693A
公开(公告)日：2006-04-26
申请号：CN200480008063.6
申请日：2004-03-25
Applicant: 住友化学株式会社
CPC classification number: H05B33/14 , C08L65/00 , C09K11/06 , C09K2211/14
Abstract: 一种金属配位组合物，特征在于包含具有由式(1)表示的重复单元的聚合物和以其三重态受激态发光的金属配合物；和一种高分子配位化合物，特征在于包含由下式(1)表示的重复单元并且以其三重态受激态发光的金属配合物结构，并且特征在于显示固态可见光发射：(其中，Ar1和Ar2各自独立地表示三价芳族烃基或三价杂环基；Ar3表示芳族烃基或杂环基，所述的Ar3在环上具有选自烷基、烷氧基、烷硫基、烷基甲硅烷基、烷基氨基、芳基、芳氧基、芳基烷基、芳基烷氧基、芳基烯基、芳基炔基、芳基氨基、单价杂环基和氰基中的基团；X表示单键或连接基团)。
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