公开(公告)号：CN119351980B

公开(公告)日：2025-05-06

申请号：CN202411919600.8

申请日：2024-12-25

Applicant: 甬江实验室

Inventor： 孔祥鹏 ,  邬苏东 ,  云腾 ,  夏岳

IPC: C23C16/01 ,  C23C16/02 ,  C23C16/27 ,  C23C16/511 ,  C30B23/02 ,  C30B29/02 ,  C30B33/02

Abstract: 本发明涉及一种自支撑的金刚石膜的制备方法，包括：在Au衬底的（111）晶面上制备磷烯层，然后在磷烯层上制备金刚石膜，冷却后取出，使磷烯层发生降解，剥离掉Au衬底，得到自支撑的金刚石膜。本发明的制备方法中，由于Au具有优异的延展性，而金刚石很坚硬，所以在降温过程中可以逐渐释放应力，确保金刚石膜不会碎裂，且得到的金刚石膜几乎不存在应力；另外，由于Au质地软，在降温的过程中Au衬底会发生破裂，漏出磷烯层，所以产物取出后，磷烯层会与水、氧气等反应，发生降解，最终使Au衬底自动剥离，不需要使用浓硝酸与氢氟酸，不仅安全、环保，而且快捷方便。

公开(公告)号：CN115483308B

公开(公告)日：2025-04-29

申请号：CN202210926073.8

申请日：2022-08-03

Applicant: 广东工业大学

Inventor： 杨玉珏 ,  李鑫 ,  王瀚宇 ,  霍能杰 ,  董华锋 ,  张欣 ,  吴福根

IPC: H10F71/00 ,  H10F30/222 ,  C23C14/00 ,  C23C14/06 ,  C23C16/01 ,  C23C16/30 ,  B82Y15/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明涉及一种碲纳米线/二硫化铼的混维偏振光电探测器及其制备方法，该光电探测器包括衬底，设置于衬底上的薄层ReS2，设置于薄层ReS2上的碲纳米线，该薄层ReS2上和碲纳米线的一端分别设置有电极层，且该薄层ReS2选用优化后的CVD工艺生长，碲纳米线选用PVD工艺生长，薄层ReS2和碲纳米线经PVD/PDMS干法转移技术转移至目标衬底上，形成一维/二维的混维异质结；在异质结两端设置金属电极，制成偏振光电探测器。该探测器表现出优良的伏效应，动态光响应时间约20ms，并且表现出优越的偏振敏感光检测性能，各向异性光电流比达2.7。

公开(公告)号：CN119082810A

公开(公告)日：2024-12-06

申请号：CN202411209217.3

申请日：2024-08-30

Applicant: 东北林业大学

Inventor： 戴贵鑫 ,  李健 ,  郭艳玲

IPC: C25D1/08 ,  C23C18/16 ,  C23C14/20 ,  C23C14/58 ,  C23C16/01 ,  C23C16/06 ,  C23C16/56

Abstract: 一种具有梯度成分比例的合金空心微点阵材料的制备方法，涉及金属空心微点阵制备技术领域。方法：将金属空心微点阵材料的模板进行表面预处理，采用表面沉积技术将金属预镀层沉积到产物A上，得到产物B；在产物B的表面制备多层次交替梯度沉积的多层金属层，并去除产物A，得到产物C；将产物C进行热扩散合金处理，得到具有梯度成分比例的合金空心微点阵材料，该合金空心微点阵材料为铜锡合金空心微点阵材料或NiFeCuCo合金空心微点阵材料。本发明可获得一种具有梯度成分比例的合金空心微点阵材料的制备方法。

公开(公告)号：CN119040850A

公开(公告)日：2024-11-29

申请号：CN202411132410.1

申请日：2024-08-19

Applicant: 陕西科技大学

Inventor： 赵亚娟 ,  李亚龙 ,  王浩林 ,  石梁 ,  马倩

IPC: C23C16/34 ,  C23C16/30 ,  C23C16/01 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明公开了一种二硒化钼/氮化硼异质结薄膜材料及其制备方法，制备方法包括：对铜箔进行电化学抛光以及一次退火；用硼胺烷作为前驱体在Cu衬底上进行氮化硼薄层的生长，在Cu衬底上沉积得到氮化硼薄层；利用聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)苯甲醚溶液涂覆h‑BN膜，以3000r/min的转速通过典型的电化学分层方法将其转移到SiO2/Si上；将三氧化钼置于反应舟中，将硒粉置于反应容器中，反应舟和反应容器均置于石英玻璃管内，将制备的氮化硼/SiO2/Si放置于与气流方向垂直的位置，进行二硒化钼沉积，即得到具有强光致发光效应的二硒化钼/氮化硼垂直异质结薄膜材料；设备操作简单，维护成本低，灵活性强，制备的异质结污染很少。

公开(公告)号：CN118731418A

公开(公告)日：2024-10-01

申请号：CN202410749995.5

申请日：2024-06-12

Applicant: 厦门大学 ,  昆山厦大创新中心

Inventor： 吴雅苹 ,  张宗南 ,  康俊勇 ,  李书平 ,  吴志明 ,  李煦

IPC: G01Q30/20 ,  C23C16/01 ,  C23C16/56 ,  C23C16/30 ,  B32B38/10 ,  B32B37/10 ,  B32B37/06

Abstract: 本发明属于显微分析技术领域，具体公开了一种适用于扫描探针显微分析的层状材料转移方法，包括以下步骤：将PDMS薄膜平整地贴合于初始生长衬底上的待转移的层状材料表面，获得PDMS薄膜/层状材料/初始生长衬底，随后将其抽真空；将获得的PDMS薄膜/层状材料/初始生长衬底置于去离子水中浸泡，随后在去离子水中将PDMS薄膜/层状材料与初始生长衬底剥离；将获得的PDMS薄膜/层状材料拾取并贴合于目标衬底，得到PDMS薄膜/层状材料/目标衬底，随后将其抽真空；将获得的PDMS薄膜/层状材料/目标衬底加热后，趁热将PDMS薄膜剥离，获得层状材料/目标衬底，实现单一的层状材料转移至目标衬底。同时采用本发明还可以实现界面高质量的层状材料同质结或异质结的制备。

公开(公告)号：CN118727141A

公开(公告)日：2024-10-01

申请号：CN202410371685.4

申请日：2024-03-29

Applicant: 罗姆股份有限公司

Inventor： 高村诚 ,  前川拓滋 ,  森本满

IPC: C30B28/12 ,  C30B29/36 ,  C23C16/32 ,  C23C16/26 ,  C23C16/56 ,  C23C16/01 ,  C23C16/34 ,  H01L29/16 ,  H01L29/872 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明的课题在于提供一种低成本且高品质的半导体基板及其制造方法、半导体装置及其制造方法。作为解决方法的半导体基板的制造方法为：在SiC单晶基板(11)的Si面形成石墨烯层(12)，在石墨烯层(12)上形成SiC外延生长层(13)，在SiC外延生长层(13)上形成应力层(14)，在应力层(14)上粘贴石墨基板(19)，将SiC外延生长层(13)和石墨烯层(12)剥离，在剥离了石墨烯层(12)的SiC外延生长层(13)的C面形成SiC多晶生长层(16)，去除石墨基板(19)，应力层(14)产生在石墨烯层(12)与SiC外延生长层(13)之间剥离变得容易的应力。

公开(公告)号：CN115038825B

公开(公告)日：2024-08-30

申请号：CN202080095445.6

申请日：2020-12-17

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 渡部武纪 ,  桥上洋

IPC: C30B29/16 ,  C23C16/01 ,  C23C16/40 ,  C23C16/56 ,  C30B25/18 ,  C30B33/00 ,  H01L21/365 ,  H01L21/368

Abstract: 本发明提供一种结晶性氧化物半导体膜的制造方法，该方法包括以下工序：在衬底上层叠结晶性氧化物半导体层及光吸收层，通过对该光吸收层照射光，使所述光吸收层分解，将所述结晶性氧化物半导体层与所述衬底分离，由此制造结晶性氧化物半导体膜的工序。由此，本发明提供一种能够有利于工业上制造结晶性氧化物半导体膜、例如能够用于半导体装置(特别是纵向型的元件)的结晶性氧化物半导体膜的方法。

公开(公告)号：CN115928042B

公开(公告)日：2024-05-28

申请号：CN202211435828.0

申请日：2022-11-16

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 贺鑫 ,  邓军 ,  宋钊 ,  聂祥 ,  刘志彬 ,  于雪彦 ,  赵宇辰

IPC: C23C16/26 ,  C01B32/186 ,  C23C16/01 ,  C23C16/02 ,  C30B23/00 ,  C30B29/02 ,  C30B33/04 ,  C30B33/12 ,  H01L21/02

Abstract: 一种提高溅射制备的金属催化薄层质量的方法属于半导体光电集成领域。本发明提出了一种只需对溅射制备的催化金属薄层做进一步低温工艺处理就能提升其质量，实现高质量石墨烯催化生长的方法。将溅射制备的催化金属薄层放入ICP中，通过优化控制参数，利用Ar+对金属薄层表面的轰击，实现金属薄层表面的重构，提升单晶化，减少缺陷，同时利用Cl‑的微刻蚀作用，进一步降低金属薄层表面的粗糙度，从而实现石墨烯大面积低温原位图形化制备。新方法最大的优点是实现了石墨烯与Si基电路光电集成中全低温制备石墨烯工艺，并与现行的CMOS工艺兼容，同时避免了石墨烯层因转移工艺引起的沾污，褶皱和破损。

公开(公告)号：CN114585771B

公开(公告)日：2024-04-30

申请号：CN202080073357.6

申请日：2020-12-22

Applicant: 六号元素技术有限公司

Inventor： B·威克哈姆 ,  I·福里尔

IPC: C23C16/27 ,  C23C16/511 ,  C23C16/458 ,  C23C16/01 ,  H04R7/02 ,  H04R7/12 ,  H04R31/00

Abstract: 非平面化学气相沉积多晶金刚石体具有圆顶体，该圆顶体具有顶点和外周边。该圆顶体具有在4mm至25mm范围内的平均曲率半径和不大于26mm的圆顶体的外周边处最大线性尺寸。该平均曲率半径不小于该外周边处最大线性尺寸的0.6倍。还公开了制造高非平面金刚石体的方法。

公开(公告)号：CN117660902A

公开(公告)日：2024-03-08

申请号：CN202211088910.0

申请日：2022-09-07

Applicant: 新奥科技发展有限公司

Inventor： 于晶茹 ,  赵冠超 ,  田小让 ,  李全

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/08 ,  C23C16/01 ,  C23C16/40

Abstract: 本公开涉及一种脱膜剂及其制备方法和应用。本公开以所述脱膜剂的总质量为100％计，所述脱膜剂的组成成分中包括30‑90wt％的B2O3。本公开提供的脱膜剂厚度为300‑400nm，表面平整均匀，可快速溶于水，在该硼脱膜剂上生长硼膜，保证了晶体结构、热膨胀系数及化学性质的一致性，能够制备出均匀、低应力、纯度高、厚度大的高质量自支撑硼核靶，同时还可以制备其他不与硼脱膜剂反应的自支撑核靶。