公开(公告)号：CN1035850C

公开(公告)日：1997-09-10

申请号：CN91103964.3

申请日：1991-05-31

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 片冈有三 ,  一濑敏彦 ,  石敬治 ,  浅羽哲朗

IPC: H01L29/40 ,  H01L29/70 ,  H01L29/772

CPC classification number: H01L29/66416 ,  H01L21/743 ,  H01L21/761 ,  H01L29/0821 ,  H01L29/41708 ,  H01L29/66272

Abstract: 一种制造包括双极晶体管的半导体器件的方法，其步骤为：形成第一导电型的第一半导体区，在第一区上形成第一导电型的第二半导体区，在第二区上形成第二导电型的第三半导体区，在第三区上形成第一导电型半导体的第四区，在第二区域内形成一个槽，在第三和第四区内形成接触孔，在槽内和第三及第四区的接触孔内分别形成在集、基和发射电极，在相应步骤中槽和接触孔分别被充满金属材料。