公开(公告)号：CN102916340A

公开(公告)日：2013-02-06

申请号：CN201210370711.9

申请日：2012-09-29

Applicant: 南京大学

Inventor： 周亚亭 ,  陈向飞

IPC: H01S5/12

Abstract: 本发明提出了一种基于相移电控制的取样光栅半导体激光器，所述的DFB半导体激光器结构由第一与第二两个取样光栅区和一个相移区组成；两边取样光栅区中的光栅是取样布拉格光栅（SBG），中间为相移区，取样周期从1微米到数十微米量级；两个取样光栅区的电极连接在一起，但与相移区的电极相隔离；取样光栅区和相移区的有效折射率与长度，分别用nSBG和nP、LSBG和LP来表示；只要改变取样周期P的大小，就能实现对激光器激射波长的初步控制；构成相移电控制的取样布拉格光栅分布反馈式（DFB）半导体激光器。

公开(公告)号：CN102403651A

公开(公告)日：2012-04-04

申请号：CN201110359884.6

申请日：2011-11-15

Applicant: 南京大学

Inventor： 周亚亭 ,  陈向飞

IPC: H01S5/0625 ,  H01S5/12 ,  H01S5/223

Abstract: 多波长分布反馈式半导体激光器，双波长半导体激光器器件，从下至上依次是：电极、n型InP衬底材料、外延n型InP缓冲层、非掺杂品格匹配InGaAsP下限制层、应变InGaAsP多量子阱有源层1、非掺杂品格匹配InGaAsP上限制层；取样光栅1；取样光栅1上部的结构依次是，p型重掺杂的InP层和n型重掺杂的InP层形成反向隧道结层，重复非掺杂品格匹配InGaAsP下限制层2、应变InGaAsP多量子阱有源层2、重掺杂的品格匹配InGaAsP上限制层2、λ/4取样光栅2、第三次外延生长p型InP层和p型InGaAs的欧姆接触层和p电极；利用这种双波长激光器产生激光的拍频信号，可制作波长可调的微波信号源。

公开(公告)号：CN102916340B

公开(公告)日：2015-01-21

申请号：CN201210370711.9

申请日：2012-09-29

Applicant: 南京大学

Inventor： 周亚亭 ,  陈向飞

IPC: H01S5/12

Abstract: 本发明提出了一种基于相移电控制的取样光栅半导体激光器，所述的DFB半导体激光器结构由第一与第二两个取样光栅区和一个相移区组成；两边取样光栅区中的光栅是取样布拉格光栅（SBG），中间为相移区，取样周期从1微米到数十微米量级；两个取样光栅区的电极连接在一起，但与相移区的电极相隔离；取样光栅区和相移区的有效折射率与长度，分别用nSBG和nP、LSBG和LP来表示；只要改变取样周期P的大小，就能实现对激光器激射波长的初步控制；构成相移电控制的取样布拉格光栅分布反馈式（DFB）半导体激光器。

公开(公告)号：CN101924326B

公开(公告)日：2013-03-13

申请号：CN201010280999.1

申请日：2010-09-14

Applicant: 南京大学

Inventor： 周亚亭 ,  施跃春 ,  李思敏 ,  贾凌慧 ,  刘盛春 ,  陈向飞

IPC: H01S5/12 ,  H01S5/065

Abstract: 基于特殊等效相移的DFB半导体激光器，DFB半导体激光器结构由长度相同、取样周期相同的左右两段取样布拉格光栅组成，取样周期从1微米到数十微米量级，但是左右两段取样布拉格光栅的占空比不同，前一部分的占空比为γ，后一部分的占空比则为(1-γ)，γ值的大小在0.3到0.5之间；0级子光栅中折射率调制是一个常数项。在结构中，有个等效λ/4波长相移被引入到除0级外所有影子光栅中；在种子光栅周期保持不变的情况下，只要改变取样周期的大小，就能在其±1级影子光栅中获得不同的激射波长。能较大幅度地提高DFB半导体激光器0级激射所需的阈值电流，从而抑制0级信道可能的激射模式，增加激光器主模与0级间的阈值增益差。

公开(公告)号：CN101924326A

公开(公告)日：2010-12-22

申请号：CN201010280999.1

申请日：2010-09-14

Applicant: 南京大学

Inventor： 周亚亭 ,  施跃春 ,  李思敏 ,  贾凌慧 ,  刘盛春 ,  陈向飞

IPC: H01S5/12 ,  H01S5/065

Abstract: 基于特殊等效相移的DFB半导体激光器，DFB半导体激光器结构由长度相同、取样周期相同的左右两段取样布拉格光栅组成，取样周期从1微米到数十微米量级，但是左右两段取样布拉格光栅的占空比不同，前一部分的占空比为γ，后一部分的占空比则为(1-γ)，γ值的大小在0.3到0.5之间；0级子光栅中折射率调制是一个常数项。在结构中，有个等效λ/4波长相移被引入到除0级外所有影子光栅中；在种子光栅周期保持不变的情况下，只要改变取样周期的大小，就能在其±1级影子光栅中获得不同的激射波长。能较大幅度地提高DFB半导体激光器0级激射所需的阈值电流，从而抑制0级信道可能的激射模式，增加激光器主模与0级间的阈值增益差。