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公开(公告)号：CN108288672A
公开(公告)日：2018-07-17
申请号：CN201810038537.5
申请日：2018-01-16
Applicant: 华东师范大学
Abstract: 本发明公开了一种有机薄膜晶体管的制备方法，该器件包括：衬底、源漏电极、半导体层、绝缘层以及栅电极。衬底上方通过热蒸镀的方法形成固定高度的源漏电极，所述源漏电极上方通过旋涂的方式先后涂有半导体层以及绝缘层，最后通过掩膜板在器件的沟道位置镀上栅电极。本发明通过改变半导体溶液的浓度以及旋涂的转速，获得了与源漏电极高度相匹配的半导体层厚度，以保证底接触结构的有机晶体管最大的电极电荷注入面积，同时在不影响器件的迁移率的情况下，最小化器件的亚阈值摆幅、阈值电压以及接触电阻。本发明不仅优化了有机薄膜晶体管的电学参数，同时可以降低半导体材料的使用成本。
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公开(公告)号：CN107991733A
公开(公告)日：2018-05-04
申请号：CN201610968602.5
申请日：2016-10-27
Applicant: 华东师范大学
IPC: G02B6/02
CPC classification number: G02B6/02328
Abstract: 本发明公开了一种金属毛细管/二氧化锗电介质膜中远红外空芯光纤的制备方法，包括：配制二氧化锗的碱性水溶液，并用酸调节pH值；将溶液注入金属毛细管中，封闭金属毛细管的两端，放置在支架上并保持缓慢转动，在金属毛细管内液相沉积制备二氧化锗电介质膜；去除金属毛细管两端的封闭物倒出溶液；室温下向金属毛细管内吹入洁净的氮气或空气，干燥期间持续通入洁净的氮气或空气；结束干燥后得到金属毛细管/二氧化锗电介质膜中远红外空芯光纤。本发明还公开了一种金属毛细管/二氧化锗电介质膜中远红外空芯光纤。本发明所提出的中远红外空芯光纤以金属毛细管为主体结构，韧性好，机械强度高，且低损耗窗口位置随氧化锗介质膜的厚度改变。
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公开(公告)号：CN106841038A
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：CN201710176551.7
申请日：2017-03-23
Applicant: 华东师范大学
Abstract: 本发明公开了一种基于椭球结构的气体光谱测试装置，包括入射光处理单元、出射光处理单元及椭球测量单元；本发明借助光在椭圆球体结构内的传播特性，将出射光位置和感光器位置分别定在椭球测量单元的左焦点及右焦点上，并在左焦点右侧设置凹透镜，在右焦点上设置电荷耦合元件，凹透镜发出的光经过椭球测量单元的镜面多角度发散，通过气体样品后并反射入电荷耦合元件处，保证了经过椭球测量单元内气体样品的光程固定，该结构提高了测量的可重复再现性，做到了对气体样品等光程且多角度的光谱测量，具有结构简单，成本低，监测结果精准的优点。
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公开(公告)号：CN107012441B
公开(公告)日：2023-04-21
申请号：CN201710358616.X
申请日：2017-05-19
Applicant: 华东师范大学
IPC: C23C14/52
Abstract: 本发明公开了一种用于热蒸发镀膜仪的防污染窗口，包括凝结舱、猫眼、半导体制冷器及扫动模块，所述凝结舱内设置了制冷器座、扫动模块座、扫动杆腔及风道，将半导体制冷器的导冷片设于风道内，使喇叭口周边降温，金属蒸汽则凝结在喇叭口四周，阻碍其凝结在曲面镜上。将观察孔分为猫眼孔及喇叭口两段，并将猫眼设于猫眼孔内；将扫动模块的摇杆设于凝结舱的扫动杆腔内，且摇杆上的毛刷扫刷在猫眼的曲面镜及喇叭端口上，以清除少量没有凝结在喇叭口四周且靠近曲面镜的金属蒸汽；本发明有效地提高了热蒸发镀膜仪窗口的整洁度及清晰度，使实验人员能够随时随地并且长时间地观察蒸发容器中金属熔化的情况，控制打开挡板的最佳时机，确保完成高质量的镀膜。
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公开(公告)号：CN113964270A
公开(公告)日：2022-01-21
申请号：CN202111118708.3
申请日：2021-09-24
Applicant: 华东师范大学
Abstract: 本发明公开了一种化学无电镀电极的柔性有机薄膜晶体管及制备方法，其制备是通过表面离子交换和喷墨掩膜图形化技术，在聚亚酰胺薄膜上原位生长银源/漏电极，然后依次旋涂有机P型半导体和介电材料，最后热蒸镀银电极，得到化学无电镀电极的柔性有机薄膜晶体管。相比于传统工艺制备的有机薄膜晶体管，经本发明工艺制备的柔性有机薄膜晶体管，亚阈值摆幅改良了近55%，阈值电压优化了近42%，提升了柔性有机薄膜晶体管的性能。此外，本发明制备的器件在弯曲半径达1.4mm和弯曲循环次数为1000次（弯曲半径为2.5 mm）的过程中，器件的电学性能均保持稳定。本发明制备的器件加工温度低，成本低，适合工业化批量生产，在柔性和可穿戴电子设备领域有很大的潜力。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110888025B
公开(公告)日：2021-11-19
申请号：CN201911183220.1
申请日：2019-11-27
Applicant: 华东师范大学 , 广西电网有限责任公司电力科学研究院
Abstract: 本发明公开了一种基于机器学习的GIS设备故障判断方法，适用于变电站分析GIS故障设备中六氟化硫（SF6）分解物组分与设备故障的对应关系，并通过建立模型实现对GIS设备的故障判断以及实时监控。通过运用该方法在已有训练样本集的基础上，运行维护人员可以根据测试样本的SF6气体分解物组分判断其对应的GIS设备故障放电能量大小以及绝缘缺陷类型。且由本发明训练得出的判断模型不仅可以兼容不同环境下的样本数据，同时对于多种故障放电并存的现象也可以较好地识别。这将有利于电网系统更加精确地预知放电的故障类型，及时定位检修，以维护GIS的稳定运行。
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公开(公告)号：CN112908852A
公开(公告)日：2021-06-04
申请号：CN202110028416.4
申请日：2021-01-11
Applicant: 华东师范大学
IPC: H01L21/336 , H01L29/786 , H01L29/24
Abstract: 本发明公开了一种铪掺杂氧化铟薄膜晶体管及其制备方法，其晶体管为N型氧化铟薄膜晶体管具有底栅顶接触结构。其制备方法首先在具有二氧化硅热氧化层的重掺杂硅衬底上通过溶胶凝胶法旋涂一层铪掺杂氧化铟半导体有源层，然后在150℃的加热板上预退火10 min以蒸干溶剂，再放入290℃的加热板上退火结晶30 min，最后利用掩膜版在半导体层上镀一层60 nm左右的铝作为源极和漏极，得到了具有高偏压稳定性、低亚阈值摆幅的氧化铟晶体管。本发明提升了底栅顶接触结构的氧化铟薄膜晶体管的电学性能，优化了现有的氧化铟薄膜晶体管制备技术，与传统的氧化铟晶体管相比，该晶体管具有更高的偏压稳定性和更低的亚阈值摆幅。
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公开(公告)号：CN112349593A
公开(公告)日：2021-02-09
申请号：CN202011163303.7
申请日：2020-10-27
Applicant: 华东师范大学
IPC: H01L21/34 , H01L29/786 , H01L29/43 , H01L29/417 , H01L29/24
Abstract: 本发明公开了一种石墨烯为源漏电极的二维薄膜晶体管及制备方法，所述二维晶体管属于底栅顶接触型晶体管。其制备方法首先使用机械剥离法用英格兰蓝色胶带从二维材料块材上剥离薄膜到Gelpak机械剥离专用PF凝胶膜，选择合适厚度且表面均匀的材料转移到硅/二氧化硅衬底上作为N型半导体沟道层。再剥离两块石墨烯薄膜分别转移到半导体层两端作为源、漏电极，最后利用掩模版通过热蒸发法蒸镀金电极，由此制备得到所述二维薄膜晶体管。本发明区别于其他二维器件制备工艺，无需复杂昂贵的电子束光刻，所用材料安全环保，成本低廉，不仅得到了以二维材料为源漏电极和沟道的微电子器件，而且从迁移率、开关比等方面优化了现有的二维晶体管。
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公开(公告)号：CN108288672B
公开(公告)日：2020-01-07
申请号：CN201810038537.5
申请日：2018-01-16
Applicant: 华东师范大学
Abstract: 本发明公开了一种有机薄膜晶体管的制备方法，该器件包括：衬底、源漏电极、半导体层、绝缘层以及栅电极。衬底上方通过热蒸镀的方法形成固定高度的源漏电极，所述源漏电极上方通过旋涂的方式先后涂有半导体层以及绝缘层，最后通过掩膜板在器件的沟道位置镀上栅电极。本发明通过改变半导体溶液的浓度以及旋涂的转速，获得了与源漏电极高度相匹配的半导体层厚度，以保证底接触结构的有机晶体管最大的电极电荷注入面积，同时在不影响器件的迁移率的情况下，最小化器件的亚阈值摆幅、阈值电压以及接触电阻。本发明不仅优化了有机薄膜晶体管的电学参数，同时可以降低半导体材料的使用成本。
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公开(公告)号：CN110129721A
公开(公告)日：2019-08-16
申请号：CN201910343684.8
申请日：2019-04-26
Applicant: 华东师范大学
Abstract: 本发明公开了一种用于铁磁性掩膜版的热蒸发镀膜器基板，包括圆形罩壳、按钮开关、磁力单元及圆形载物盘，本发明采用在圆形载物盘上设置一个圆形罩壳，在圆形罩壳内设置了按钮开关及磁力单元；在热蒸发镀膜时，将样品置于圆形载物盘上，将铁磁性掩膜版置于样品上对准，开启按钮开关，磁力单元工作，将铁磁性掩膜版连同样品吸附在圆形载物盘上，将圆形载物盘置于热蒸发镀膜器上，实施对样品的热蒸发镀膜，克服了胶带粘贴的繁琐工艺，避免了对蒸汽镀薄膜样品的损伤，具有结构简单、使用方便、掩膜版与样品贴合度高的优点。
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