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公开(公告)号：CN119461240A
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202411626302.X
申请日：2024-11-14
Applicant: 厦门大学
Abstract: 一种运用玻璃回流工艺制备半桥应变片的方法，属于半导体技术领域。应变片包括绝缘层，半导体层和金属焊盘。半导体层包括位于金属焊盘间的第一电阻和第二电阻，绝缘层由玻璃回流工艺来形成；工艺包括：DRIE硅片定义玻璃回流的形状，通过玻璃回流工艺填充硅片被DRIE刻蚀的部分，减薄多余玻璃，形成玻璃的形状；正面键合掺杂后的硅片，通过正面CMP和正面的单面腐蚀及重掺杂自停止腐蚀工艺定义正面半导体层的厚度，将正面薄半导体层通过DRIE刻蚀成应变片结构，通过背面CMP和单面腐蚀工艺去除多余硅，通过单面腐蚀完后留下背面的玻璃控制应变片厚度，提高应变片流片成品率。成本较低，能保证耐高击穿电压，保证应变片厚度均匀性。
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