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公开(公告)号：CN104900733B
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201510320361.9
申请日：2015-06-11
Applicant: 吉林大学
IPC: H01L31/04 , H01L31/00 , H01L31/0304
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 一种基于GaSb的InxGa1-xSb/GaSb应变量子阱中间能带热光伏电池及其制备方法，属于热光伏电池技术领域。从上到下依次为上电极、重掺杂的p型Alx1Ga1-x1Asy1Sb1-y1窗口层、p型GaSb有源区、本征InxGa1-xSb/GaSb多量子阱、n型GaSb有源区、重掺杂的n型Alx2Ga1-x2Asy2Sb1-y2背面电场层、n型GaSb衬底和背电极；其中，本征InxGa1-xSb/GaSb多量子阱的个数为4～5个，上电极的面积占电池上表面总面积的8～10％。本发明利用低压金属有机物化学气相外延技术，在n型GaSb衬底上制备结构为各层结构，并利用电子束蒸发技术制备上电极和背电极。本发明的热光伏电池在辐射器温度为1050℃，电池的工作温度为25℃时，能量转换效率能达到36.4％，输出电功率密度能达到5.6W/cm2。
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公开(公告)号：CN104593772A
公开(公告)日：2015-05-06
申请号：CN201410843205.6
申请日：2014-12-30
Applicant: 吉林大学
CPC classification number: C30B25/14 , C30B25/186 , C30B29/10 , C30B29/46
Abstract: 一种在大晶格失配基底上异质外延生长锑化物半导体的方法，属于半导体材料制备技术领域。本发明是在生长锑化物半导体前，以其他物理沉积(如磁控溅射)薄膜制备技术预先在硅衬底上沉积铝(或AlSb)薄层。再将样品加载在MOCVD系统中外延生长。生长开始前只通入Sb有机源，然后在位退火，使铝(或AlSb)薄层锑化，形成稳定的AlSb缓冲层结构。当锑化物生长开始时，已经存在的AlSb缓冲层结构将提升锑化物半导体层覆盖度。整个生长过程没有在MOCVD系统中引入有机铝源，避免了设备的铝污染。该方法不仅可以提升锑化物在大晶格失配衬底上的表面覆盖度，而且可以避免铝源在设备中的记忆效应。
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公开(公告)号：CN104593772B
公开(公告)日：2016-10-19
申请号：CN201410843205.6
申请日：2014-12-30
Applicant: 吉林大学
Abstract: 一种在大晶格失配基底上异质外延生长锑化物半导体的方法，属于半导体材料制备技术领域。本发明是在生长锑化物半导体前，以其他物理沉积(如磁控溅射)薄膜制备技术预先在硅衬底上沉积铝(或AlSb)薄层。再将样品加载在MOCVD系统中外延生长。生长开始前只通入Sb有机源，然后在位退火，使铝(或AlSb)薄层锑化，形成稳定的AlSb缓冲层结构。当锑化物生长开始时，已经存在的AlSb缓冲层结构将提升锑化物半导体层覆盖度。整个生长过程没有在MOCVD系统中引入有机铝源，避免了设备的铝污染。该方法不仅可以提升锑化物在大晶格失配衬底上的表面覆盖度，而且可以避免铝源在设备中的记忆效应。
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公开(公告)号：CN104900733A
公开(公告)日：2015-09-09
申请号：CN201510320361.9
申请日：2015-06-11
Applicant: 吉林大学
IPC: H01L31/04 , H01L31/00 , H01L31/0304
CPC classification number: Y02E10/50 , H01L31/0304
Abstract: 一种基于GaSb的In1-xGaxSb/GaSb应变量子阱中间能带热光伏电池及其制备方法，属于热光伏电池技术领域。从上到下依次为上电极、重掺杂的p型Alx1Ga1-x1Asy1Sb1-y1窗口层、p型GaSb有源区、本征GaxIn1-xSb/GaSb多量子阱、n型GaSb有源区、重掺杂的n型Alx2Ga1-x2Asy2Sb1-y2背面电场层、n型GaSb衬底和背电极；其中，本征GaxIn1-xSb/GaSb多量子阱的个数为4～5个，上电极的面积占电池上表面总面积的8～10％。本发明利用低压金属有机物化学气相外延技术，在n型GaSb衬底上制备结构为各层结构，并利用电子束蒸发技术制备上电极和背电极。本发明的热光伏电池在辐射器温度为1050℃，电池的工作温度为25℃时，能量转换效率能达到36.4％，输出电功率密度能达到5.6W/cm2。
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