薄膜晶体管以及薄膜晶体管的制造方法

    公开(公告)号:CN116783714A

    公开(公告)日:2023-09-19

    申请号:CN202280011292.1

    申请日:2022-02-07

    Abstract: 栅极绝缘层由第一栅极绝缘膜(21)和第二栅极绝缘膜(22)构成,所述第一栅极绝缘膜(21)覆盖支撑面的第二部分和栅极电极层且由有机高分子化合物构成,所述第二栅极绝缘膜(22)被第一栅极绝缘膜(21)和半导体层(13)夹持且由无机硅化合物构成。第二栅极绝缘膜(22)的厚度为2nm以上且30nm以下,第二栅极绝缘膜(22)的氢含量为5at%以上且13at%以下,由此可提高针对柔性基板的弯曲的薄膜晶体管的电耐久性。

    液晶显示装置及其制造方法

    公开(公告)号:CN102736331A

    公开(公告)日:2012-10-17

    申请号:CN201210107246.X

    申请日:2012-04-12

    CPC classification number: G02F1/133707

    Abstract: 本发明提供一种液晶显示装置及其制造方法。实施方式的液晶显示装置具有阵列基板和对置基板夹着液晶层而对置的构成。阵列基板具备:第1电极、第2电极以及取向维持层。第1电极是梳齿状,并且与有源元件电连接。第2电极是隔着第1电极和绝缘层形成的,并且是梳齿状,在梳齿的排列方向上包含相对于第1电极露出的部分。取向维持层形成于与液晶层接触的面上,并且在梳齿的排列方向上沿着第2电极相对于第1电极露出的方向对液晶赋予预倾角。

    薄膜晶体管以及薄膜晶体管的制造方法

    公开(公告)号:CN116941046A

    公开(公告)日:2023-10-24

    申请号:CN202280017872.1

    申请日:2022-03-15

    Abstract: 薄膜晶体管的栅极绝缘层由第一栅极绝缘膜和第二栅极绝缘膜构成,所述第一栅极绝缘膜由有机高分子化合物或有机无机复合材料构成,所述第二栅极绝缘膜由选自氧化硅、氮化硅、氧氮化硅及氧化铝中的任一种构成且被第一栅极绝缘膜和半导体层夹持。第一栅极绝缘膜的厚度为100nm以上且1500nm以下,第一栅极绝缘膜的厚度与杨氏模量之积为300nm·GPa以上且30000nm·GPa以下。第二栅极绝缘膜的厚度为2nm以上且30nm以下,第二栅极绝缘膜的厚度与杨氏模量之积为100nm·GPa以上且9000nm·GPa以下。

    液晶显示装置及其制造方法

    公开(公告)号:CN102736331B

    公开(公告)日:2015-08-05

    申请号:CN201210107246.X

    申请日:2012-04-12

    CPC classification number: G02F1/133707

    Abstract: 本发明提供一种液晶显示装置及其制造方法。实施方式的液晶显示装置具有阵列基板和对置基板夹着液晶层而对置的构成。阵列基板具备:第1电极、第2电极以及取向维持层。第1电极是梳齿状,并且与有源元件电连接。第2电极是隔着第1电极和绝缘层形成的,并且是梳齿状,在梳齿的排列方向上包含相对于第1电极露出的部分。取向维持层形成于与液晶层接触的面上,并且在梳齿的排列方向上沿着第2电极相对于第1电极露出的方向对液晶赋予预倾角。

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