公开(公告)号：CN100580942C

公开(公告)日：2010-01-13

申请号：CN200710128400.0

申请日：2007-07-10

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 浦贤一郎 ,  福元嘉彦 ,  片冈有三

IPC: H01L27/146 ,  H04N5/225 ,  H04N5/335

CPC classification number: H01L27/14609 ,  H01L27/14603 ,  H01L27/14612 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14689

Abstract: 光电转换器件和具有光电转换器件的摄像系统，光电转换器件包括第一导电类型的第一半导体区；与第一半导体区的一部分一起用作光电转换元件的第二导电类型的第二半导体区；将在光电转换元件中产生的电载流子转移到第二导电类型的第三半导体区的栅电极。而且，该光电转换器件还包括将第二半导体区与同第二半导体区相邻的第二导电类型的第四半导体区电隔离的隔离区。用于将电压施加到栅电极的布线布置在隔离区上。这里，杂质浓度低于第四半导体区的第二导电类型的第五半导体区位于第四半导体区和隔离区之间。

公开(公告)号：CN101714568A

公开(公告)日：2010-05-26

申请号：CN200910252645.3

申请日：2007-07-10

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 浦贤一郎 ,  福元嘉彦 ,  片冈有三

IPC: H01L27/146 ,  H04N5/335 ,  H04N5/225

CPC classification number: H01L27/14609 ,  H01L27/14603 ,  H01L27/14612 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14689

Abstract: 本发明公开了一种制造光电转换器件的方法。光电转换器件包括第一导电类型的第一半导体区；与第一半导体区的一部分一起用作光电转换元件的第二导电类型的第二半导体区；将在光电转换元件中产生的电载流子转移到第二导电类型的第三半导体区的栅电极。而且，该光电转换器件还包括将第二半导体区与同第二半导体区相邻的第二导电类型的第四半导体区电隔离的隔离区。用于将电压施加到栅电极的布线布置在隔离区上。这里，杂质浓度低于第四半导体区的第二导电类型的第五半导体区位于第四半导体区和隔离区之间。

公开(公告)号：CN1056953A

公开(公告)日：1991-12-11

申请号：CN91103573.7

申请日：1991-05-31

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 石冢敬治 ,  片冈有三 ,  一濑敏彦 ,  高桥秀和 ,  大图逸男

IPC: H01L23/52 ,  H01L21/74 ,  H01L21/76 ,  H01L27/00

CPC classification number: H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种元件隔离及金属布线优于现有技术的半导体器件，其元件隔离结构包括形成在掺杂衬底上的元件区域、元件隔离区，以及形成在半导体基体表面上及其背面的金属布线。所述元件隔离区内形成有与金属布线相连、沿纵向延伸的金属淀积层，所述半导体基体借助于与基体导电类型相反的一层区域与所述金属布线层相绝缘。本发明的半导体器件能降低元件隔离区的阻抗、防止自锁和干扰，即使减小布线平面面积也能保证允许电流量，且能高精度地形成布线结构。

公开(公告)号：CN101714568B

公开(公告)日：2012-01-04

申请号：CN200910252645.3

申请日：2007-07-10

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 浦贤一郎 ,  福元嘉彦 ,  片冈有三

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14609 ,  H01L27/14603 ,  H01L27/14612 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14689

Abstract: 本发明公开了一种制造光电转换器件的方法。光电转换器件包括第一导电类型的第一半导体区；与第一半导体区的一部分一起用作光电转换元件的第二导电类型的第二半导体区；将在光电转换元件中产生的电载流子转移到第二导电类型的第三半导体区的栅电极。而且，该光电转换器件还包括将第二半导体区与同第二半导体区相邻的第二导电类型的第四半导体区电隔离的隔离区。用于将电压施加到栅电极的布线布置在隔离区上。这里，杂质浓度低于第四半导体区的第二导电类型的第五半导体区位于第四半导体区和隔离区之间。

公开(公告)号：CN101106149A

公开(公告)日：2008-01-16

申请号：CN200710128400.0

申请日：2007-07-10

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 浦贤一郎 ,  福元嘉彦 ,  片冈有三

IPC: H01L27/146 ,  H04N5/225 ,  H04N5/335

CPC classification number: H01L27/14609 ,  H01L27/14603 ,  H01L27/14612 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14689

Abstract: 光电转换器件和具有光电转换器件的摄像系统，光电转换器件包括第一导电类型的第一半导体区；与第一半导体区的一部分一起用作光电转换元件的第二导电类型的第二半导体区；将在光电转换元件中产生的电载流子转移到第二导电类型的第三半导体区的栅电极。而且，该光电转换器件还包括将第二半导体区与同第二半导体区相邻的第二导电类型的第四半导体区电隔离的隔离区。用于将电压施加到栅电极的布线布置在隔离区上。这里，杂质浓度低于第四半导体区的第二导电类型的第五半导体区位于第四半导体区和隔离区之间。

公开(公告)号：CN1035850C

公开(公告)日：1997-09-10

申请号：CN91103964.3

申请日：1991-05-31

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 片冈有三 ,  一濑敏彦 ,  石敬治 ,  浅羽哲朗

IPC: H01L29/40 ,  H01L29/70 ,  H01L29/772

CPC classification number: H01L29/66416 ,  H01L21/743 ,  H01L21/761 ,  H01L29/0821 ,  H01L29/41708 ,  H01L29/66272

Abstract: 一种制造包括双极晶体管的半导体器件的方法，其步骤为：形成第一导电型的第一半导体区，在第一区上形成第一导电型的第二半导体区，在第二区上形成第二导电型的第三半导体区，在第三区上形成第一导电型半导体的第四区，在第二区域内形成一个槽，在第三和第四区内形成接触孔，在槽内和第三及第四区的接触孔内分别形成在集、基和发射电极，在相应步骤中槽和接触孔分别被充满金属材料。

公开(公告)号：CN1021862C

公开(公告)日：1993-08-18

申请号：CN91103573.7

申请日：1991-05-31

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 石敬治 ,  片冈有三 ,  一濑敏彦 ,  高桥秀和 ,  大图逸男

IPC: H01L21/76 ,  H01L23/522 ,  H01L27/04

CPC classification number: H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种元件隔离及金属布线优于现有技术的半导体器件，其元件隔离结构包括形成在掺杂衬底上的元件区域、元件隔离区，以及形成在半导体基体表面上及其背面的金属布线。所述元件隔离区内形成有与金属布线相连、沿纵向延伸的金属淀积层，所述半导体基体借助于与基体导电类型相反的一层区域与所述金属布线层相绝缘。本发明的半导体器件能降低元件隔离区的阻抗、防止自锁和干扰，即使减小布线平面面积也能保证允许电流量，且能高精度地形成布线结构。

公开(公告)号：CN1059234A

公开(公告)日：1992-03-04

申请号：CN91103964.3

申请日：1991-05-31

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 片冈有三 ,  一濑敏彦 ,  石敬治 ,  浅羽哲朗

IPC: H01L29/40 ,  H01L29/70 ,  H01L29/784

CPC classification number: H01L29/66416 ,  H01L21/743 ,  H01L21/761 ,  H01L29/0821 ,  H01L29/41708 ,  H01L29/66272

Abstract: 一种含有双极晶体管的半导体器件，设置含有第1导电型的第1半导体区与第1导电型的比前述第1半导区还高的电阻率的第2半导体区的收集区、含有第2导电型的半导体区的基区以及含有第1导电型半导体区的发射区。在该收集区的上述第2半导体区层内，设置了连接上述第1半导体区与上述收集区上面的收集极的金属层区。