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公开(公告)号：CN103140920B
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201180047023.2
申请日：2011-09-21
Applicant: 凸版印刷株式会社
IPC: H01L21/336 , G02F1/1368 , G02F1/167 , G09F9/30 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/7869 , G02F1/167 , H01L27/1225 , H01L29/4908 , H01L29/66742 , H01L29/66969 , H01L29/78606
Abstract: 一种薄膜晶体管，在绝缘基板上至少包括：栅电极；栅极绝缘层；源电极；漏电极；包含半导体区和绝缘区的金属氧化物层，半导体区和绝缘区中的每一个由相同的金属氧化物材料组成；和绝缘保护层。半导体区包括在源电极与漏电极之间的区域，且其覆盖源电极和漏电极中的每一个的一部分。半导体区形成在栅极绝缘层与绝缘保护层之间以与它们中的至少一层邻接。该半导体的电导率高于绝缘区的电导率。
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公开(公告)号：CN103140920A
公开(公告)日：2013-06-05
申请号：CN201180047023.2
申请日：2011-09-21
Applicant: 凸版印刷株式会社
IPC: H01L21/336 , G02F1/1368 , G02F1/167 , G09F9/30 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/7869 , G02F1/167 , H01L27/1225 , H01L29/4908 , H01L29/66742 , H01L29/66969 , H01L29/78606
Abstract: 提供一种可以高质量且低成本制造的薄膜晶体管、制造该薄膜晶体管的方法以及装备有该薄膜晶体管的图像显示装置。一种薄膜晶体管，在绝缘基板上至少包括：栅电极；栅极绝缘层；源电极；漏电极；包含半导体区和绝缘区的金属氧化物层，半导体区和绝缘区中的每一个由相同的金属氧化物材料组成；和绝缘保护层。半导体区包括在源电极与漏电极之间的区域，且其覆盖源电极和栅电极中的每一个的一部分。半导体区形成在栅极绝缘层与绝缘保护层之间以与栅极绝缘层和绝缘保护层中的至少一层邻接。与半导体区邻接的栅极绝缘层或绝缘保护层的一部分中含有的氢原子浓度设定在1X1020/cm3至5X1022/cm3的范围内，包括端点值。不与半导体区邻接的栅极绝缘层或绝缘保护层的另一部分中含有的氢原子浓度设定为低于1X1020/cm3。
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公开(公告)号：CN102576507A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201080042815.6
申请日：2010-09-21
Applicant: 凸版印刷株式会社
IPC: G09F9/30 , G02F1/1368 , G02F1/167 , H01L21/28 , H01L21/336 , H01L21/768 , H01L23/522 , H01L27/32 , H01L29/417 , H01L29/786 , H01L51/05 , H01L51/50 , H05B33/12
CPC classification number: H01L27/3248 , G02F1/1368 , H01L27/1225 , H01L27/124 , H01L27/3258 , H01L27/3262 , H01L29/41733 , H01L29/66765
Abstract: 本发明涉及有源矩阵基板以及图像显示装置，该有源矩阵基板由于漏电极和像素电极容易连接且半导体电路和滤色器容易对位，所以成品率高、且开口率高。本发明的有源矩阵基板，其特征在于，是以薄膜晶体管(101)构成像素、排列多个该像素而形成的有源矩阵基板，所述薄膜晶体管(101)在基板(1)上具有栅极电极(2)、栅极电极(2)上的栅极绝缘层(4)、栅极绝缘层(4)上的半导体活性层(5)、与半导体活性层(5)连接的源电极(7)和漏电极(8)、与漏电极(8)连接的像素电极(10)、和用于将源电极(7)和像素电极(10)绝缘的层间绝缘层(9)；以将半导体活性层(5)分为二个露出区域的方式在半导体活性层上形成保护膜(6)，在该两个露出区域的一方源电极(7)与半导体活性层(5)连接，在另一方漏电极(8)与半导体活性层(5)连接，漏电极(8)在保护膜(6)上与像素电极(10)连接。
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公开(公告)号：CN102576507B
公开(公告)日：2015-08-05
申请号：CN201080042815.6
申请日：2010-09-21
Applicant: 凸版印刷株式会社
IPC: G09F9/30 , G02F1/1368 , G02F1/167 , H01L21/28 , H01L21/336 , H01L21/768 , H01L23/522 , H01L27/32 , H01L29/417 , H01L29/786 , H01L51/05 , H01L51/50 , H05B33/12
CPC classification number: H01L27/3248 , G02F1/1368 , H01L27/1225 , H01L27/124 , H01L27/3258 , H01L27/3262 , H01L29/41733 , H01L29/66765
Abstract: 本发明涉及有源矩阵基板以及图像显示装置，该有源矩阵基板由于漏电极和像素电极容易连接且半导体电路和滤色器容易对位，所以成品率高、且开口率高。本发明的有源矩阵基板，其特征在于，是以薄膜晶体管(101)构成像素、排列多个该像素而形成的有源矩阵基板，所述薄膜晶体管(101)在基板(1)上具有栅极电极(2)、栅极电极(2)上的栅极绝缘层(4)、栅极绝缘层(4)上的半导体活性层(5)、与半导体活性层(5)连接的源电极(7)和漏电极(8)、与漏电极(8)连接的像素电极(10)、和用于将源电极(7)和像素电极(10)绝缘的层间绝缘层(9)；以将半导体活性层(5)分为二个露出区域的方式在半导体活性层上形成保护膜(6)，在该两个露出区域的一方源电极(7)与半导体活性层(5)连接，在另一方漏电极(8)与半导体活性层(5)连接，漏电极(8)在保护膜(6)上与像素电极(10)连接。
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