公开(公告)号：CN1321914A

公开(公告)日：2001-11-14

申请号：CN01115548.5

申请日：2001-04-27

Applicant: 卡西欧计算机株式会社

Inventor： 东俊明 ,  宫川达也

IPC: G02F1/136

CPC classification number: G02F1/13458 ,  G02F1/1345 ,  G02F1/136227 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1288

Abstract: 利用干蚀刻处理形成一种保护薄膜晶体管的沟道区的保护膜。因此,即使半导体膜中有缺陷,也不会在栅极绝缘膜中形成针孔。于是,即使包括栅极的扫描信号线等仅由具有未在表面上形成阳极氧化膜的A基金属膜形成,栅极绝缘膜的击穿电压也不会降低。

公开(公告)号：CN102082151A

公开(公告)日：2011-06-01

申请号：CN201010503608.8

申请日：2010-09-30

Applicant: 卡西欧计算机株式会社

Inventor： 东俊明

IPC: H01L27/12 ,  H01L27/32 ,  H01L51/56

CPC classification number: H01L27/3276 ,  G09G3/3233 ,  G09G2300/0861 ,  H01L27/12 ,  H01L27/124

Abstract: 本发明提供薄膜晶体管阵列基板、发光面板及其制造方法和电子设备。薄膜晶体管阵列基板，具有：基板；形成在基板上的薄膜晶体管；以及配设在上述基板上的布线。该布线用于施加电压，该电压用于驱动包含上述薄膜晶体管的电路。上述布线的表面的至少一部分由阳极氧化膜构成。