公开(公告)号：CN102244196A

公开(公告)日：2011-11-16

申请号：CN201110167551.3

申请日：2011-06-21

Applicant: 南京大学

Inventor： 马忠元 ,  陈坤基 ,  徐岭 ,  夏国银 ,  江小帆 ,  杨华峰 ,  徐骏 ,  黄信凡 ,  冯端

IPC: H01L45/00 ,  H01L27/28 ,  B82B3/00

Abstract: 本发明涉及一种有序可控纳米硅量子点阵列阻变存储器，属于非挥发性存储器技术领域。该存储器包括P+硅衬底材料，其特征在于：还包括附着在衬底材料上的阻变硅量子点多层膜纳米柱阵列，以及分别附着在阻变硅量子点多层膜纳米柱阵列上表面和衬底下表面的上、下电极；阻变多层膜纳米柱阵列内具有绝缘介质层；硅量子点多层膜纳米柱由至少二层镶嵌有纳米硅量子点，且具有不同氮组分的富硅氮化硅薄膜或具有不同氧组分的富硅氧化硅薄膜子层构成。采用本发明后，可以与当前微电子工艺技术相兼容，能够显现出有序可控纳米硅在阻变存储器材料中的优势，达到改善阻变材料开关比和稳定性的目的，使纳米硅量子点切实应用于未来的硅基纳米存储器件中。

公开(公告)号：CN102244196B

公开(公告)日：2013-06-19

申请号：CN201110167551.3

申请日：2011-06-21

Applicant: 南京大学

Inventor： 马忠元 ,  陈坤基 ,  徐岭 ,  夏国银 ,  江小帆 ,  杨华峰 ,  徐骏 ,  黄信凡 ,  冯端

IPC: H01L45/00 ,  H01L27/28 ,  B82B3/00

Abstract: 本发明涉及一种有序可控纳米硅量子点阵列阻变存储器，属于非挥发性存储器技术领域。该存储器包括P+硅衬底材料，其特征在于：还包括附着在衬底材料上的阻变硅量子点多层膜纳米柱阵列，以及分别附着在阻变硅量子点多层膜纳米柱阵列上表面和衬底下表面的上、下电极；阻变多层膜纳米柱阵列内具有绝缘介质层；硅量子点多层膜纳米柱由至少二层镶嵌有纳米硅量子点，且具有不同氮组分的富硅氮化硅薄膜或具有不同氧组分的富硅氧化硅薄膜子层构成。采用本发明后，可以与当前微电子工艺技术相兼容，能够显现出有序可控纳米硅在阻变存储器材料中的优势，达到改善阻变材料开关比和稳定性的目的，使纳米硅量子点切实应用于未来的硅基纳米存储器件中。