公开(公告)号：CN102244196B

公开(公告)日：2013-06-19

申请号：CN201110167551.3

申请日：2011-06-21

Applicant: 南京大学

Inventor： 马忠元 ,  陈坤基 ,  徐岭 ,  夏国银 ,  江小帆 ,  杨华峰 ,  徐骏 ,  黄信凡 ,  冯端

IPC: H01L45/00 ,  H01L27/28 ,  B82B3/00

Abstract: 本发明涉及一种有序可控纳米硅量子点阵列阻变存储器，属于非挥发性存储器技术领域。该存储器包括P+硅衬底材料，其特征在于：还包括附着在衬底材料上的阻变硅量子点多层膜纳米柱阵列，以及分别附着在阻变硅量子点多层膜纳米柱阵列上表面和衬底下表面的上、下电极；阻变多层膜纳米柱阵列内具有绝缘介质层；硅量子点多层膜纳米柱由至少二层镶嵌有纳米硅量子点，且具有不同氮组分的富硅氮化硅薄膜或具有不同氧组分的富硅氧化硅薄膜子层构成。采用本发明后，可以与当前微电子工艺技术相兼容，能够显现出有序可控纳米硅在阻变存储器材料中的优势，达到改善阻变材料开关比和稳定性的目的，使纳米硅量子点切实应用于未来的硅基纳米存储器件中。

公开(公告)号：CN101017751A

公开(公告)日：2007-08-15

申请号：CN200710020043.6

申请日：2007-02-09

Applicant: 南京大学

Inventor： 徐骏 ,  陈坤基 ,  黄信凡 ,  徐岭 ,  李伟 ,  马忠元

IPC: H01J1/304 ,  H01J9/02 ,  H01L21/205 ,  H01L21/324 ,  B82B1/00 ,  B82B3/00 ,  C30B29/00

Abstract: 本发明涉及一种半导体硅场电子发射材料，同时还涉及其制备方法，属于半导体材料技术领域。该材料包括沉积在衬底上的氢化非晶硅半导体薄膜，氢化非晶硅半导体薄膜的厚度在4－50纳米，氢化非晶硅半导体薄膜上镶嵌有均匀分布的硅晶粒，硅晶粒的粒径在1－10nm。制备时，经过在衬底上沉积氢化非晶硅半导体薄膜、准分子超短脉冲激光晶化等步骤。本发明通过晶化使得非晶硅半导体薄膜形成纳米尺度的硅晶粒，在薄膜表面形成纳米突起，从而具有低的场发射阈值电场和高的场增强因子。由于与超大规模集成电路工艺相匹配，又可以使用廉价的玻璃衬底，因此对于半导体硅材料在大面积平板场发射显示器件的应用具有重要意义。

公开(公告)号：CN1966397A

公开(公告)日：2007-05-23

申请号：CN200610097955.9

申请日：2006-11-23

Applicant: 南京大学

Inventor： 余林蔚 ,  陈坤基 ,  李伟 ,  徐骏 ,  黄信凡 ,  宋捷 ,  李雪飞 ,  马忠元 ,  徐岭

IPC: B82B3/00 ,  C23C16/513

Abstract: 气相自组装生长硅量子环纳米结构的制备方法，首先在等离子体增强化学汽相淀积(PECVD)系统中衬底硅表面分别进行氩气(Ar)等离子体和氢气(H2)等离子体的预处理，在衬底硅表面形成硅纳米环的成核中心；然后，在PECVD系统中原位周期性交替使用大氢稀释硅烷气体(SiH4+H2)和纯氢气(H2)对成核中心进行硅的生长和刻蚀，形成硅量子环纳米结构。对硅衬底表面预处理，形成纳米环结构的成核中心，其密度必须控制在1～3×108/cm2，为以后环结构的生长提供条件；周期性交替使用大氢稀释硅烷气和氢气进行硅生长和刻蚀的方法是：在每个周期当中，使用大氢稀释硅烷在成核中心进行生长，然后以纯氢气进行硅的刻蚀。重复上述淀积和刻蚀5－50个周期。

公开(公告)号：CN1873923A

公开(公告)日：2006-12-06

申请号：CN200610085300.X

申请日：2006-06-09

Applicant: 南京大学

Inventor： 徐岭 ,  徐骏 ,  马忠元 ,  黄信凡 ,  陈坤基 ,  李伟 ,  李卫 ,  赵伟明 ,  孙萍

IPC: H01L21/30 ,  B82B3/00 ,  C01B33/02

Abstract: 本发明涉及一种常温下用硅衬底上的单层CdTe纳米晶体作为掩模版，构筑高密度均匀分布硅纳米点、纳米线的方法，属于纳米电子和纳米光电子器件材料技术领域。该方法包括1)、氧化、刻蚀；2)、铺设单层CdTe纳米晶体模版；3)、反应离子刻蚀；4)、去除模版和漂洗；5)、退火、钝化各步骤，完成高密度均匀分布硅纳米点、纳米线的构筑。采用本发明的方法后，可以与当前微电子工艺技术相兼容，避免使用成本昂贵的超精细加工技术，在获得均匀分布的高密度纳米硅的同时，可对纳米晶粒表面进行有效钝化，以降低缺陷态密度，因而能够显现出由于尺寸变化而引起的量子效应，达到调控低维有序体系结构和性能的目的，使纳米硅量子点走出实验室，切实实现产业化。

公开(公告)号：CN1077313A

公开(公告)日：1993-10-13

申请号：CN92107762.9

申请日：1992-09-19

Applicant: 南京大学

Inventor： 陈坤基 ,  黄信凡 ,  徐骏

IPC: H01L21/00 ,  H01L33/00

Abstract: 本发明涉及制备光致可见发光的硅量子材料及其应用。本发明用玻璃做衬底材料，由硅烷(SiH4)和氨气(NH3)做气体源；利用等离子体化学气相淀积(PECVD)技术，制备出各种厚度的a-Si:H/a-SiNx:H多层膜。尔后用连续Ar+激光对样品进行扫描辐照，使原来样品中的a-Si:H阱层的结构发生晶化。此材料在室温下具有光致可见波段发光特性，其发光光谱的峰值能量约为2.1eV，这不但大大超过晶态硅(C-Si)的带隙能量(1.1eV)，而且也超过非晶态硅的带隙能量。

公开(公告)号：CN101667619B

公开(公告)日：2011-01-05

申请号：CN200910183439.1

申请日：2009-09-11

Applicant: 南京大学

Inventor： 徐骏 ,  陈德媛 ,  刘宇 ,  徐岭 ,  陈坤基 ,  李伟 ,  黄信凡 ,  马忠元 ,  韦德远 ,  孙红程 ,  戴明

IPC: H01L33/00

Abstract: 本发明涉及一种提高纳米硅/二氧化硅发光器件发光强度的方法，属于半导体发光器件技术领域。该方法的主要步骤为：以聚苯乙烯小球为掩模，对硅衬底表面进行等离子体刻蚀；在纳米硅衬底的硅锥结构表面淀积多层a-Si:H/SiO2薄膜；再放入退火炉内，先后完成脱氢退火、快速热退火和稳态高温退火，得到预定周期的nc-Si/SiO2薄膜。本发明的主要有益效果是：阵列式的硅锥粗糙表面增强了场发射效应，从而使得载流子的注入效率得以提高，并提高了器件的光提取效率，限制了器件的漏电流和功耗，不会影响薄膜质量，操作简单，工艺可靠，参数可精确调节，有很好的可控性与重复性。

公开(公告)号：CN101667619A

公开(公告)日：2010-03-10

申请号：CN200910183439.1

申请日：2009-09-11

Applicant: 南京大学

Inventor： 徐骏 ,  陈德媛 ,  刘宇 ,  徐岭 ,  陈坤基 ,  李伟 ,  黄信凡 ,  马忠元 ,  韦德远 ,  孙红程 ,  戴明

IPC: H01L33/00

Abstract: 本发明涉及一种提高纳米硅/二氧化硅发光器件发光强度的方法，属于半导体发光器件技术领域。该方法的主要步骤为：以聚苯乙烯小球为掩模，对硅衬底表面进行等离子体刻蚀；在纳米硅衬底的硅锥结构表面淀积多层a-Si:H/SiO 2 薄膜；再放入退火炉内，先后完成脱氢退火、快速热退火和稳态高温退火，得到预定周期的nc-Si/SiO 2 薄膜。本发明的主要有益效果是：阵列式的硅锥粗糙表面增强了场发射效应，从而使得载流子的注入效率得以提高，并提高了器件的光提取效率，限制了器件的漏电流和功耗，不会影响薄膜质量，操作简单，工艺可靠，参数可精确调节，有很好的可控性与重复性。

公开(公告)号：CN100524579C

公开(公告)日：2009-08-05

申请号：CN200710020043.6

申请日：2007-02-09

Applicant: 南京大学

Inventor： 徐骏 ,  陈坤基 ,  黄信凡 ,  徐岭 ,  李伟 ,  马忠元

IPC: H01J1/304 ,  H01J9/02 ,  H01L21/205 ,  H01L21/324 ,  B82B1/00 ,  B82B3/00 ,  C30B29/00

Abstract: 本发明涉及一种半导体硅场电子发射材料，同时还涉及其制备方法，属于半导体材料技术领域。该材料包括沉积在衬底上的氢化非晶硅半导体薄膜，氢化非晶硅半导体薄膜的厚度在4-50纳米，氢化非晶硅半导体薄膜上镶嵌有均匀分布的硅晶粒，硅晶粒的粒径在1-10nm。制备时，经过在衬底上沉积氢化非晶硅半导体薄膜、准分子超短脉冲激光晶化等步骤。本发明通过晶化使得非晶硅半导体薄膜形成纳米尺度的硅晶粒，在薄膜表面形成纳米突起，从而具有低的场发射阈值电场和高的场增强因子。由于与超大规模集成电路工艺相匹配，又可以使用廉价的玻璃衬底，因此对于半导体硅材料在大面积平板场发射显示器件的应用具有重要意义。

公开(公告)号：CN100446290C

公开(公告)日：2008-12-24

申请号：CN200710020068.6

申请日：2007-02-09

Applicant: 南京大学

Inventor： 黄锐 ,  陈坤基 ,  钱波 ,  韩培高 ,  李伟 ,  徐骏 ,  王祥 ,  马忠元 ,  黄信凡

IPC: H01L33/00

Abstract: 掺氧硅基氮化物薄膜黄绿波段发光二极管，在电阻率为4-20Ωcm的P型单晶硅片或ITO玻璃衬底上淀积a-SiNX薄膜，薄膜厚度在40-100nm之间，在a-SiNX薄膜上再镀有薄膜金属电极；P型单晶硅片的背面镀有另一电极，ITO本身构成另一电极。对于以ITO为阳极的硅基发光器件，直接在有源层上蒸镀一层1μm厚的金属铝(Al)薄膜作为阴极，Al电极为直径为3mm的圆斑，其中以ITO为阳极的一端为光出射端。

公开(公告)号：CN100442438C

公开(公告)日：2008-12-10

申请号：CN200610161307.5

申请日：2006-12-20

Applicant: 南京大学

Inventor： 徐骏 ,  陈坤基 ,  徐岭 ,  李伟 ,  黄信凡 ,  马忠元

IPC: H01L21/18 ,  H01L21/205 ,  H01L21/324

Abstract: 本发明涉及一种非晶碳膜半导体制备方法，属于非晶碳薄膜材料制备技术领域。该方法通过(1)在衬底上淀积氢化非晶碳(a-C:H)薄膜、(2)氢等离子体化学退火处理、(3)重复步骤(1)和(2)形成氢等离子体逐层化学退火处理的氢化非晶碳膜、(4)氮等离子体表面掺杂——通入氨气(NH3)各步骤，制成本发明的非晶碳膜半导体。本发明整个制备过程无需昂贵设备技术、操作简单、有利于大规模生产，几乎没有面积的限制，有很好的可控性与重复性，避免了湿法技术带来的表面污染等问题。