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公开(公告)号：CN108598005B
公开(公告)日：2021-05-07
申请号：CN201810410340.X
申请日：2018-05-02
Applicant: 华东师范大学
IPC: H01L21/34 , H01L21/477 , H01L29/786
Abstract: 本发明公开了一种低亚阈值摆幅的氧化铟薄膜晶体管的制备方法，属于半导体薄膜晶体管制备技术领域。该方法采用原子层淀积（ALD）设备，在重掺杂硅衬底上沉积一层氧化铝薄膜，再采用旋涂的方式，将硝酸铟的水溶液均匀涂覆在氧化铝薄膜上，100‑150℃预热10 min后，置于高压汞灯下方10cm处进行1.5 h的光退火，使硝酸铟分解成氧化铟。最后用热蒸发的方式，将铝电极蒸镀到氧化铟薄膜上，得到了具有低亚阈值摆幅的薄膜晶体管。本发明优化了现有的氧化铟薄膜晶体管制备技术，成本低廉，操作简便，材料环保，因采用高压汞灯进行光退火，使得氧化铟薄膜在100℃以下就能制备，且得到的薄膜晶体管亚阈值摆幅较低，工作性能优异。
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公开(公告)号：CN109037031B
公开(公告)日：2021-11-19
申请号：CN201810754806.8
申请日：2018-07-11
Applicant: 华东师范大学
IPC: H01L21/02 , H01L29/786 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开了一种掺镍氧化铜薄膜晶体管及制备方法，本发明通过制备前驱体溶液、将前驱体溶液旋涂在重掺杂硅片上形成掺镍氧化铜薄膜、利用掩膜版在掺镍氧化铜薄膜上制备金属源及漏电极，完成背栅结构晶体管即p型薄膜晶体管的制备。本发明背栅结构晶体管的性能较氧化铜薄膜晶体管的性能有明显提升。本发明制备的掺镍氧化铜薄膜具有薄膜质量高，载流子散射降低，空穴传输能力高，空穴的散射少的优点，使薄膜与介电层以及电极的接触界面质量得以提高，从而达到提高薄膜晶体管的迁移率的目的。
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公开(公告)号：CN108598005A
公开(公告)日：2018-09-28
申请号：CN201810410340.X
申请日：2018-05-02
Applicant: 华东师范大学
IPC: H01L21/34 , H01L21/477 , H01L29/786
Abstract: 本发明公开了一种低亚阈值摆幅的氧化铟薄膜晶体管的制备方法，属于半导体薄膜晶体管制备技术领域。该方法采用原子层淀积（ALD）设备，在重掺杂硅衬底上沉积一层氧化铝薄膜，再采用旋涂的方式，将硝酸铟的水溶液均匀涂覆在氧化铝薄膜上，100-150℃预热10 min后，置于高压汞灯下方10cm处进行1.5 h的光退火，使硝酸铟分解成氧化铟。最后用热蒸发的方式，将铝电极蒸镀到氧化铟薄膜上，得到了具有低亚阈值摆幅的薄膜晶体管。本发明优化了现有的氧化铟薄膜晶体管制备技术，成本低廉，操作简便，材料环保，因采用高压汞灯进行光退火，使得氧化铟薄膜在100℃以下就能制备，且得到的薄膜晶体管亚阈值摆幅较低，工作性能优异。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107012441B
公开(公告)日：2023-04-21
申请号：CN201710358616.X
申请日：2017-05-19
Applicant: 华东师范大学
IPC: C23C14/52
Abstract: 本发明公开了一种用于热蒸发镀膜仪的防污染窗口，包括凝结舱、猫眼、半导体制冷器及扫动模块，所述凝结舱内设置了制冷器座、扫动模块座、扫动杆腔及风道，将半导体制冷器的导冷片设于风道内，使喇叭口周边降温，金属蒸汽则凝结在喇叭口四周，阻碍其凝结在曲面镜上。将观察孔分为猫眼孔及喇叭口两段，并将猫眼设于猫眼孔内；将扫动模块的摇杆设于凝结舱的扫动杆腔内，且摇杆上的毛刷扫刷在猫眼的曲面镜及喇叭端口上，以清除少量没有凝结在喇叭口四周且靠近曲面镜的金属蒸汽；本发明有效地提高了热蒸发镀膜仪窗口的整洁度及清晰度，使实验人员能够随时随地并且长时间地观察蒸发容器中金属熔化的情况，控制打开挡板的最佳时机，确保完成高质量的镀膜。
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公开(公告)号：CN112908852A
公开(公告)日：2021-06-04
申请号：CN202110028416.4
申请日：2021-01-11
Applicant: 华东师范大学
IPC: H01L21/336 , H01L29/786 , H01L29/24
Abstract: 本发明公开了一种铪掺杂氧化铟薄膜晶体管及其制备方法，其晶体管为N型氧化铟薄膜晶体管具有底栅顶接触结构。其制备方法首先在具有二氧化硅热氧化层的重掺杂硅衬底上通过溶胶凝胶法旋涂一层铪掺杂氧化铟半导体有源层，然后在150℃的加热板上预退火10 min以蒸干溶剂，再放入290℃的加热板上退火结晶30 min，最后利用掩膜版在半导体层上镀一层60 nm左右的铝作为源极和漏极，得到了具有高偏压稳定性、低亚阈值摆幅的氧化铟晶体管。本发明提升了底栅顶接触结构的氧化铟薄膜晶体管的电学性能，优化了现有的氧化铟薄膜晶体管制备技术，与传统的氧化铟晶体管相比，该晶体管具有更高的偏压稳定性和更低的亚阈值摆幅。
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公开(公告)号：CN109037031A
公开(公告)日：2018-12-18
申请号：CN201810754806.8
申请日：2018-07-11
Applicant: 华东师范大学
IPC: H01L21/02 , H01L29/786 , H01L21/336
CPC classification number: H01L21/02381 , H01L21/02565 , H01L21/02584 , H01L21/02628 , H01L29/66969 , H01L29/7869
Abstract: 本发明公开了一种掺镍氧化铜薄膜晶体管及制备方法，本发明通过制备前驱体溶液、将前驱体溶液旋涂在重掺杂硅片上形成掺镍氧化铜薄膜、利用掩膜版在掺镍氧化铜薄膜上制备金属源及漏电极，完成背栅结构晶体管即p型薄膜晶体管的制备。本发明背栅结构晶体管的性能较氧化铜薄膜晶体管的性能有明显提升。本发明制备的掺镍氧化铜薄膜具有薄膜质量高，载流子散射降低，空穴传输能力高，空穴的散射少的优点，使薄膜与介电层以及电极的接触界面质量得以提高，从而达到提高薄膜晶体管的迁移率的目的。
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公开(公告)号：CN107012441A
公开(公告)日：2017-08-04
申请号：CN201710358616.X
申请日：2017-05-19
Applicant: 华东师范大学
IPC: C23C14/52
CPC classification number: C23C14/52
Abstract: 本发明公开了一种用于热蒸发镀膜仪的防污染窗口，包括凝结舱、猫眼、半导体制冷器及扫动模块，所述凝结舱内设置了制冷器座、扫动模块座、扫动杆腔及风道，将半导体制冷器的导冷片设于风道内，使喇叭口周边降温，金属蒸汽则凝结在喇叭口四周，阻碍其凝结在曲面镜上。将观察孔分为猫眼孔及喇叭口两段，并将猫眼设于猫眼孔内；将扫动模块的摇杆设于凝结舱的扫动杆腔内，且摇杆上的毛刷扫刷在猫眼的曲面镜及喇叭端口上，以清除少量没有凝结在喇叭口四周且靠近曲面镜的金属蒸汽；本发明有效地提高了热蒸发镀膜仪窗口的整洁度及清晰度，使实验人员能够随时随地并且长时间地观察蒸发容器中金属熔化的情况，控制打开挡板的最佳时机，确保完成高质量的镀膜。
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公开(公告)号：CN206887220U
公开(公告)日：2018-01-16
申请号：CN201720561768.5
申请日：2017-05-19
Applicant: 华东师范大学
IPC: C23C14/52
Abstract: 本实用新型公开了一种用于热蒸发镀膜仪的防污染窗口，包括凝结舱、猫眼、半导体制冷器及扫动模块，所述凝结舱内设置了制冷器座、扫动模块座、扫动杆腔及风道，将半导体制冷器的导冷片设于风道内，使喇叭口周边降温，金属蒸汽则凝结在喇叭口四周，阻碍其凝结在曲面镜上。将观察孔分为猫眼孔及喇叭口两段，并将猫眼设于猫眼孔内；将扫动模块的摇杆设于凝结舱的扫动杆腔内，且摇杆上的毛刷扫刷在猫眼的曲面镜及喇叭端口上，以清除少量没有凝结在喇叭口四周且靠近曲面镜的金属蒸汽；本实用新型有效地提高了热蒸发镀膜仪窗口的整洁度及清晰度，使实验人员能够随时随地并且长时间地观察蒸发容器中金属熔化的情况，控制打开挡板的最佳时机，确保完成高质量的镀膜。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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