公开(公告)号：CN111048641A

公开(公告)日：2020-04-21

申请号：CN201911044450.X

申请日：2019-10-30

Applicant: 厦门大学

Inventor： 李金钗 ,  王传家 ,  陈航洋 ,  卢诗强 ,  黄凯 ,  康俊勇

IPC: H01L33/32 ,  H01L33/24 ,  H01L33/06 ,  H01L33/00 ,  H01L33/14 ,  H01L33/12

Abstract: 本发明公开了一种单芯片白光发光二极管，包括：衬底、缓冲层、非掺GaN层、图形化的n型GaN层、多量子阱有源层、电子阻挡层、p型GaN层、红光波长转换材料、电流扩展层、n型与p型欧姆接触电极。通过干法刻蚀技术和湿法腐蚀技术刻蚀n型GaN层，使其形成具有半极性面、非极性面以及极性面的六边形孔洞阵列，在该图形化的n型GaN层上外延生长InGaN多量子阱有源层、电子阻挡层和p型GaN层，发射出蓝光至黄绿光波段的宽光谱；在所述六边形孔洞中填充红光波长转换材料，由量子阱有源区发射的蓝/绿光激发出红光光谱；从而形成全光谱，获得高显色指数的单芯片白光发光二极管。

公开(公告)号：CN111048641B

公开(公告)日：2021-09-17

申请号：CN201911044450.X

申请日：2019-10-30

Applicant: 厦门大学

Inventor： 李金钗 ,  王传家 ,  陈航洋 ,  卢诗强 ,  黄凯 ,  康俊勇

IPC: H01L33/32 ,  H01L33/24 ,  H01L33/06 ,  H01L33/00 ,  H01L33/14 ,  H01L33/12

Abstract: 本发明公开了一种单芯片白光发光二极管，包括：衬底、缓冲层、非掺GaN层、图形化的n型GaN层、多量子阱有源层、电子阻挡层、p型GaN层、红光波长转换材料、电流扩展层、n型与p型欧姆接触电极。通过干法刻蚀技术和湿法腐蚀技术刻蚀n型GaN层，使其形成具有半极性面、非极性面以及极性面的六边形孔洞阵列，在该图形化的n型GaN层上外延生长InGaN多量子阱有源层、电子阻挡层和p型GaN层，发射出蓝光至黄绿光波段的宽光谱；在所述六边形孔洞中填充红光波长转换材料，由量子阱有源区发射的蓝/绿光激发出红光光谱；从而形成全光谱，获得高显色指数的单芯片白光发光二极管。