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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119630499A
公开(公告)日：2025-03-14
申请号：CN202380054778.8
申请日：2023-07-13
Applicant: 住友电气工业株式会社
Abstract: 一种切削工具，具备基材和配置在所述基材上的覆膜，其中，所述覆膜包含硬质颗粒层，所述硬质颗粒层由多个硬质颗粒构成，所述多个硬质颗粒由钛、硅、碳以及氮构成，所述硬质颗粒层包含第一区域以及第二区域，所述第一区域是被所述硬质颗粒层的所述基材侧的第一主面和从所述第一主面向所述硬质颗粒层侧的距离为0.5μm的假想面S1夹着的区域，所述第二区域是被所述硬质颗粒层的与所述第一主面相对侧的第二主面和从所述第二主面向所述硬质颗粒层侧的距离为0.5μm的假想面S2夹着的区域，所述第一区域的组成为Ti(1‑Xb)SiXbCN，所述第二区域的组成为Ti(1‑Xs)SiXsCN，所述Xs以及Xb满足Xs‑Xb≥0.01以及0＜Xb＜Xs≤0.10的关系，所述硬质颗粒为立方晶结构，在所述硬质颗粒中，所述硅的浓度沿着从所述第一主面朝向所述第二主面的第一方向周期性地变化。
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公开(公告)号：CN120018923A
公开(公告)日：2025-05-16
申请号：CN202380071772.1
申请日：2023-07-13
Applicant: 住友电气工业株式会社
Abstract: 一种切削工具，所述切削工具具备基材和配置于所述基材上的覆膜，其中，所述覆膜包含硬质颗粒层，所述硬质颗粒层由多个硬质颗粒构成，所述多个硬质颗粒由钛、硅、碳以及氮构成，所述硬质颗粒层包含第一区域以及第二区域，所述第一区域是被所述硬质颗粒层的所述基材侧的第一主面和从所述第一主面起向所述硬质颗粒层侧的距离为0.5μm的假想面S1夹着的区域，所述第二区域是被所述硬质颗粒层的与所述第一主面相对侧的第二主面和从所述第二主面起向所述硬质颗粒层侧的距离为0.5μm的假想面S2夹着的区域，所述第一区域的组成为Ti(1‑Xb)SiXbCN，所述第二区域的组成为Ti(1‑Xs)SiXsCN，所述Xs以及Xb满足Xb‑Xs≥0.01以及0＜Xs＜Xb≤0.10的关系，所述硬质颗粒为立方晶结构，在所述硬质颗粒中，所述硅的浓度沿着从所述第一主面朝向所述第二主面的第一方向周期性地变化。
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公开(公告)号：CN118524901A
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN202280088021.6
申请日：2022-08-30
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: B23B27/14
Abstract: 切削工具是具备基材、配置于所述基材上的覆膜的切削工具，所述切削工具包含前刀面、与所述前刀面相连的后刀面、以及由所述前刀面与所述后刀面的边界部分构成的切削刃区域，所述覆膜包含TiSiCN层，所述TiSiCN层具有位于所述前刀面的第一TiSiCN层、位于所述切削刃区域的第二TiSiCN层，所述第一TiSiCN层的组成为Ti(1‑Xr)SiXrCN，所述第二TiSiCN层的组成为Ti(1‑Xe)SiXeCN，所述Xr以及所述Xe分别为0.010以上0.100以下，并且满足Xr‑Xe≥0.003的关系。
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公开(公告)号：CN117957079A
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN202280041184.9
申请日：2022-08-30
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: B23B27/14
Abstract: 切削工具是具备基材、配置于所述基材上的覆膜的切削工具，所述切削工具包含前刀面、与所述前刀面相连的后刀面、以及由所述前刀面与所述后刀面的边界部分构成的切削刃区域，所述覆膜包含TiSiCN层，所述TiSiCN层具有位于所述前刀面的第一TiSiCN层、位于所述切削刃区域的第二TiSiCN层，所述第一TiSiCN层的组成为Ti(1‑Xr)SiXrCN，所述第二TiSiCN层的组成为Ti(1‑Xe)SiXeCN，所述Xr以及所述Xe分别为0.010以上0.100以下，并且满足Xe‑Xr≥0.003的关系。
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公开(公告)号：CN116249599A
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN202180060674.9
申请日：2021-06-14
Applicant: 住友电工硬质合金株式会社 , 住友电气工业株式会社
IPC: B23B27/14
Abstract: 一种切削工具，具备基材和配置在所述基材上的覆膜，所述覆膜包含第1层，所述第1层包含多个晶粒，所述晶粒由AlxTi1‑xCyN1‑y构成，所述x超过0.65且小于0.95，所述y为0以上且小于0.1，在由所述第1层的表面S1或所述第1层的表面侧的界面S2和第1假想平面VS1夹持的区域构成的第1区域中，所述晶粒的平均长宽比为3.0以下，在由所述第1假想平面VS1和所述第1层的基材侧的界面S3夹持的区域构成的第2区域中，所述晶粒的平均长宽比超过3.0且为10.0以下，所述第1假想平面VS1通过从所述表面S1或所述界面S2向基材侧距离1μm的地点且平行于所述表面S1或所述界面S2，所述晶粒包含具有立方晶系结构的晶粒，在所述第1层中，具有立方晶系结构的晶粒所占的面积比率为90％以上，所述平均长宽比和所述面积比率在沿着所述基材与所述覆膜的界面的法线的剖面上测定，所述第1层的厚度为2μm以上20μm以下。
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