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公开(公告)号：CN118541876A
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN202280083505.1
申请日：2022-10-21
Applicant: 国立大学法人东北大学 , 国立研究开发法人情报通信研究机构 , 信越化学工业株式会社
IPC: H01Q23/00 , C01B32/184 , H01L21/338 , H01L29/778 , H01L29/812 , H01P11/00 , H01Q1/38
Abstract: 提供一种适合用于从数10GHz至100GHz以上的信号频带的天线模块。所述天线模块包括：其中至少最上表面为碳化硅的单晶的基板；设置为与基板的最上面接触的单晶石墨烯层；和设置在基板上的氮化镓层。该天线模块的特征在于，通过将石墨烯层中未被氮化镓层覆盖的区域图案化而形成的天线元件部、在氮化镓层上形成的有源元件部、和连接天线元件部和有源元件部的连接部一体地形成。
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公开(公告)号：CN110140192B
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN201780081147.X
申请日：2017-12-06
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 提供一种在300℃的工艺后也能保持高电阻的复合基板、和复合基板的制造方法。本发明的复合基板的特征在于，其通过在压电材料基板上贴合晶格间氧浓度为2～10ppma的硅(Si)晶片作为支撑基板、在贴合后对压电材料基板进行减薄而制作。压电材料基板特别优选设为钽酸锂晶片(LT)基板或铌酸锂(LN)基板。
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公开(公告)号：CN110301033B
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN201880012091.7
申请日：2018-02-15
Applicant: 信越化学工业株式会社 , CUSIC股份有限公司
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明为化合物半导体层叠基板，是将为包含A和B作为构成元素的相同组成、具有相同的原子排列的2张单晶的化合物半导体基板直接贴合层叠而成的基板，其特征在于，该层叠基板的表面背面为包含A或B的同种的原子的极性面，层叠界面为包含B或A中的任一者的原子之间的键合、并且它们的晶格匹配的单极性的反相位区域边界面。由此，使化合物半导体层叠基板的表面背面的极性面成为单一极性，使半导体元件的工序设计变得容易，同时无需施加复杂的基板加工，可制造低成本、高性能、稳定的半导体元件。
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公开(公告)号：CN108140541B
公开(公告)日：2022-11-11
申请号：CN201680052889.5
申请日：2016-09-09
Applicant: 信越化学工业株式会社 , CUSIC股份有限公司
Abstract: 本发明提供SiC复合基板的制造方法，是在多晶SiC基板11上具有单晶SiC层12的SiC复合基板10的制造方法，其特征在于，在表面和背面具有氧化硅膜21a的由Si构成的保持基板21的表面设置单晶SiC层12而制作了单晶SiC层负载体14后，将该单晶SiC层负载体14中的保持基板21的背面的部分区域或整面的氧化硅膜21a的厚度的一部分或全部除去，对单晶SiC层负载体14'赋予翘曲，接下来在单晶SiC层12上采用化学气相沉积法沉积多晶SiC而形成多晶SiC基板11，然后将上述保持基板21以物理和/或化学方式除去。根据本发明，采用简便的制造工艺得到在具有结晶性良好的单晶SiC层的同时翘曲小的SiC复合基板。
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公开(公告)号：CN110366611A
公开(公告)日：2019-10-22
申请号：CN201880014716.3
申请日：2018-03-01
Applicant: 信越化学工业株式会社 , CUSIC股份有限公司
IPC: C30B29/36 , H01L21/205
Abstract: 本发明为碳化硅基板的制造方法，具有：准备在由碳、硅或碳化硅构成的母材基板1a的两面设置包含氧化硅、氮化硅、氮化碳化硅或硅化物的被覆层1b、1b并使该被覆层1b、1b表面成为平滑面的支承基板1的工序；在所述支承基板1的两面采用气相生长法或液相生长法形成多晶碳化硅的膜10的工序；将所述支承基板1中至少被覆层1b、1b以化学方式除去，在使被覆层1b、1b表面的平滑性反映于表面的状态下将多晶碳化硅的膜从该支承基板1分离，作为晶粒直径为10nm以上且10μm以下、至少一个主面的算术平均粗糙度Ra为0.3nm以下的碳化硅基板10a、10b得到该多晶碳化硅的膜的工序。由此实现表面平滑且平坦并且内部应力也减小的碳化硅基板。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110140192A
公开(公告)日：2019-08-16
申请号：CN201780081147.X
申请日：2017-12-06
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 提供一种在300℃的工艺后也能保持高电阻的复合基板、和复合基板的制造方法。本发明的复合基板的特征在于，其通过在压电材料基板上贴合晶格间氧浓度为2～10ppma的硅(Si)晶片作为支撑基板、在贴合后对压电材料基板进行减薄而制作。压电材料基板特别优选设为钽酸锂晶片(LT)基板或铌酸锂(LN)基板。
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公开(公告)号：CN108140540A
公开(公告)日：2018-06-08
申请号：CN201680049584.9
申请日：2016-09-07
Applicant: 信越化学工业株式会社 , CUSIC股份有限公司
Abstract: 本发明提供SiC复合基板的制造方法，其为在多晶SiC基板11上具有单晶SiC层12的SiC复合基板10的制造方法，其中，在由Si构成的保持基板21的单面设置单晶SiC层12而制作了单晶SiC层负载体14后，在该单晶SiC层12上采用物理的或化学的手段沉积多晶SiC，制作在保持基板21上将单晶SiC层12和多晶SiC基板11层叠的SiC层叠体15，然后以物理方式和/或化学方式将上述保持基板21除去。根据本发明，采用简便的制造方法得到具有结晶性良好的单晶SiC层的SiC复合基板。
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公开(公告)号：CN108138358A
公开(公告)日：2018-06-08
申请号：CN201680052879.1
申请日：2016-09-09
Applicant: 信越化学工业株式会社 , CUSIC股份有限公司
Abstract: 本发明提供SiC复合基板的制造方法，是在多晶SiC基板11上具有单晶SiC层12的SiC复合基板10的制造方法，其特征在于，在由Si构成的保持基板21的单面设置单晶SiC层12而制作了单晶SiC层负载体14后，在该单晶SiC层12上采用化学气相沉积法沉积多晶SiC而制作在保持基板21'上将单晶SiC层12和厚度t的多晶SiC基板11层叠的SiC层叠体15时，进行将单晶SiC层负载体14加热至低于1414℃而只沉积厚度t的一部分的多晶SiC，接着升温到1414℃以上而边将保持基板21的至少一部分熔融边进一步沉积多晶SiC直至成为厚度t后进行冷却，然后将保持基板21'以物理和/或化学方式除去。根据本发明，用简便的制造工艺得到在具有结晶性良好的单晶SiC层的同时翘曲小的SiC复合基板。
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公开(公告)号：CN103676460A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201310394876.4
申请日：2013-09-03
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 提供一种在减轻入射EUV光的减少的同时，有具有高强度的的EUV用防尘薄膜组件。本发明为一种具有用网格形状的结构体加固的EUV透过膜的EUV用防尘薄膜组件，其特征在于∶所述网格形状的结构体的纵截面形状（高度方向截面形状）为越远离EUV透过膜，前端越细的形状。
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公开(公告)号：CN102687272A
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN201080059990.6
申请日：2010-12-27
Applicant: 信越化学工业株式会社
Inventor： 秋山昌次
IPC: H01L27/12 , H01L21/02 , H01L21/336 , H01L29/786
CPC classification number: H01L21/86 , H01L21/76254 , H01L29/78603 , H01L29/78657
Abstract: 提供一种应力减小的SOS基板。该SOS基板是包括蓝宝石基板和在该蓝宝石基板上或上方的单晶硅膜的蓝宝石上硅(SOS)基板。在该SOS基板的整个平面区域上，通过拉曼位移方法测得的该SOS基板的硅膜的应力为2.5×108Pa或更小。
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