公开(公告)号：CN103160921B

公开(公告)日：2015-10-28

申请号：CN201210412177.3

申请日：2012-10-25

Applicant: 南昌大学

Inventor： 杜军 ,  吴其 ,  刘娇 ,  彭海龙 ,  罗美 ,  郑典模 ,  邹建国

IPC: C30B25/00 ,  C30B29/16 ,  C30B29/62

Abstract: 一种制备超亲水性能的硅掺杂的氧化钛纳米线的方法，以Ti(OC4H9)4作为Ti源，以O2作为O源，以SiH4作为Si源，以N2为稀释气体和保护气氛；用化学气相沉积法在固态基板上先形成硅化钛薄膜层，然后通过热氧化法将上述硅化钛薄膜层氧化，并通过自诱导作用进行硅掺杂，得到硅掺杂的氧化钛纳米线；最后将样品在N2保护中自然冷却到室温。本发明对设备要求低，生产更安全，且产量大，效率高；可以快速地大量制备硅掺杂的氧化钛纳米线，硅掺杂的氧化钛纳米线具有超高的亲水性能，可极大地提高其光催化性能，硅掺杂纳米线的形貌和组成可通过改变工艺条件控制。

公开(公告)号：CN103160921A

公开(公告)日：2013-06-19

申请号：CN201210412177.3

申请日：2012-10-25

Applicant: 南昌大学

Inventor： 杜军 ,  吴其 ,  刘娇 ,  彭海龙 ,  罗美 ,  郑典模 ,  邹建国

IPC: C30B25/00 ,  C30B29/16 ,  C30B29/62

Abstract: 一种制备超亲水性能的硅掺杂的氧化钛纳米线的方法，以Ti(OC4H9)4作为Ti源，以O2作为O源，以SiH4作为Si源，以N2为稀释气体和保护气氛；用化学气相沉积法在固态基板上先形成硅化钛薄膜层，然后通过热氧化法将上述硅化钛薄膜层氧化，并通过自诱导作用进行硅掺杂，得到硅掺杂的氧化钛纳米线；最后将样品在N2保护中自然冷却到室温。本发明对设备要求低，生产更安全，且产量大，效率高；可以快速地大量制备硅掺杂的氧化钛纳米线，硅掺杂的氧化钛纳米线具有超高的亲水性能，可极大地提高其光催化性能，硅掺杂纳米线的形貌和组成可通过改变工艺条件控制。