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公开(公告)号：CN104300047A
公开(公告)日：2015-01-21
申请号：CN201410535513.2
申请日：2014-10-11
Applicant: 北京工业大学
CPC classification number: H01L33/02 , H01L33/0075 , H01L33/06 , H01L33/32 , H01L2933/0008
Abstract: 一种Si基GaN的LED结构及其制作方法，该其结构依次包括Si衬底、第一高温AlN、组分渐变AlGaN或AlN/GaN超晶格、第二高温AlN、GaN非掺杂层、P型接触层、高温P型GaN层、P型电子阻挡层、多量子阱层、N型GaN层；所述第一高温AlN、组分渐变AlGaN或AlN/GaN超晶格、第二高温AlN4组成的三明治结构缓冲层。本发明中三明治缓冲层结构以夹心层形成裂纹的形式来缓解结构材料与Si衬底之间的晶格失配和热失配，同时在衬底剥离之后，在P型GaN表面形成光线的漫反射区从而有效提高氮化镓基发光二极管的发光效率。
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公开(公告)号：CN104300057A
公开(公告)日：2015-01-21
申请号：CN201410535523.6
申请日：2014-10-11
Applicant: 北京工业大学
CPC classification number: H01L33/10 , H01L33/005 , H01L33/145 , H01L2933/0008
Abstract: 一种高亮度GaN发光二极管器件的制作方法，该发明在P型氮化镓上制备电流阻挡层的同时制备了金属反射镜材料体系，从而在减少电极下方电流集中注入的现象同时，还可以使入射到电极体系上的部分光线反射回发光二级管内部。取外延结构；运用光刻办法，在外延结构的P型氮化镓上制作光刻胶掩膜形成N型台阶；采用蒸镀或溅射方法制作金属反射层，将电极位置以外的金属层剥离掉，形成金属反射层；运用等离子体增强化学气相沉积方法，在金属反射层上形成电流阻挡层；采用腐蚀液将没有光刻胶掩膜部分的透明导电薄膜去除后形成透明导电薄膜；蒸镀或溅射方法制作金属层形成金属电极；在外延片表面制作一层薄膜材料。
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公开(公告)号：CN104300052A
公开(公告)日：2015-01-21
申请号：CN201410535508.1
申请日：2014-10-11
Applicant: 北京工业大学
CPC classification number: H01L33/06 , H01L33/0075 , H01L33/26 , H01L2933/0008
Abstract: 一种石墨烯结构的LED芯片结构及其制备方法，在衬底上外延成核层、非掺杂GaN层、N型掺杂GaN层、InGaN/GaN多量子阱结构；外延生长多量子阱结构后，终止生长，采用P型掺杂石墨烯层代替传统的P型GaN外延层；在P型掺杂石墨烯层上制备P电极，刻蚀至N型掺杂GaN层，在其上制备N电极；所述P电极对应设置在P型掺杂石墨烯层上；对所述外延片进行刻蚀，在N型掺杂GaN层上制作N电极。本发明可以避免InGaN/GaN多量子阱结构后升温生长P-GaN所带来的In组分布不均匀，有利于提高波长均匀性；避免P-GaN外延生长，降低成本，提高产能；采用高透光、高电导率的石墨烯超薄层作为P型电流扩展层，可以有效的提高光出射效率，提高外量子效率。
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公开(公告)号：CN104282812A
公开(公告)日：2015-01-14
申请号：CN201410536347.8
申请日：2014-10-11
Applicant: 北京工业大学
CPC classification number: H01L33/0066 , H01L33/005 , H01L33/12 , H01L2933/0008
Abstract: 一种具有p型缓冲层的GaN基绿光LED结构及其生长方法，由下至上依次包括蓝宝石衬底层、GaN成核层、非掺杂GaN层、n型GaN层、低温InxGa1-xN/GaN多量子阱层和高温p型GaN层，其特点是在低温InxGa1-xN/GaN多量子阱层与高温p型GaN层之间生长p型缓冲层。本发明的该p型缓冲层由多层组分渐变的p型InyGa1-yN薄层组成，生长温度由下至上逐渐增加。相比于传统外延结构，本发明可有效地实现温度渐变，降低高温p型GaN层生长时对低温InGaN量子阱结构的破坏，提高外延片的抗静电能力，从而降低芯片击穿率，提高芯片发光效率。
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公开(公告)号：CN104300061A
公开(公告)日：2015-01-21
申请号：CN201410536321.3
申请日：2014-10-11
Applicant: 北京工业大学
CPC classification number: H01L33/14 , H01L33/005 , H01L33/12 , H01L33/32 , H01L2933/0008
Abstract: 一种具有新型的P型电子阻挡层结构的发光二极管及生长方法，其为LED外延结构，从下向上的顺序依次包括衬底、低温GaN缓冲层、GaN非掺杂层、N型GaN层、多量子阱层、N型或者非故意掺杂GaN电子阻挡层、高温P型GaN层、P型接触层；将衬底进行高温清洁处理进行氮化处理；所述GaN非掺杂层生长结束后，生长一层掺杂浓度稳定的N型GaN层；所述N型GaN层生长结束后，生长多量子阱层；所述多量子阱层生长结束后，生长阻挡层低温P型GaN层；生长P型接触层；外延生长结束后，降至室温即得LED外延结构，随后，经过清洗、沉积、光刻和刻蚀加工工艺制成单颗小尺寸芯片。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104300060A
公开(公告)日：2015-01-21
申请号：CN201410535822.X
申请日：2014-10-11
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L33/12
CPC classification number: H01L33/12
Abstract: 一种具有组分渐变缓冲层的绿光LED结构，包括蓝宝石衬底层、GaN成核层、非掺杂GaN层、高温n型GaN层、InxGa1-xN/GaN多量子阱层和p型GaN层，其特点是在高温n型GaN层与InxGa1-xN/GaN多量子阱层之间设置一低温组分渐变n型InyGa1-yN缓冲层。通过设置该缓冲层可以缓解InGaN多量子阱发光层所受到的应力，从而提高量子阱结构层的晶体质量，降低非辐射复合，增加绿光LED的发光效率。
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公开(公告)号：CN104300053A
公开(公告)日：2015-01-21
申请号：CN201410535949.1
申请日：2014-10-11
Applicant: 北京工业大学
CPC classification number: H01L33/06 , H01L33/005 , H01L33/32 , H01L2933/0008
Abstract: 本发明涉及一种ITO结构的LED芯片结构及其制备方法，在衬底上外延成核层、非掺杂GaN层、N型掺杂GaN层、InGaN/GaN多量子阱结构；外延生长多量子阱结构后，终止生长，采用P型掺杂ITO层代替传统的P型GaN外延层；在P型掺杂ITO层上制备P电极，刻蚀至N型掺杂GaN层，在其上制备N电极；所述P电极对应设置在P型掺杂ITO层上；对所述外延片进行刻蚀，在N型掺杂GaN层上制作N电极。本发明可以避免InGaN/GaN多量子阱结构后升温生长P-GaN所带来的In组分布不均匀，有利于提高波长均匀性；避免P-GaN外延生长，降低成本，提高产能；采用高透光、高电导率的ITO超薄层作为P型电流扩展层，可以有效的提高光出射效率，提高外量子效率。
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公开(公告)号：CN203933529U
公开(公告)日：2014-11-05
申请号：CN201420136083.2
申请日：2014-03-24
Applicant: 北京工业大学
IPC: H02S40/22
CPC classification number: Y02E10/52
Abstract: 一种全息聚光分光太阳能发电模块，其特征在于，包括：全息聚光透镜（1）、一个或多个分光镜（2）、光伏电池组合；其中：所述全息聚光透镜（1）位于光线的入射端；所述一个或多个分光镜（2）位于光线入射端与光伏电池组合之间的光路上；所述光伏电池组合包括多个光伏电池，并且分别位于所述分光镜（2）的透射光和反射光的聚焦面上。
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