公开(公告)号：CN1194420C

公开(公告)日：2005-03-23

申请号：CN02105899.7

申请日：2002-02-01

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 山下敏裕 ,  高井康好 ,  伊泽博司

IPC: H01L31/04 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/022425 ,  H01L31/022466 ,  H01L31/022475 ,  Y02E10/50

Abstract: 提供一种通过溅射法在形成在衬底上的半导体层上形成透明导电膜的方法，其中将电压彼此独立地分别施加于靶和衬底上，控制出现在衬底中的偏压以便仅在除了半导体层缺陷区域之外的部分上形成透明导电膜，由此抑制透明导电膜的分流并获得其优异的外观。还提供半导体层的有缺陷区域补偿方法，光电元件，和制造此光电元件的方法。

公开(公告)号：CN1383217A

公开(公告)日：2002-12-04

申请号：CN02105899.7

申请日：2002-02-01

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 山下敏裕 ,  高井康好 ,  伊泽博司

IPC: H01L31/18

CPC classification number: H01L31/022425 ,  H01L31/022466 ,  H01L31/022475 ,  Y02E10/50

Abstract: 提供一种通过溅射法在形成在衬底上的半导体层上形成透明导电膜的方法,其中将电压彼此独立地分别施加于靶和衬底上,控制出现在衬底中的偏压以便仅在除了半导体层缺陷区域之外的部分上形成透明导电膜,由此抑制透明导电膜的分流并获得其优异的外观。还提供半导体层的有缺陷区域补偿方法,光电元件,和制造此光电元件的方法。