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公开(公告)号：CN112750813A
公开(公告)日：2021-05-04
申请号：CN202010513477.5
申请日：2020-06-08
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/06 , H01L21/822
Abstract: 本公开的各种实施例涉及一种包括电阻器结构的集成芯片。电阻层上覆在衬底之上。电阻器结构上覆在衬底之上。电阻器结构包括电阻层的电阻器区段及上覆在电阻器区段之上的导通孔结构。环结构封闭电阻器结构。环结构从导电结构上方的第一点连续延伸到电阻层的底表面下方的第二点。
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公开(公告)号：CN112750900B
公开(公告)日：2025-01-14
申请号：CN202011067688.7
申请日：2020-09-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明的各个实施例针对用于形成双极结型晶体管(BJT)的方法。介电膜沉积在衬底上方，并且包括下介电层、上介电层以及位于下介电层和上介电层之间的中间介电层。第一半导体层沉积在介电膜上方，并且随后图案化以形成暴露介电膜的开口。穿过开口对上介电层实施第一蚀刻，以将开口延伸至中间介电层。此外，第一蚀刻停止在中间介电层上，并且横向底切第一半导体层。实施额外的蚀刻以将开口延伸至衬底。下基极结构和发射极形成为堆叠在开口中并且填充开口，并且图案化第一半导体层以形成上基极结构。本申请的实施例还涉及双极结型晶体管(BJT)。
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公开(公告)号：CN105932013A
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：CN201610104389.3
申请日：2016-02-25
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L28/10 , H01F17/0033 , H01F41/046
Abstract: 磁芯包括具有基本均匀厚度的中心部分和连接至中心部分并且围绕中心部分的边缘部分。边缘部分包括底部和设置在底部上的顶部，其中，底部具有平缓的侧表面，而顶部具有陡的侧表面。磁芯的轮廓可以更像矩形，从而提供更好的电感器性能。本发明的实施例还涉及磁芯、电感器和制造磁芯的方法。
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公开(公告)号：CN113113433A
公开(公告)日：2021-07-13
申请号：CN202011514528.2
申请日：2020-12-21
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本公开涉及一种具有被背面深沟槽隔离(BDTI)结构包围的光电二极管的图像传感器以及一种相关联的形成方法。在一些实施例中，多个像素区域被放置在图像感测管芯内，并且分别包括光电二极管，该光电二极管被配置为将辐射转换成电信号。光电二极管包括被光电二极管掺杂层包围的第一掺杂类型的光电二极管掺杂柱，该光电二极管掺杂层具有不同于第一掺杂类型的第二掺杂类型。BDTI结构被放置在相邻像素区域之间并且从图像感测管芯的背面延伸到光电二极管掺杂层内的位置。BDTI结构包括第二掺杂类型的掺杂衬垫和介电填充层。掺杂衬垫给介电填充层的侧壁表面加衬。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112750850A
公开(公告)日：2021-05-04
申请号：CN202010704564.9
申请日：2020-07-21
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明的各种实施例涉及一种图像传感器，图像传感器具有包括多个侧壁的衬底，所述多个侧壁沿衬底的第一侧界定多个突起。衬底具有第一折射率。光电探测器设置在衬底内且位于所述多个突起之下。多个微透镜上覆在衬底的第一侧上。微透镜具有比第一折射率小的第二折射率。微透镜分别在侧向上设置在所述多个突起中的相邻的一对突起之间且直接接触所述相邻的一对突起。此外，微透镜分别包括凸的上表面。
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公开(公告)号：CN103545357B
公开(公告)日：2017-07-11
申请号：CN201310286503.5
申请日：2011-07-15
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/73 , H01L29/732 , H01L29/737 , H01L29/08
CPC classification number: H01L29/66242 , H01L29/0821 , H01L29/66287 , H01L29/66318 , H01L29/732 , H01L29/7371 , H01L29/7378
Abstract: 本发明提供一种双极性晶体管(bipolar junction transistor,BJT)。在一实施例中，双极性晶体管装置包括：具有集电极区(collector region)的半导体基板，及暴露在半导体基板上的材料层。材料层中具有沟槽，而暴露出集电极区的一部分。在材料层的沟槽中暴露出基极结构(base structure)、间隙物、发射极结构(emitter structure)。各间隙物具有顶宽(top width)及底宽(bottom width)，上宽大体上与底宽相等。本发明提供装置性能的提升。
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公开(公告)号：CN102386093B
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：CN201110210238.3
申请日：2011-07-15
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/331 , H01L29/73 , H01L29/06
CPC classification number: H01L29/66242 , H01L29/0821 , H01L29/66287 , H01L29/66318 , H01L29/732 , H01L29/7371 , H01L29/7378
Abstract: 本发明提供一种双极性晶体管(bipolar junction transistor，BJT)装置及其形成方法。在一实施例中，双极性晶体管装置包括：具有集电极区(collector region)的半导体基板，及暴露在半导体基板上的材料层。材料层中具有沟槽，而暴露出集电极区的一部分。在材料层的沟槽中暴露出基极结构(base structure)、间隙物、发射极结构(emitter structure)。各间隙物具有上宽(top width)及底宽(bottom width)，上宽大体上与底宽相等。本发明提供装置性能的提升。
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公开(公告)号：CN112750900A
公开(公告)日：2021-05-04
申请号：CN202011067688.7
申请日：2020-09-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/737 , H01L29/06 , H01L29/10 , H01L21/331
Abstract: 本发明的各个实施例针对用于形成双极结型晶体管(BJT)的方法。介电膜沉积在衬底上方，并且包括下介电层、上介电层以及位于下介电层和上介电层之间的中间介电层。第一半导体层沉积在介电膜上方，并且随后图案化以形成暴露介电膜的开口。穿过开口对上介电层实施第一蚀刻，以将开口延伸至中间介电层。此外，第一蚀刻停止在中间介电层上，并且横向底切第一半导体层。实施额外的蚀刻以将开口延伸至衬底。下基极结构和发射极形成为堆叠在开口中并且填充开口，并且图案化第一半导体层以形成上基极结构。本申请的实施例还涉及双极结型晶体管(BJT)。
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公开(公告)号：CN106057784B
公开(公告)日：2018-11-06
申请号：CN201510769800.4
申请日：2015-11-12
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/64
Abstract: 本发明提供了一种形成半导体器件的方法，方法包括在位于衬底上方的第一介电层中形成下线圈片段，在下线圈片段和第一介电层上方形成第二介电层，各向异性蚀刻第二介电层的顶部以在下线圈片段上方形成开口，在开口中沉积磁性材料以形成磁芯，在磁芯和第二介电层上方形成第三介电层，形成延伸穿过第二介电层和第三介电层的通孔，以及在形成通孔之后，在第三介电层和磁芯上方形成上线圈片段，其中，通孔将上线圈片段和下线圈片段连接。本发明实施例涉及集成磁芯感应器及其制造方法。
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