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公开(公告)号：CN116864529A
公开(公告)日：2023-10-10
申请号：CN202310862139.6
申请日：2023-07-14
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L29/778 , H01L29/24 , H01L29/06 , H01L21/34
Abstract: 本发明公开了一种采用MBE刻蚀后外延的常关型氧化镓基器件，包括：衬底；缓冲层，位于衬底上方；本征层，位于缓冲层上方；介质层，位于本征层上方；势垒层，本征层和介质层上表面的中部两端被刻蚀的位置形成第一凹槽，势垒层位于第一凹槽上方；盖帽层，本征层和介质层上表面的左右两侧被刻蚀的位置形成第二凹槽，盖帽层位于第二凹槽上方；钝化层，位于缓冲层、本征层和介质层左右两边缘被刻蚀的位置以及介质层和势垒层上方；栅电极及场板，分别位于中间的介质层以及钝化层上方；源电极，位于左侧的盖帽层上方；和漏电极，位于右侧的盖帽层上方。本发明公开了一种采用MBE刻蚀后外延的常关型氧化镓基器件的制备方法，提高器件性能和稳定性。
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