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公开(公告)号：CN1014187B
公开(公告)日：1991-10-02
申请号：CN87102172
申请日：1987-01-23
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: G03G5/0825 , G03G5/08235 , G03G5/08242 , G03G5/08257
Abstract: 用于电子照相技术中的光接收元件，包括复印用基体和由电荷注入阻挡层、光导层和表面层组成的光接收层。其中电荷注入阻挡层由含硅原子作为主要成分的非晶态材料和一种电导率控制元素组成；光导层由含硅原子作为主要成分的非晶态材料和选自氢原子和卤素原子的至少一种元素组成；表面层由含硅原子、碳原子和卤素原子的非晶态材料组成，且表面层中氢原子的含量在(41-70)原子%范围之内。
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公开(公告)号：CN87100605A
公开(公告)日：1987-12-09
申请号：CN87100605
申请日：1987-02-07
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: G03G5/08228 , G03G5/08242
Abstract: 一个改进的光接收元件包括：一个衬底和叠加的具有光电导性的第一层的光接收层，该层由含有硅原子为主要原子成分的非晶材料构成；以及第二层由含硅原子作为主要原子成分和碳原子的非晶材料构成。该第一层含有控制在不均匀分布状态下导电性的元素；该第二层含有控制在均匀分布状态下导电性的元素。该第一层可以在整个层区或在靠近衬底的部分层区中含有均匀分布状态的锗原子。
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公开(公告)号：CN87101639A
公开(公告)日：1987-11-25
申请号：CN87101639
申请日：1987-03-03
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: G03G5/08235 , G03G5/08242 , G03G5/0825 , G03G5/08257
Abstract: 本发明提供一个改进的电子摄影术用光接收元件。它包括：一层为电子摄影术用的基底和一光接收层，后者由含硅原子锗原子的多晶材料形成的长波长光吸收层构成；一层由含硅原子作为主要原子成分的非晶材料形成的光电导层；及一层由含硅原子、碳原子和氢原子的非晶材料形成的表面层，表面层中氢原子含量为1×10-3至40原子百分比。光接收层可具有一层电荷注入阻挡层/一层接触层。
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公开(公告)号：CN87102172A
公开(公告)日：1987-11-11
申请号：CN87102172
申请日：1987-01-23
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: G03G5/0825 , G03G5/08235 , G03G5/08242 , G03G5/08257
Abstract: 用于电子照相技术中的光接收元件，包括复印用基体和由电荷注入阻挡层、光导层和表面层组成的光接收层。其中电荷注入阻挡层由含硅原子作为主要成分的非晶态材料和一种电导率控制元素组成；光导层由含硅原子作为主要成分的非晶态材料和选自氢原子和卤素原子的至少一种元素组成；表面层由含硅原子、碳原子和卤素原子的非晶态材料组成，且表面层中氢原子的含量在(41-70)原子％范围之内。
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公开(公告)号：CN1014185B
公开(公告)日：1991-10-02
申请号：CN87100556
申请日：1987-02-07
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: G03G5/08242 , G03G5/08228
Abstract: 提供了一种改进的，由基底和光接收层组成的光接收元件，光接收层由具有光导导性的第一层和第二层组成，第一层由含有作为主要组分原子的硅原子和锗原子的非晶材料构成，第二层由含有硅原子、碳原子和一种导电性控制元素的非晶材料构成；第一层中所含的锗原子在整个层区或邻接基底的部分层区内处于非均匀分布状态。第一层可在整个或部分层区内包含一或多种从导电性控制元素、氧原子和氮原子中选出的元素。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1012593B
公开(公告)日：1991-05-08
申请号：CN87102296
申请日：1987-02-05
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: G03G5/08242 , G03G5/08228 , Y10S430/146
Abstract: 一个用于电子照相的光接收元件，它由基底和在基底上的光接收层构成，光接收层由一个显示光电导性的光电导层和一个表面层构成，光电导层由在硅原子阵列中含有氢原子和卤素原子中至少一种的非结晶材料构成，而表面层由含有硅原子，碳原子和氢原子组分的非结晶材料构成，在表面层中元素组分在层的厚度方向上的分布密度是变化的，以在与光电导层的界面上获得光学带隙的匹配。表面层中氢原子最大分布密度为41-70原子%。
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公开(公告)号：CN87102296A
公开(公告)日：1987-10-21
申请号：CN87102296
申请日：1987-02-05
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: G03G5/08242 , G03G5/08228 , Y10S430/146
Abstract: 一个用于电子照相的光接收元件，它由基底和在基底上的光接收层构成。光接收层由一个显示光电导性的光电导层和一个表面层构成。光电导层由在硅原子阵列中含有氢原子和卤素原子中至少一种的非结晶材料构成。而表面层由含有硅原子、碳原子和氢原子组分的非结晶材料构成。在表面层中元素组分在层的厚度方向上的分布密度是变化的，以便在与光电导层的界面上获得光学带隙的匹配。表面层中氢原子最大分布密度为41—70原子％。
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公开(公告)号：CN1014186B
公开(公告)日：1991-10-02
申请号：CN87100605
申请日：1987-02-07
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: G03G5/08228 , G03G5/08242
Abstract: 一个改进的光接收元件包括：一个衬底和叠加的具有光电导性的第一层的光接收层，该层由含有硅原子为主要原子成分的非晶材料构成；以及第二层由含硅原子作为主要原子成分和碳原子的非晶材料构成。该第一层含有控制在不均匀分布状态下导电性的元素；该第二层含有控制在均匀分布状态下导电性的元素。该第一层可以在整个层区或在靠近衬底的部分层区中含有均匀分布状态的锗原子。
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公开(公告)号：CN1014184B
公开(公告)日：1991-10-02
申请号：CN87101639
申请日：1987-03-03
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: G03G5/08235 , G03G5/08242 , G03G5/0825 , G03G5/08257
Abstract: 提供一个改进的电子摄影术用光接收元件包括：一层为电子摄影术用的基底和一光接收层，后者由含硅原子锗原子的多晶材料形成的长波长光吸收层构成；一层由含硅原子作为主要原子成分的非晶材料形成的光电导层；及一层由含硅原子、碳原子和氢原子的非晶材料形成的表面层，表面层中氢原子含量为1×10-3至40原子百分比。光接收层可具有一层电荷注入阻挡层或/和一层接触层。
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公开(公告)号：CN1011627B
公开(公告)日：1991-02-13
申请号：CN87101883
申请日：1987-02-03
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: G03G5/0825 , G03G5/08235 , G03G5/08242 , G03G5/08257
Abstract: 一种改进的用于电子照相术的光接收元件，它包括适用于电子照相术的基底和光接收层，其中光接收层由电荷注入阻挡层、光导层、表面层等构成。电荷注入阻挡层由含有作为主要组份原子的硅原子和某种用于控制电导率并阻止从基底一侧注入电荷的元素的多晶材料形成；光导层由含有作为主要组份原子的硅原子的无定形材料形成；表面层由含有硅原子、碳原子、氢原子的无定形材料形成，且表面层中氢原子的含量为41-70atm%。光接收层中还可能包括有接触层和/或长波长光的吸收层。
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