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公开(公告)号：CN107404066A
公开(公告)日：2017-11-28
申请号：CN201710609195.3
申请日：2017-07-25
Applicant: 厦门大学
CPC classification number: H01S5/183 , H01S5/02438
Abstract: 全介质膜DBR结构氮化镓面发射激光器的制备方法，涉及激光器。在蓝宝石衬底上外延具有p-down结构的激光器外延层；在外延片上制作图形化的介质膜DBR，然后磁控溅射n型电极；电镀铜作为替代支撑衬底并激光剥离去除蓝宝石衬底；生长SiO2电流限制层及ITO电流扩展层；溅射p型电极、制作图形化的介质膜上DBR并分离器件完成器件的制备。实现了具有铜衬底、SiO2电流限制层位于器件上表面的全介质膜GaN基面发射激光器。SiO2电流限制层位于有源区上侧避免了位于有源区下侧与衬底之间所造成的有源区热量拥堵，散热差的问题，可以改善器件的散热性能并提高光功率。
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公开(公告)号：CN107123928A
公开(公告)日：2017-09-01
申请号：CN201710326448.6
申请日：2017-05-10
Applicant: 厦门大学
IPC: H01S5/343
Abstract: 一种基于氮化镓材料的双波长同时发射激光器，涉及发射激光器。采用垂直内腔接触结构，结构从下到上包括了衬底、金属层、下分布布拉格反射镜、电流限制层、GaN基外延层、上电极、上分布布拉格反射镜，所述电流限制层中包含用于电流扩展的ITO透明导电孔，所述GaN基外延层包含n型层和p型层以及有源区，其中有源区为量子阱内嵌量子点结构。利用垂直谐振腔及量子阱内嵌量子点的有源结构，获得了双波长同时发射的半导体激光器。本发明具有结构简单、集成度高、光束方向集中、发射波长易于控制等特点，在实现多色半导体激光器光源和双波长合成干涉测量等领域中有着广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN118198848A
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202410292850.7
申请日：2024-03-14
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明涉及激光照明技术领域，具体公开了一种使用图形化金刚石衬底提高荧光玻璃发光性能的方法，包括如下步骤：金刚石衬底预处理：对金刚石衬底的表面抛光处理后进行酸洗和超声清洗；金刚石衬底图形化：对预处理后的金刚石衬底进行光刻、刻蚀处理，在金刚石衬底上形成图形；将荧光粉、玻璃粉、有机溶剂按比例混合得到荧光玻璃混合物浆料；在图形化后的金刚石衬底上旋涂或涂抹荧光玻璃混合物浆料，烧结后得到荧光玻璃薄膜层。本发明采用图形化后的金刚石基板作为器件的衬底，大大提升了荧光体的散热和发光性能，增大荧光玻璃和金刚石接触面积，增强衬底与荧光玻璃间的结合，并在一定程度上改变激光光路，改变激光在荧光玻璃中的光程与作用面积。
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公开(公告)号：CN110212078B
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN201910514858.2
申请日：2019-06-14
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明涉及光电子、半导体激光技术领域，特别地涉及一种电注入微盘谐振腔发光器件及其制备方法。本发明公开了一种电注入微盘谐振腔发光器件及其制备方法，其中电注入微盘谐振腔发光器件包括半导体微盘、金属支撑柱和金属支撑衬底，半导体微盘通过金属支撑柱支撑在金属支撑衬底上，半导体微盘的边缘突出于金属支撑柱的侧壁而形成悬空结构。本发明很好地解决了具有边缘悬空结构微盘谐振腔的电流注入难题，且相比于传统微盘谐振腔发光器件中的Si等其他半导体支撑材料，金属支撑柱能更好地改善器件的散热特性；金属支撑柱与金属支撑衬底可以通过电镀的方式制备，工艺简单，所有制备工艺与标准半导体制备工艺兼容，满足大规模光电集成的需要。
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公开(公告)号：CN107123928B
公开(公告)日：2019-09-20
申请号：CN201710326448.6
申请日：2017-05-10
Applicant: 厦门大学
IPC: H01S5/343
Abstract: 一种基于氮化镓材料的双波长同时发射激光器，涉及发射激光器。采用垂直内腔接触结构，结构从下到上包括了衬底、金属层、下分布布拉格反射镜、电流限制层、GaN基外延层、上电极、上分布布拉格反射镜，所述电流限制层中包含用于电流扩展的ITO透明导电孔，所述GaN基外延层包含n型层和p型层以及有源区，其中有源区为量子阱内嵌量子点结构。利用垂直谐振腔及量子阱内嵌量子点的有源结构，获得了双波长同时发射的半导体激光器。本发明具有结构简单、集成度高、光束方向集中、发射波长易于控制等特点，在实现多色半导体激光器光源和双波长合成干涉测量等领域中有着广泛的应用前景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110212078A
公开(公告)日：2019-09-06
申请号：CN201910514858.2
申请日：2019-06-14
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明涉及光电子、半导体激光技术领域，特别地涉及一种电注入微盘谐振腔发光器件及其制备方法。本发明公开了一种电注入微盘谐振腔发光器件及其制备方法，其中电注入微盘谐振腔发光器件包括半导体微盘、金属支撑柱和金属支撑衬底，半导体微盘通过金属支撑柱支撑在金属支撑衬底上，半导体微盘的边缘突出于金属支撑柱的侧壁而形成悬空结构。本发明很好地解决了具有边缘悬空结构微盘谐振腔的电流注入难题，且相比于传统微盘谐振腔发光器件中的Si等其他半导体支撑材料，金属支撑柱能更好地改善器件的散热特性；金属支撑柱与金属支撑衬底可以通过电镀的方式制备，工艺简单，所有制备工艺与标准半导体制备工艺兼容，满足大规模光电集成的需要。
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公开(公告)号：CN107404066B
公开(公告)日：2019-06-04
申请号：CN201710609195.3
申请日：2017-07-25
Applicant: 厦门大学
Abstract: 全介质膜DBR结构氮化镓面发射激光器的制备方法，涉及激光器。在蓝宝石衬底上外延具有p‑down结构的激光器外延层；在外延片上制作图形化的介质膜DBR，然后磁控溅射n型电极；电镀铜作为替代支撑衬底并激光剥离去除蓝宝石衬底；生长SiO2电流限制层及ITO电流扩展层；溅射p型电极、制作图形化的介质膜上DBR并分离器件完成器件的制备。实现了具有铜衬底、SiO2电流限制层位于器件上表面的全介质膜GaN基面发射激光器。SiO2电流限制层位于有源区上侧避免了位于有源区下侧与衬底之间所造成的有源区热量拥堵，散热差的问题，可以改善器件的散热性能并提高光功率。
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公开(公告)号：CN108521075A
公开(公告)日：2018-09-11
申请号：CN201810315250.2
申请日：2018-04-10
Applicant: 厦门大学
IPC: H01S5/343
CPC classification number: H01S5/34333
Abstract: 一种基于蓝光InGaN量子阱的绿光发射激光器，涉及绿光发射激光器。从下至上包括铜衬底、下分布布拉格反射镜、p型Cr/Au电极、ITO透明导电层、SiO2电流限制层、GaN基外延层、n型Cr/Au电极和上分布布拉格反射镜；所述GaN基外延层包括P型GaN、N型GaN和蓝光InGaN/GaN量子阱；所述上分布布拉格反射镜和下分布布拉格反射镜高反带需覆盖整个增益谱范围，反射率达到99％及以上，材料组合采用TiO2/SiO2、Ta2O5/SiO2或Ti3O5/SiO2。所述蓝光InGaN/GaN量子阱中，势阱InXGa1-XN层InN含量x在0.16～0.22之间，势垒为GaN层。
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公开(公告)号：CN113206446A
公开(公告)日：2021-08-03
申请号：CN202110485561.5
申请日：2021-04-30
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明公开了基于导电氧化物DBR的氮化物垂直腔面发射激光器的制作方法，激光器包括依序层叠设置的支撑基板、第一反射镜、电流限制层、p型层、有源区、n型层、第二反射镜以及n电极；其中，第一反射镜、第二反射镜分别由p型、n型导电性氧化物DBR构成；本发明使用具有导电性的氧化物材料制作分布式布拉格反射镜，作为氮化物垂直腔面发射激光器的反射镜，具有优良的导电性能，能够同时作为激光器电极使用，同时，本发明激光器结构中不需要使用透明电流扩展层以及腔内接触电极结构，从而显著地简化了激光器结构以及制备工艺；本方案制作方法与标准半导体制备工艺兼容，可以满足大规模光电器件制备与集成的需要，有着广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN110265864B
公开(公告)日：2020-06-19
申请号：CN201910608744.4
申请日：2019-07-08
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明涉及垂直腔面发射激光器技术领域。本发明公开了一种GaN基垂直腔面发射激光器的制备方法，采用光刻和图形化电镀技术在种子层上形成图形化的金属基底；使用胶键合技术将样品转移到临时基板上；采用自分裂激光剥离技术去除蓝宝石衬底，同时达到分离器件的目的；去除缓冲层、u‑GaN层以及一部分n‑GaN层；制作n金属电极和顶部介质膜DBR；去除临时基板，得到分立的GaN基垂直腔面发射激光器。本发明不仅有效改善了器件的散热性能，而且避免了金属切割带来的金属卷边和器件短路的问题，简化了器件制备的工艺流程，降低了成本。
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