公开(公告)号：CN1260599A

公开(公告)日：2000-07-19

申请号：CN99127779.1

申请日：1999-12-22

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 森山公一朗 ,  金井正博 ,  大利博和 ,  芳里直 ,  冈田直人 ,  下田宽嗣 ,  尾裕之

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/04 ,  H01L21/205 ,  C23C16/44

CPC classification number: H01L21/67173 ,  H01L21/67236 ,  H01L21/67253 ,  H01L21/6776

Abstract: 一种衬底处理方法,包括输送衬底通过相互连通的多个处理空间,并在其中处理所述衬底的步骤,其中根据作为所述多个处理空间之一的处理空间(a)的内压来控制所述处理空间(a)的内压和设在处理空间(a)前后的至少一个处理空间(b)的内压。以及一种衬底处理设备,包括多个处理空间、衬底输送装置和压力计,其中,所述衬底处理设备具有用于根据从所述压力计获得的信息,来控制所述处理空间(a)的内压和设在处理空间(a)前后的至少一个处理空间(b)的内压的控制单元。

公开(公告)号：CN1536683A

公开(公告)日：2004-10-13

申请号：CN200410003802.4

申请日：2004-02-06

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 下田宽嗣

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/04

CPC classification number: H01L31/186 ,  G01R31/025 ,  H01L31/208 ,  H02S50/10 ,  Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 一种光生伏打元件的制造方法，具有至少将基板上依次叠层了背面反射层、半导体层和透明电极层的光生伏打元件浸渍在电解质溶液中，对该光生伏打元件施加正向电压，通过对该光生伏打元件的短路部的所述透明电极层进行还原的电解处理，选择性除去该光生伏打元件的缺陷造成的短路电流通路的步骤，其中，通过将施加在所述光生伏打元件上的正向电压降低到0V或不引起所述透明电极层还原反应的正向电压时的电压梯度ΔV/Δt控制为－15～－0.1V/s，可靠地选择性除去分流部，而不增大分流路径。

公开(公告)号：CN1309098C

公开(公告)日：2007-04-04

申请号：CN200410003802.4

申请日：2004-02-06

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 下田宽嗣

IPC: H01L31/20 ,  H01L31/18 ,  H01L31/04 ,  H01L31/0224

CPC classification number: H01L31/186 ,  G01R31/025 ,  H01L31/208 ,  H02S50/10 ,  Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 一种光生伏打元件的制造方法，具有至少将基板上依次叠层了背面反射层、半导体层和透明电极层的光生伏打元件浸渍在电解质溶液中，对该光生伏打元件施加正向电压，通过对该光生伏打元件的短路部的所述透明电极层进行还原的电解处理，选择性除去该光生伏打元件的缺陷造成的短路电流通路的步骤，其中，通过将施加在所述光生伏打元件上的正向电压降低到0V或不引起所述透明电极层还原反应的正向电压时的电压梯度ΔV/Δt控制为-15～-0.1V/s，可靠地选择性除去分流部，而不增大分流路径。