公开(公告)号：CN117393718A

公开(公告)日：2024-01-12

申请号：CN202311345440.6

申请日：2023-10-17

Applicant: 南昌大学

Inventor： 谭龙 ,  李傲 ,  刘玉娟 ,  左纪轩 ,  林腾飞 ,  张蕾 ,  周焱敏

IPC: H01M4/36 ,  H01M4/48 ,  H01M4/62 ,  H01M4/131 ,  H01M4/1391 ,  H01M4/04 ,  H01M10/0525

Abstract: 本发明属于锂离子电池的技术领域，公开一种SiOx基复合负极材料、极片及制备方法。SiOx基复合负极材料通过在硅基材料上原位聚合聚酰胺包覆层所得。将硅基材料和聚合单体均匀混合并溶解在溶剂中，使聚合单体在硅基材料表面聚合生成高机械强度的聚酰胺包覆层，再过滤、洗涤并干燥得SiOx基复合负极材料。将该材料与导电剂、粘结剂混合均匀制得负极浆料，涂覆于集流体表面，干燥后得SiOx基复合负极极片。本发明工艺实用性强，在硅基材料上包覆高机械强度的聚酰胺，抑制材料自身的巨大体积膨胀效应，减少电极活性物质在充放电过程中从集流体上脱落的情况；所制备的极片组装成电池后，显著改善高倍率及循环稳定性等电性能，节约了繁琐的工艺程序，降低经济成本。

公开(公告)号：CN114933898A

公开(公告)日：2022-08-23

申请号：CN202210695478.5

申请日：2022-06-20

Applicant: 南昌大学

Inventor： 谭龙 ,  刘玉娟 ,  汤昊 ,  赖俊宝 ,  李傲 ,  孙润光

IPC: C09K11/66 ,  C09K11/89 ,  B82Y20/00 ,  B82Y30/00

Abstract: 本发明属于半导体纳米材料的制备领域，具体涉及一种过渡金属元素掺杂的硫化铅量子点的制备方法。本发明的合成方法是：以水溶液沉淀法合成过渡金属离子掺杂的微米/亚微米级铅源，然后将其与有机试剂反应形成铅前驱体，在氮气保护气氛下，将溶解在油胺中的单质硫快速注入一定温度下的铅前驱体溶液中，控制反应参数得到掺杂过渡金属元素的硫化铅胶体量子点原液，离心去除杂质后纯化得到掺杂过渡金属元素的硫化铅胶体量子点。本发明制备方法简单可控，制备的量子点光学性能可调、稳定性好、荧光量子产率高，可用于批量制备高质量的掺杂量子点。

公开(公告)号：CN114759254A

公开(公告)日：2022-07-15

申请号：CN202210457909.4

申请日：2022-04-28

Applicant: 南昌大学

Inventor： 谭龙 ,  樊凯博 ,  汤昊 ,  赖俊宝 ,  刘玉娟 ,  孙润光

IPC: H01M10/0562 ,  H01M10/0565 ,  H01M10/056 ,  H01M10/0525

Abstract: 本发明公开了一种固态电解质膜及其制备方法，具体为将聚合物基体材料、锂盐、快离子导体颗粒加入到特定溶剂中得到溶胶状混合溶液，然后将固态电解质浆料按预设量滴定在纤维无纺布上，保证其充分浸润固态电解质浆料，然后进行干燥处理去除残余有机溶剂，最后进行碾压处理得到以纤维无纺布为基底的固态电解质膜。相比于在聚四氟乙烯模具或玻璃板上独立成型的固态电解质膜，工艺更简单且具有优异的机械性能和热稳定性。另一方面，在有效抑制了锂枝晶生长的同时，保证了锂离子的高迁移率，并赋予了固态锂离子电池优异的循环性能和较高的保持容量，应用前景极佳。

公开(公告)号：CN117447986A

公开(公告)日：2024-01-26

申请号：CN202311399938.0

申请日：2023-10-26

Applicant: 南昌大学

Inventor： 谭龙 ,  赵伟渊 ,  涂少波 ,  刘玉娟

IPC: C09K11/02 ,  C09K11/66 ,  B82Y20/00 ,  B82Y30/00

Abstract: 本发明属于半导体纳米材料的制备领域，具体涉及一种硫化铅胶体量子点/碳纳米管复合材料的制备。本发明的合成方法是：首先采用水溶液沉淀法合成微米/亚微米级铅源并将其与功能化碳纳米管在有机试剂中反应形成碳纳米管和铅前驱体的悬浮液，然后在氮气的气氛下将溶解在油胺中的单质硫快速注入一定温度下的碳纳米管和铅前驱体混合溶液中，最后采用原位生长法得到硫化铅胶体量子点/碳纳米管复合材料原液，离心去除杂质后纯化得到硫化铅胶体量子点/碳纳米管复合材料。本发明制备方法周期短，碳纳米管上原位生长的硫化铅胶体量子点尺寸大小可控，接枝率较高、光学性能可调、稳定性好，可用于批量制备高质量的硫化铅量子点/碳纳米管复合材料。

公开(公告)号：CN114933898B

公开(公告)日：2023-10-31

申请号：CN202210695478.5

申请日：2022-06-20

Applicant: 南昌大学

Inventor： 谭龙 ,  刘玉娟 ,  汤昊 ,  赖俊宝 ,  李傲 ,  孙润光

IPC: C09K11/66 ,  C09K11/89 ,  B82Y20/00 ,  B82Y30/00

Abstract: 本发明属于半导体纳米材料的制备领域，具体涉及一种过渡金属元素掺杂的硫化铅量子点的制备方法。本发明的合成方法是：以水溶液沉淀法合成过渡金属离子掺杂的微米/亚微米级铅源，然后将其与有机试剂反应形成铅前驱体，在氮气保护气氛下，将溶解在油胺中的单质硫快速注入一定温度下的铅前驱体溶液中，控制反应参数得到掺杂过渡金属元素的硫化铅胶体量子点原液，离心去除杂质后纯化得到掺杂过渡金属元素的硫化铅胶体量子点。本发明制备方法简单可控，制备的量子点光学性能可调、稳定性好、荧光量子产率高，可用于批量制备高质量的掺杂量子点。