基于导电氧化物DBR的氮化物垂直腔面发射激光器及制作方法

    公开(公告)号:CN113363805A

    公开(公告)日:2021-09-07

    申请号:CN202110604143.3

    申请日:2021-05-31

    Applicant: 厦门大学

    Abstract: 本发明公开了基于导电氧化物DBR的氮化物垂直腔面发射激光器及制作方法,激光器结构方法包括激光器A、激光器B和激光器C三种结构形式,本方案使用具有导电性的氧化物材料制作分布式布拉格反射镜,不仅具有优良的导电性能,能够同时作为激光器电极使用。另外地,使用p型层+隧道结+n型层代替传统激光器中的p型层,结合隧道结的使用,可以有效提高器件的性能。这些方案的应用,使得本发明所提出的激光器结构中不需要使用透明电流扩展层以及腔内接触电极结构,从而显著地简化了激光器结构以及制备工艺;本方案制作方法与标准半导体制备工艺兼容,可以满足大规模光电器件制备与集成的需要,有着广泛的应用前景。

    一种氮化物半导体垂直腔面发射激光器

    公开(公告)号:CN108923255A

    公开(公告)日:2018-11-30

    申请号:CN201810909141.3

    申请日:2018-08-10

    Applicant: 厦门大学

    CPC classification number: H01S5/18308 C23C14/081 C23C16/403 H01S5/187

    Abstract: 一种氮化物半导体垂直腔面发射激光器,涉及半导体激光器。采用垂直内腔接触结构,从下到上依次设有支撑基板、下分布布拉格反射镜、下电极、透明电流扩展层、电流限制层、外延层、上电极和上分布布拉格反射镜;所述电流限制层使用氧化铝材料,氧化铝材料的分子式为Al2O3。外延层为氮化镓、氮化铟、氮化铝等组成的混合物外延层。上电极和下电极采用Ni/Au、Cr/Au或Ti/Au。氧化铝Al2O3的制备方法为物理镀膜或化学镀膜。制作方法多样简单,改善了原有电流限制层在垂直结构上对热传导的阻碍效果,降低了热效应对激光器的不良影响,增强散热性,提高器件的稳定性并延长其寿命。

    基于导电氧化物DBR的氮化物垂直腔面发射激光器的制作方法

    公开(公告)号:CN113206446A

    公开(公告)日:2021-08-03

    申请号:CN202110485561.5

    申请日:2021-04-30

    Applicant: 厦门大学

    Abstract: 本发明公开了基于导电氧化物DBR的氮化物垂直腔面发射激光器的制作方法,激光器包括依序层叠设置的支撑基板、第一反射镜、电流限制层、p型层、有源区、n型层、第二反射镜以及n电极;其中,第一反射镜、第二反射镜分别由p型、n型导电性氧化物DBR构成;本发明使用具有导电性的氧化物材料制作分布式布拉格反射镜,作为氮化物垂直腔面发射激光器的反射镜,具有优良的导电性能,能够同时作为激光器电极使用,同时,本发明激光器结构中不需要使用透明电流扩展层以及腔内接触电极结构,从而显著地简化了激光器结构以及制备工艺;本方案制作方法与标准半导体制备工艺兼容,可以满足大规模光电器件制备与集成的需要,有着广泛的应用前景。

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