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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1194420C
公开(公告)日：2005-03-23
申请号：CN02105899.7
申请日：2002-02-01
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H01L31/022425 , H01L31/022466 , H01L31/022475 , Y02E10/50
Abstract: 提供一种通过溅射法在形成在衬底上的半导体层上形成透明导电膜的方法，其中将电压彼此独立地分别施加于靶和衬底上，控制出现在衬底中的偏压以便仅在除了半导体层缺陷区域之外的部分上形成透明导电膜，由此抑制透明导电膜的分流并获得其优异的外观。还提供半导体层的有缺陷区域补偿方法，光电元件，和制造此光电元件的方法。
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公开(公告)号：CN1383217A
公开(公告)日：2002-12-04
申请号：CN02105899.7
申请日：2002-02-01
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L31/18
CPC classification number: H01L31/022425 , H01L31/022466 , H01L31/022475 , Y02E10/50
Abstract: 提供一种通过溅射法在形成在衬底上的半导体层上形成透明导电膜的方法,其中将电压彼此独立地分别施加于靶和衬底上,控制出现在衬底中的偏压以便仅在除了半导体层缺陷区域之外的部分上形成透明导电膜,由此抑制透明导电膜的分流并获得其优异的外观。还提供半导体层的有缺陷区域补偿方法,光电元件,和制造此光电元件的方法。
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公开(公告)号：CN1429654A
公开(公告)日：2003-07-16
申请号：CN02158805.8
申请日：2002-12-25
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: B01D53/1406 , B01D53/1412 , B01D53/1456
Abstract: 以在第1塔中的处理液不变成酸性的方式减少填充料，减少的那部分填充料转到第5塔中以便同时控制除害和析出。还有，在第1塔和第2塔之间的连接配管内部，设置多个雾化喷嘴，控制析出反应。由此，在湿式气体处理装置中，可以防止处理塔之间的连接配管内部和处理塔内部产生析出物、堵塞连接配管。
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公开(公告)号：CN1291062C
公开(公告)日：2006-12-20
申请号：CN01117434.X
申请日：2001-04-28
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H01J37/3244 , C23C16/4401 , G01M3/002
Abstract: 薄膜淀积设备或工艺，用抽气装置经抽气管道对内部可抽空的真空室抽气；在对真空室进行抽气时向真空室内送入材料气体；施加高频功率而在真空室内的衬底上淀积薄膜；温度传感器探测送入真空室的材料气体与从外部进入空气所含的氧起反应产生的反应热，依据温度传感器的测量值来检漏，从而能够停止材料气体的馈送。在薄膜淀积设备或工艺中，当因意外事故，如管道破裂，而致空气进入真空室时，能迅速检漏，因而能使用自燃性气体。
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公开(公告)号：CN1323917A
公开(公告)日：2001-11-28
申请号：CN01117434.X
申请日：2001-04-28
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H01J37/3244 , C23C16/4401 , G01M3/002
Abstract: 薄膜淀积设备或工艺,用抽气装置经抽气管道对内部可抽空的真空室抽气;在对真空室进行抽气时向真空室内送入材料气体;施加高频功率而在真空室内的衬底上淀积薄膜;温度传感器探测送入真空室的材料气体与从外部进入空气所含的氧起反应产生的反应热,依据温度传感器的测量值来检漏,从而能够停止材料气体的馈送。在薄膜淀积设备或工艺中,当因意外事故,如管道破裂,而致空气进入真空室时,能迅速检漏,因而能使用自燃性气体。
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