-
公开(公告)号：CN102244196A
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：CN201110167551.3
申请日：2011-06-21
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明涉及一种有序可控纳米硅量子点阵列阻变存储器，属于非挥发性存储器技术领域。该存储器包括P+硅衬底材料，其特征在于：还包括附着在衬底材料上的阻变硅量子点多层膜纳米柱阵列，以及分别附着在阻变硅量子点多层膜纳米柱阵列上表面和衬底下表面的上、下电极；阻变多层膜纳米柱阵列内具有绝缘介质层；硅量子点多层膜纳米柱由至少二层镶嵌有纳米硅量子点，且具有不同氮组分的富硅氮化硅薄膜或具有不同氧组分的富硅氧化硅薄膜子层构成。采用本发明后，可以与当前微电子工艺技术相兼容，能够显现出有序可控纳米硅在阻变存储器材料中的优势，达到改善阻变材料开关比和稳定性的目的，使纳米硅量子点切实应用于未来的硅基纳米存储器件中。
-
公开(公告)号：CN1438168A
公开(公告)日：2003-08-27
申请号：CN03113046.1
申请日：2003-03-25
Applicant: 南京大学
IPC: B82B3/00
CPC classification number: B82Y30/00 , C30B29/605
Abstract: 激光诱导制备尺寸可控高密度纳米硅量子点列阵的方法：先进行多层调制结构的制备：利用等离子体增强化学汽相淀积技术制备非晶硅或锗/非晶氮化硅或二氧化硅的单层或多层调制结构，其中a－Si：H子层厚度与激光晶化后希望获得的量子点尺寸基本相符；然后用激光诱导晶化：衬底温度：150－250℃。本发明实现限制性结晶能够有效地控制硅量子点的形成与大小分布，由于多层调制结构中a－Si：H子层的厚度可人工设计，精度可达0.5nm，可控性强，从而使得最后形成的nc－Si量子点尺寸也可人工设计并控制。介质层a－SiNX：H或a－SiO2子层厚度可薄至5nm，
-
公开(公告)号：CN1184863A
公开(公告)日：1998-06-17
申请号：CN96117210.X
申请日：1996-12-13
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明涉及一种控制铁电薄膜取向生长技术。本发明基于铌酸锂具有自发极化这一事实提出了用外加电场诱导铌酸锂薄膜取向生长的方法。在薄膜生长系统中垂直于薄膜的方向施加一个低电场,使生长中的薄膜铁电畴沿电场方向取向排列,从而达到取向生长目的。可以用脉冲激光闪蒸法、化学气相淀积、磁控溅射等多种技术实现这一方法。本发明施加电场和薄膜生长合二为一,两者原位同步进行。所需的电场可以是极低的,在10V/cm量级。
-
公开(公告)号：CN102244196B
公开(公告)日：2013-06-19
申请号：CN201110167551.3
申请日：2011-06-21
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明涉及一种有序可控纳米硅量子点阵列阻变存储器，属于非挥发性存储器技术领域。该存储器包括P+硅衬底材料，其特征在于：还包括附着在衬底材料上的阻变硅量子点多层膜纳米柱阵列，以及分别附着在阻变硅量子点多层膜纳米柱阵列上表面和衬底下表面的上、下电极；阻变多层膜纳米柱阵列内具有绝缘介质层；硅量子点多层膜纳米柱由至少二层镶嵌有纳米硅量子点，且具有不同氮组分的富硅氮化硅薄膜或具有不同氧组分的富硅氧化硅薄膜子层构成。采用本发明后，可以与当前微电子工艺技术相兼容，能够显现出有序可控纳米硅在阻变存储器材料中的优势，达到改善阻变材料开关比和稳定性的目的，使纳米硅量子点切实应用于未来的硅基纳米存储器件中。
-
公开(公告)号：CN103078031A
公开(公告)日：2013-05-01
申请号：CN201310025873.3
申请日：2013-01-23
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明涉及纳米银圆环局域表面等离激元增强型发光二极管,同时还涉及其制备方法，属于纳米光电子器件材料技术领域。该二极管包括P型硅基底，P型硅基底上的纳米银圆环；沉积在纳米银圆环覆盖P型硅基底的掺氧a-SiNx:O薄膜发光有源层；掺氧a-SiNx:H发光有源层上蒸发金属电极,留出窗口。本发明使发光有源层和纳米金属圆环的有机结合，可以切实实现硅基局域表面等离激元增强的可控波长的发光二极管的制备。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1707295A
公开(公告)日：2005-12-14
申请号：CN200510038851.6
申请日：2005-04-13
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种介电滤波薄膜材料及其制备方法，该材料是在K9玻璃或硅片衬底上用磁控溅射技术，在高纯氩气氛中逐次生长出具有七层结构的薄膜材料，其中第一、三、五、七层为SiO2膜或Si膜，第二、四、六层为Si膜或SiO2膜，用该技术制备时膜厚控制精确，而且材料中间不存在空气间隙层，该材料结构稳定，而且容易控制，并具有在1210纳米至2230纳米的光波波长范围内得到光子禁带，在光通讯波长1.3微米和1.55微米处同时得到光的共振模式的功能，得到的共振峰的峰位精确地控制在光通讯波长1.29微米和1.55微米，与光通讯波长1.30微米和1.55微米的偏差分别为0.77％和0.00％。
-
公开(公告)号：CN100442561C
公开(公告)日：2008-12-10
申请号：CN200610098062.6
申请日：2006-11-29
Applicant: 南京大学
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明涉及一种硅基短波长发光二极管，同时还涉及其制备方法，属于纳米电子和纳米光电子器件材料技术领域。本发明的发光二极管在P+的硅基底上沉积有由相邻层氮组分有明显差异a-SiNx:H薄膜构成的第一组光学微腔；在第一组光学微腔上构筑有所需层数a-Si:H/SiO2多层膜构成的发光有源层；在发光有源层上沉积由相邻层氮组分有明显差异a-SiNx:H薄膜构成的第二组光学微腔；在第二组光学微腔上淀积金薄膜电极，并留有窗口。采用本发明后，可以与当前微电子工艺技术相兼容，能够显现出由于尺寸变化而引起的量子效应，达到调控低维有序体系结构和性能的目的，使非晶硅量子点走出实验室，切实应用于未来的硅基纳米光电子学器件。
-
公开(公告)号：CN1065571C
公开(公告)日：2001-05-09
申请号：CN96117210.X
申请日：1996-12-13
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明涉及一种控制铁电薄膜取向生长技术。本发明基于铌酸锂具有自发极化这一事实提出了用外加电场诱导铌酸锂薄膜取向生长的方法。在薄膜生长系统中垂直于薄膜的方向施加一个低电场，使生长中的薄膜铁电畴沿电场方向取向排列，从而达到取向生长目的。可以用脉冲激光闪蒸法、化学气相沉积、磁控溅射等多种技术实现这一方法。本发明施加电场和薄膜生长合二为一，两者原位同步进行。所需的电场可以是极低的，在10V/cm量级。
-
公开(公告)号：CN1976068A
公开(公告)日：2007-06-06
申请号：CN200610098062.6
申请日：2006-11-29
Applicant: 南京大学
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明涉及一种硅基短波长发光二极管，同时还涉及其制备方法，属于纳米电子和纳米光电子器件材料技术领域。本发明的发光二极管在P+的硅基底上沉积有由相邻层氮组分有明显差异a－SiNx:H薄膜构成的第一组光学微腔；在第一组光学微腔上构筑有所需层数a－Si:H/SiO2多层膜构成的发光有源层；在发光有源层上沉积由相邻层氮组分有明显差异a－SiNx:H薄膜构成的第二组光学微腔；在第二组光学微腔上淀积金薄膜电极，并留有窗口。采用本发明后，可以与当前微电子工艺技术相兼容，能够显现出由于尺寸变化而引起的量子效应，达到调控低维有序体系结构和性能的目的，使非晶硅量子点走出实验室，切实应用于未来的硅基纳米光电子学器件。
-
公开(公告)号：CN100362375C
公开(公告)日：2008-01-16
申请号：CN200510038851.6
申请日：2005-04-13
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种介电滤波薄膜材料及其制备方法，该材料是在K9玻璃或硅片衬底上用磁控溅射技术，在高纯氩气氛中逐次生长出具有七层结构的薄膜材料，其中第一、三、五、七层为SiO2膜或Si膜，第二、四、六层为Si膜或SiO2膜，用该技术制备时膜厚控制精确，而且材料中间不存在空气间隙层，该材料结构稳定，而且容易控制，并具有在1210纳米至2230纳米的光波波长范围内得到光子禁带，在光通讯波长1.3微米和1.55微米处同时得到光的共振模式的功能，得到的共振峰的峰位精确地控制在光通讯波长1.29微米和1.55微米，与光通讯波长1.30微米和1.55微米的偏差分别为0.77%和0.00%。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
10
records
(took 0.07 seconds)
