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公开(公告)号：CN103972790A
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：CN201410214717.6
申请日：2014-05-20
Applicant: 南京大学
IPC: H01S5/12
Abstract: 本发明公开了一种基于重构-等效啁啾的非对称相移和等效切趾的取样光栅及其DFB激光器，所述等效切趾取样光栅是基于重构-等效啁啾技术设计的取样布拉格光栅结构，该光栅结构中含有对应普通布拉格光栅的等效光栅，重构-等效切趾取样光栅中的非对称相移是等效相移区的位置偏离腔长度中心，偏向激光输出端，且在光栅腔长度的50％～80％位置区域范围内，并在等效相移区左右两侧引入切趾长度和切趾程度相同的等效切趾。相移的偏移有效增大输出端的光功率，腔内取样光栅的切趾结构使折射率调制强度在相移区附近小，向两端逐渐增大的趋势，有效减弱空间烧孔效应，提高激光器在高功率工作时的单纵模稳定性。
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公开(公告)号：CN103762500B
公开(公告)日：2017-01-18
申请号：CN201310617711.9
申请日：2013-11-27
Applicant: 南京大学
IPC: H01S5/12
Abstract: 本发明公开了一种基于重构-等效啁啾技术的非对称等效切趾取样光栅及其DFB半导体激光器，激光器腔内的光栅是基于重构-等效啁啾技术的取样光栅，该取样光栅结构中含有对应普通布拉格光栅的等效光栅，等效光栅中的相移由等效啁啾技术设计引入的，并在等效相移区左右两侧引入不同切趾程度的等效切趾段光栅；腔内取样光栅的切趾结构使折射率调制强度呈中间小，向两端逐渐增大的趋势，有效减弱空间烧孔效应，提高激光器在高功率工作时的单纵模稳定性；等效相移左右两侧的切趾程度不对称使光栅强度不对称，对光的反馈作用不相等，既能增加激光器在高功率工作时的频率稳定性，又能在激射功率一定的情况下增大端面有效输出激光功率。
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公开(公告)号：CN103762500A
公开(公告)日：2014-04-30
申请号：CN201310617711.9
申请日：2013-11-27
Applicant: 南京大学
IPC: H01S5/12
Abstract: 本发明公开了一种基于重构-等效啁啾技术的非对称等效切趾取样光栅及其DFB半导体激光器，激光器腔内的光栅是基于重构-等效啁啾技术的取样光栅，该取样光栅结构中含有对应普通布拉格光栅的等效光栅，等效光栅中的相移由等效啁啾技术设计引入的，并在等效相移区左右两侧引入不同切趾程度的等效切趾段光栅；腔内取样光栅的切趾结构使折射率调制强度呈中间小，向两端逐渐增大的趋势，有效减弱空间烧孔效应，提高激光器在高功率工作时的单纵模稳定性；等效相移左右两侧的切趾程度不对称使光栅强度不对称，对光的反馈作用不相等，既能增加激光器在高功率工作时的频率稳定性，又能在激射功率一定的情况下增大端面有效输出激光功率。
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公开(公告)号：CN103337788A
公开(公告)日：2013-10-02
申请号：CN201310146938.X
申请日：2013-04-24
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明提出了利用重构—等效啁啾（REC）的非对称结构的DFB半导体激光器，通过非对称等效π(λ/4)相移或π/2(λ/8)相移或其它相移量的DFB半导体激光器；内置布拉格光栅是等效相移光栅，相移光栅的设置是利用光栅取样结构得到非对称等效相移,激光器两侧端面都镀高透膜（AR）或不镀膜但谐振腔波导呈弧形；相移光栅设置使等效相移的位置偏在需要大的光功率的出光面的一侧，相移左侧光栅和相移右侧光栅的不同的长度比例实现的激光器两端面出光功率比(P1:P2)，相移光栅的等效相移为π(λ/4)相移或π/2(λ/8)相移或其它相移量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101750671B
公开(公告)日：2012-09-26
申请号：CN200910264486.9
申请日：2009-12-23
Applicant: 南京大学
Abstract: 基于重构-等效啁啾和等效切趾的平面波导布拉格光栅及其激光器，光栅为取样结构，光栅的真实相移或真实啁啾由重构-等效啁啾技术制作，同时在取样结构中引入等效切趾，通过沿腔长方向改变取样占空比γ实现切趾。本发明以光纤光栅设计中的等效切趾技术，结合重构-等效啁啾技术，来设计平面波导布拉格光栅器件和高性能的DFB半导体激光器。本发明在种子光栅的周期与折射率调制保持恒定的基础上，利用渐变占空比的采样结构将切趾有效地引入到平面波导布拉格光栅中，就能够消除平面波导布拉格光栅透射谱的旁瓣，使其时延谱平滑，从而设计出高性能的平面波导布拉格光栅器件。
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公开(公告)号：CN101924326B
公开(公告)日：2013-03-13
申请号：CN201010280999.1
申请日：2010-09-14
Applicant: 南京大学
Abstract: 基于特殊等效相移的DFB半导体激光器，DFB半导体激光器结构由长度相同、取样周期相同的左右两段取样布拉格光栅组成，取样周期从1微米到数十微米量级，但是左右两段取样布拉格光栅的占空比不同，前一部分的占空比为γ，后一部分的占空比则为(1-γ)，γ值的大小在0.3到0.5之间；0级子光栅中折射率调制是一个常数项。在结构中，有个等效λ/4波长相移被引入到除0级外所有影子光栅中；在种子光栅周期保持不变的情况下，只要改变取样周期的大小，就能在其±1级影子光栅中获得不同的激射波长。能较大幅度地提高DFB半导体激光器0级激射所需的阈值电流，从而抑制0级信道可能的激射模式，增加激光器主模与0级间的阈值增益差。
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公开(公告)号：CN101924326A
公开(公告)日：2010-12-22
申请号：CN201010280999.1
申请日：2010-09-14
Applicant: 南京大学
Abstract: 基于特殊等效相移的DFB半导体激光器，DFB半导体激光器结构由长度相同、取样周期相同的左右两段取样布拉格光栅组成，取样周期从1微米到数十微米量级，但是左右两段取样布拉格光栅的占空比不同，前一部分的占空比为γ，后一部分的占空比则为(1-γ)，γ值的大小在0.3到0.5之间；0级子光栅中折射率调制是一个常数项。在结构中，有个等效λ/4波长相移被引入到除0级外所有影子光栅中；在种子光栅周期保持不变的情况下，只要改变取样周期的大小，就能在其±1级影子光栅中获得不同的激射波长。能较大幅度地提高DFB半导体激光器0级激射所需的阈值电流，从而抑制0级信道可能的激射模式，增加激光器主模与0级间的阈值增益差。
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公开(公告)号：CN101750671A
公开(公告)日：2010-06-23
申请号：CN200910264486.9
申请日：2009-12-23
Applicant: 南京大学
Abstract: 基于重构-等效啁啾和等效切趾的平面波导布拉格光栅及其激光器，光栅为取样结构，光栅的真实相移或真实啁啾由重构-等效啁啾技术制作，同时在取样结构中引入等效切趾，通过沿腔长方向改变取样占空比γ实现切趾。本发明以光纤光栅设计中的等效切趾技术，结合重构-等效啁啾技术，来设计平面波导布拉格光栅器件和高性能的DFB半导体激光器。本发明在种子光栅的周期与折射率调制保持恒定的基础上，利用渐变占空比的采样结构将切趾有效地引入到平面波导布拉格光栅中，就能够消除平面波导布拉格光栅透射谱的旁瓣，使其时延谱平滑，从而设计出高性能的平面波导布拉格光栅器件。
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公开(公告)号：CN101209854A
公开(公告)日：2008-07-02
申请号：CN200710192348.5
申请日：2007-12-25
Applicant: 南京大学
IPC: C01G9/00
Abstract: 溶剂热方法制备纳米层状Zn5(OH)8(NO3)2·2H2O纳米级薄片状晶体的方法，分别称量摩尔比为1∶1 Zn(NO3)2和C6H12N4粉末，用乙醇作为溶剂，将粉末加入乙醇与水的混合溶液中充分溶解，乙醇与水的体积比例为5－15∶1；将所得溶液装进密封的容器中，放入烘箱内，92±5℃加热 1±0.5小时；冷却后，将所得粉末取出，用去离子水清洗后并超声后，室温下干燥。本发明制备出单相的，厚度为纳米级的薄片。
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