公开(公告)号：CN107004743B

公开(公告)日：2019-07-02

申请号：CN201580060595.2

申请日：2015-10-22

Applicant: 斯坦雷电气株式会社 ,  国立大学法人东京大学

Inventor： 十川博行 ,  杉山正和 ,  M·玛尼施

IPC: H01L33/24 ,  H01L33/32

CPC classification number: H01L33/06 ,  H01L33/0025 ,  H01L33/08 ,  H01L33/12 ,  H01L33/24 ,  H01L33/32

Abstract: 一种半导体发光元件，该半导体发光元件包括：第一半导体层，该第一半导体层具有第一导电类型；发光功能层，该发光功能层包括形成在所述第一半导体层上的发光层；以及第二半导体层，该第二半导体层形成在所述发光功能层上并且具有与所述第一半导体层相反的导电类型。所述发光层包括：基底层，该基底层具有从所述第一半导体层经受应力应变的这种组分，并且具有形成为像随机网格的多个基底区段；以及量子阱结构层，该量子阱结构层由至少一个量子阱层和至少一个势垒层组成，所述至少一个量子阱层以嵌入所述基底层的方式形成。所述基底层具有多个子基底层，所述多个子基底层由具有相互不同的Al组分的AlGaN构成。

公开(公告)号：CN107004738B

公开(公告)日：2019-06-28

申请号：CN201580067072.0

申请日：2015-10-01

Applicant: 索尼公司

Inventor： 渡部义昭 ,  河角孝行

IPC: H01L33/06 ,  H01L33/14 ,  G02B26/10

CPC classification number: H01L33/0045 ,  G02B26/10 ,  G09G3/025 ,  G09G3/32 ,  G09G2320/0233 ,  H01L33/06 ,  H01L33/20 ,  H01L33/30 ,  H01L33/32

Abstract: 该半导体发光元件具有：第一导电层、第二导电层以及设置在第一导电层和第二导电层之间的有源层。第一导电层具有电流狭窄结构，在电流狭窄结构中形成狭窄电流注入区域。有源层具有多个量子阱层并且形成为使得与多个量子阱层中的第一量子阱层的发光复合能级能隙对应的第一发光波长包括在整个发光光谱的强度峰值的波长范围内，第一量子阱层设置在最接近所述电流狭窄结构的位置处。

公开(公告)号：CN105874265B

公开(公告)日：2019-06-18

申请号：CN201480069442.X

申请日：2014-12-16

Applicant: 亮锐控股有限公司

Inventor： M.J.G.埃尔青加 ,  P.S.马丁

IPC: F21S41/141 ,  F21S45/47 ,  F21S41/30 ,  F21V23/00 ,  F21V23/06 ,  F21W102/13 ,  F21Y115/10

CPC classification number: F21K9/235 ,  F21K9/23 ,  F21S41/147 ,  F21S41/192 ,  F21S41/321 ,  F21S41/36 ,  F21S41/37 ,  F21S41/47 ,  F21S45/40 ,  F21S45/47 ,  F21V7/00 ,  F21V23/003 ,  F21V23/06 ,  F21V29/87 ,  F21Y2101/00 ,  F21Y2111/00 ,  H01L25/0753 ,  H01L33/32 ,  H01L33/502 ,  H01L33/56 ,  H01L33/58 ,  H01L33/60 ,  H01L33/62 ,  H01L33/647 ,  H01L2224/48247

Abstract: 一种LED灯泡（10）包括金属引线框（50），第一LED管芯（14）的低光束组、第二LED管芯（16）的高光束组以及第三LED管芯（16）的高光束组直接安装在该金属引线框上。引线框（50）是弯曲的，使得第一LED管芯（14）面向上，并且第二和第三LED管芯（16）面向侧面且在相反的方向上。导热的不透明塑料体围绕引线框成型，并且暴露LED管芯。该塑料体包括光阻特征（26、32、40），以使得第一LED管芯（14）的光发射模式被限制在横向和垂直方向上以用于头灯的低光束。光阻特征也使得第二和第三LED管芯（16）的光发射模式被更少地限制横向和垂直方向上以用于头灯的更高光束。

公开(公告)号：CN105977354B

公开(公告)日：2019-05-21

申请号：CN201610140279.2

申请日：2016-03-11

Applicant: 同和电子科技有限公司

Inventor： 藤田武彦 ,  渡边康弘

IPC: H01L33/14 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/32 ,  H01L33/007 ,  H01L33/145

Abstract: 本发明课题在于提供具有高寿命的第III族氮化物半导体发光元件及其制造方法。第III族氮化物半导体发光元件(1)的特征在于，其依次具备n型半导体层(32)、至少包含Al的发光层(40)、以及依次层叠有电子阻挡层(51)和p型包层(152)和p型接触层(53)的p型半导体层(150)，电子阻挡层(51)为AlxGa1‑xN(0.55≤x≤1.0)、p型接触层(53)为AlyGa1‑yN(0≤y≤0.1)、p型包层(152)为AlzGa1‑zN、Al组成z在p型包层(152)的整个厚度范围从电子阻挡层(51)侧向p型接触层(53)侧递减，p型包层(152)的Al组成z的厚度方向的减少率为0.01/nm以上且0.025/nm以下。

公开(公告)号：CN109417111A

公开(公告)日：2019-03-01

申请号：CN201780038448.4

申请日：2017-06-20

Applicant: LG伊诺特有限公司

Inventor： 朴修益 ,  成演准 ,  金珉成 ,  李容京 ,  李恩得

IPC: H01L33/02 ,  H01L33/36 ,  H01L33/22 ,  H01L33/62 ,  H01L33/10 ,  H01L33/00 ,  H01L33/38 ,  H01L33/20

CPC classification number: H01L33/382 ,  H01L33/22 ,  H01L33/32 ,  H01L33/385 ,  H01L33/387 ,  H01L33/405 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2933/0016 ,  H01L2924/00014

Abstract: 实施例公开了一种半导体器件，包括：发光结构，该发光结构包括第一导电半导体层、第二导电半导体层和设置在第一导电半导体层和第二导电半导体层之间的有源层，以及穿过第二导电半导体层和有源层并设置为延伸到第一导电半导体层的一部分的多个凹槽；设置在多个凹槽内并与第一导电半导体层电连接的多个第一电极；以及与第二导电半导体层电连接的第二电极，其中，多个第一电极和第一导电半导体层接触的第一面积与第二电极和第二导电半导体层接触的第二面积的比例(第一面积：第二面积)范围是从1：3至1:10。

公开(公告)号：CN109037408A

公开(公告)日：2018-12-18

申请号：CN201810927204.8

申请日：2018-08-15

Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司

Inventor： 刘英策 ,  刘兆 ,  李俊贤 ,  魏振东 ,  邬新根

IPC: H01L33/10 ,  H01L33/12 ,  H01L33/32 ,  H01L33/14 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/10 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/12 ,  H01L33/14 ,  H01L33/32

Abstract: 本发明公开了一倒装发光芯片及其制造方法，其中所述倒装发光芯片包括一衬底和自所述衬底依次生长的一N型半导体层、一有源区、一P型半导体层、一反射层、一阻挡层、一粘结层、一第一绝缘层、一扩展电极层、一第二绝缘层、一N型电极和一P型电极，所述第一绝缘层具有至少一第一通道和至少一第二通道，所述扩展电极层的一第一扩展电极部和一第二扩展电极部分别层叠于所述第一绝缘层，并经所述第一通道延伸至所述N型半导体层和经所述第二通道延伸至所述阻挡层，其中所述第二绝缘层具有至少一第三通道和至少一第四通道，其中所述N型电极经所述第三通道延伸至所述第一扩展电极部，所述P型电极经所述第四通道延伸至所述第二扩展电极部。

公开(公告)号：CN109037407A

公开(公告)日：2018-12-18

申请号：CN201810874009.3

申请日：2018-08-03

Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司

Inventor： 邬新根 ,  刘英策 ,  李俊贤 ,  魏振东

IPC: H01L33/10 ,  H01L33/32 ,  H01L33/36 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/10 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/32 ,  H01L33/36

Abstract: 本发明公开了一半导体发光芯片及其制造方法，其中所述半导体发光芯片包括一衬底和自所述衬底依次生长的一N型半导体层、一有源区、一P型半导体层、一反射层、至少两绝缘层、一防扩散层以及一电极组，其中一个所述绝缘层环绕在所述反射层的内侧，另一个所述绝缘层环绕在所述反射层的外侧，并且所述绝缘层隔离所述防扩散层和所述P型半导体层，其中所述电极组包括一N型电极和一P型电极，其中所述N型电极被电连接于所述N型半导体层，所述P型电极被电连接于所述P型半导体层。

公开(公告)号：CN109037267A

公开(公告)日：2018-12-18

申请号：CN201810698277.4

申请日：2018-06-29

Applicant: 天津工业大学

Inventor： 刘宏伟 ,  于丹丹 ,  牛萍娟 ,  王迪

IPC: H01L27/15 ,  H01L33/00 ,  H01L33/06 ,  H01L33/10 ,  H01L33/32

CPC classification number: H01L33/06 ,  H01L27/156 ,  H01L33/007 ,  H01L33/10 ,  H01L33/32

Abstract: 本发明公开了一种金属光子晶体耦合增强nano‑LED阵列及制造方法，自下而上包括：Si衬底、Ni/Au金属阵列和p电极连接线、nano‑LED阵列、n型GaN层、Ti/Au金属层；nano‑LED阵列结构自下而上包括：Ni/Au金属层、Ag金属层、p型GaN层、量子阱层、量子阱层上的n型GaN层；每个nano‑LED单体有单独的p接触，所有nano‑LED单体共用一个n接触；Ag金属层在阵列中构成Ag金属光子晶体，利用光子禁带和金属表面等离激元的性质增强发光效率，表面等离激元由Ag金属层产生；中间部分为倒装结构，利用Ag金属光子晶体的反射镜作用减少了底部衬底的吸收。该专利大幅度提高发光效率。

公开(公告)号：CN104241469B

公开(公告)日：2018-11-23

申请号：CN201410259008.X

申请日：2014-06-11

Applicant: LG伊诺特有限公司

Inventor： 文用泰 ,  林贤哲

IPC: H01L33/06 ,  H01L33/32 ,  H01L33/20

CPC classification number: H01L33/32 ,  H01L33/0008 ,  H01L33/04 ,  H01L33/06 ,  H01L33/14

Abstract: 公开了一种发光器件及照明系统。该发光器件包括：第一导电半导体层(112)；在第一导电半导体层(112)上的包括量子阱(114w)和量子势垒(114b)的有源层(114)；在有源层(114)上的无掺杂最后势垒层(127)；在无掺杂最后势垒层(127)上的AlxInyGa(1‑x‑y)N(0≤x≤1，0≤y≤1)基层(128)；以及在AlxInyGa(1‑x‑y)N基层(128)上的第二导电半导体层(116)。

公开(公告)号：CN108831978A

公开(公告)日：2018-11-16

申请号：CN201810374038.3

申请日：2018-04-24

Applicant: 华灿光电(苏州)有限公司

Inventor： 苏晨 ,  王慧 ,  吕蒙普 ,  胡加辉 ,  李鹏

IPC: H01L33/32 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/32 ,  H01L33/007

Abstract: 本发明公开了一种发光二极管外延片及其制造方法，属于半导体技术领域。发光二极管外延片包括衬底、以及依次层叠在衬底上的缓冲层、未掺杂的GaN层、N型层、有源层和P型层，其中有源层包括N个周期交替生长的BxIn1.5xGa1-2.5xN阱层和GaN垒层，0＜x＜1，1≤N，BxIn1.5xGa1-2.5xN阱层中B组分和In组分的比值为2:3，可以使得BxIn1.5xGa1-2.5xN阱层和GaN垒层的晶格常数相匹配，提高有源层的晶体质量，同时每层BxIn1.5xGa1-2.5xN阱层的厚度为4～20nm，相比于现有的厚度为2～4nm的InGaN阱层，厚度更厚，可以提高有源层中载流子的浓度，减轻LED的droop效应，从而提高LED的发光效率。