公开(公告)号：CN116941046A

公开(公告)日：2023-10-24

申请号：CN202280017872.1

申请日：2022-03-15

Applicant: 凸版印刷株式会社

Inventor： 今村千寻 ,  伊藤学

IPC: H01L29/786

Abstract: 薄膜晶体管的栅极绝缘层由第一栅极绝缘膜和第二栅极绝缘膜构成，所述第一栅极绝缘膜由有机高分子化合物或有机无机复合材料构成，所述第二栅极绝缘膜由选自氧化硅、氮化硅、氧氮化硅及氧化铝中的任一种构成且被第一栅极绝缘膜和半导体层夹持。第一栅极绝缘膜的厚度为100nm以上且1500nm以下，第一栅极绝缘膜的厚度与杨氏模量之积为300nm·GPa以上且30000nm·GPa以下。第二栅极绝缘膜的厚度为2nm以上且30nm以下，第二栅极绝缘膜的厚度与杨氏模量之积为100nm·GPa以上且9000nm·GPa以下。

公开(公告)号：CN103975441B

公开(公告)日：2017-06-09

申请号：CN201280052807.9

申请日：2012-09-20

Applicant: 凸版印刷株式会社

Inventor： 今村千寻 ,  伊藤学

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/1335 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49

CPC classification number: H01L27/127 ,  G02F1/1362 ,  G02F1/136286 ,  G02F2001/136295 ,  G02F2202/107 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1255 ,  H01L29/7869 ,  H01L33/42

Abstract: 本发明通过使栅极电极(1)和电容器电极(2)为两层结构，使与绝缘基板(0)相接的第一层(1a、2a)为ITO，使与栅极绝缘层(3)相接的第二层(1b、2b)为金属氧化物层，能够形成具有高透光性和高导电性的栅极电极(1)和电容器电极(2)。因此，通过使用这样的栅极电极(1)和电容器电极(2)，能够提高薄膜晶体管的透光性，并且能够提高利用该薄膜晶体管的图像显示装置的显示性能。

公开(公告)号：CN116783714A

公开(公告)日：2023-09-19

申请号：CN202280011292.1

申请日：2022-02-07

Applicant: 凸版印刷株式会社

Inventor： 今村千寻 ,  伊藤学 ,  田中幸一

IPC: H01L29/786

Abstract: 栅极绝缘层由第一栅极绝缘膜(21)和第二栅极绝缘膜(22)构成，所述第一栅极绝缘膜(21)覆盖支撑面的第二部分和栅极电极层且由有机高分子化合物构成，所述第二栅极绝缘膜(22)被第一栅极绝缘膜(21)和半导体层(13)夹持且由无机硅化合物构成。第二栅极绝缘膜(22)的厚度为2nm以上且30nm以下，第二栅极绝缘膜(22)的氢含量为5at％以上且13at％以下，由此可提高针对柔性基板的弯曲的薄膜晶体管的电耐久性。

公开(公告)号：CN103975441A

公开(公告)日：2014-08-06

申请号：CN201280052807.9

申请日：2012-09-20

Applicant: 凸版印刷株式会社

Inventor： 今村千寻 ,  伊藤学

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/1335 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49

CPC classification number: H01L27/127 ,  G02F1/1362 ,  G02F1/136286 ,  G02F2001/136295 ,  G02F2202/107 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1255 ,  H01L29/7869 ,  H01L33/42

Abstract: 本发明通过使栅极电极(1)和电容器电极(2)为两层结构，使与绝缘基板(0)相接的第一层(1a、2a)为ITO，使与栅极绝缘层(3)相接的第二层(1b、2b)为金属氧化物层，能够形成具有高透光性和高导电性的栅极电极(1)和电容器电极(2)。因此，通过使用这样的栅极电极(1)和电容器电极(2)，能够提高薄膜晶体管的透光性，并且能够提高利用该薄膜晶体管的图像显示装置的显示性能。