公开(公告)号：CN1014187B

公开(公告)日：1991-10-02

申请号：CN87102172

申请日：1987-01-23

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 白井茂 ,  齐藤惠志 ,  新井孝 ,  加藤富 ,  藤冈靖

IPC: G03G5/082 ,  G03G5/14

CPC classification number: G03G5/0825 ,  G03G5/08235 ,  G03G5/08242 ,  G03G5/08257

Abstract: 用于电子照相技术中的光接收元件，包括复印用基体和由电荷注入阻挡层、光导层和表面层组成的光接收层。其中电荷注入阻挡层由含硅原子作为主要成分的非晶态材料和一种电导率控制元素组成；光导层由含硅原子作为主要成分的非晶态材料和选自氢原子和卤素原子的至少一种元素组成；表面层由含硅原子、碳原子和卤素原子的非晶态材料组成，且表面层中氢原子的含量在(41-70)原子%范围之内。

公开(公告)号：CN1014184B

公开(公告)日：1991-10-02

申请号：CN87101639

申请日：1987-03-03

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 白井茂 ,  齐藤惠志 ,  新井孝至 ,  加藤富 ,  藤冈靖

IPC: G03G5/08 ,  G03G5/14

CPC classification number: G03G5/08235 ,  G03G5/08242 ,  G03G5/0825 ,  G03G5/08257

Abstract: 提供一个改进的电子摄影术用光接收元件包括：一层为电子摄影术用的基底和一光接收层，后者由含硅原子锗原子的多晶材料形成的长波长光吸收层构成；一层由含硅原子作为主要原子成分的非晶材料形成的光电导层；及一层由含硅原子、碳原子和氢原子的非晶材料形成的表面层，表面层中氢原子含量为1×10-3至40原子百分比。光接收层可具有一层电荷注入阻挡层或/和一层接触层。

公开(公告)号：CN87101639A

公开(公告)日：1987-11-25

申请号：CN87101639

申请日：1987-03-03

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 白井茂 ,  斉藤惠志 ,  新井孝至 ,  加藤富 ,  藤冈靖

IPC: G03G5/08 ,  G03G5/04 ,  G03G5/02

CPC classification number: G03G5/08235 ,  G03G5/08242 ,  G03G5/0825 ,  G03G5/08257

Abstract: 本发明提供一个改进的电子摄影术用光接收元件。它包括：一层为电子摄影术用的基底和一光接收层，后者由含硅原子锗原子的多晶材料形成的长波长光吸收层构成；一层由含硅原子作为主要原子成分的非晶材料形成的光电导层；及一层由含硅原子、碳原子和氢原子的非晶材料形成的表面层，表面层中氢原子含量为1×10-3至40原子百分比。光接收层可具有一层电荷注入阻挡层/一层接触层。

公开(公告)号：CN87102172A

公开(公告)日：1987-11-11

申请号：CN87102172

申请日：1987-01-23

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 白井茂 ,  齐藤惠志 ,  新井孝 ,  加藤富 ,  藤冈靖

IPC: G03G5/08 ,  G03G5/02 ,  G03G5/10

CPC classification number: G03G5/0825 ,  G03G5/08235 ,  G03G5/08242 ,  G03G5/08257

Abstract: 用于电子照相技术中的光接收元件，包括复印用基体和由电荷注入阻挡层、光导层和表面层组成的光接收层。其中电荷注入阻挡层由含硅原子作为主要成分的非晶态材料和一种电导率控制元素组成；光导层由含硅原子作为主要成分的非晶态材料和选自氢原子和卤素原子的至少一种元素组成；表面层由含硅原子、碳原子和卤素原子的非晶态材料组成，且表面层中氢原子的含量在(41-70)原子％范围之内。