在中空硫球表面包覆聚吡咯的方法

    公开(公告)号:CN108878838A

    公开(公告)日:2018-11-23

    申请号:CN201810693326.5

    申请日:2018-06-29

    Abstract: 本发明涉及一种在中空硫球表面包覆聚吡咯的方法,属于锂硫电池正极材料领域。本发明以包覆在中空硫球表面的MnO2作为氧化剂引发吡咯在中空硫球和溶液固液界面原位聚合。在该反应中,先合成中空硫球,然后通过简单的高锰酸钾溶液氧化在硫球表面包覆MnO2,最后利用MnO2在稀盐酸中的强氧化性,在中空硫球和溶液固液界面原位均匀包覆聚吡咯。本发明相比于传统的直接将氧化剂加到液相中引发吡咯聚合的包覆方法,能使吡咯有效均匀地包覆在中空硫球表面。

    在中空硫球表面包覆聚吡咯的方法

    公开(公告)号:CN108878838B

    公开(公告)日:2020-06-05

    申请号:CN201810693326.5

    申请日:2018-06-29

    Abstract: 本发明涉及一种在中空硫球表面包覆聚吡咯的方法,属于锂硫电池正极材料领域。本发明以包覆在中空硫球表面的MnO2作为氧化剂引发吡咯在中空硫球和溶液固液界面原位聚合。在该反应中,先合成中空硫球,然后通过简单的高锰酸钾溶液氧化在硫球表面包覆MnO2,最后利用MnO2在稀盐酸中的强氧化性,在中空硫球和溶液固液界面原位均匀包覆聚吡咯。本发明相比于传统的直接将氧化剂加到液相中引发吡咯聚合的包覆方法,能使吡咯有效均匀地包覆在中空硫球表面。

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