公开(公告)号：CN100448920C

公开(公告)日：2009-01-07

申请号：CN200610131651.X

申请日：2006-11-20

Applicant: 吉林大学

Inventor： 王策 ,  李振宇 ,  刘结宇 ,  黄绘敏 ,  郑伟 ,  王海鹰 ,  赵一阳 ,  杨洋 ,  吴洪亮

IPC: C08J5/18 ,  C08L29/04 ,  C08L33/20 ,  C08L33/12 ,  D01D5/00 ,  H01L21/312 ,  B82B3/00

Abstract: 本发明属于低介电膜材料制备技术，具体是利用电纺丝技术制备具有低介电常数高分子纳米纤维膜的方法。它是以可溶性的高分子材料或者前驱体为可溶性的高分子和溶剂为原料，采用电纺丝技术，利用高电压作用制备具有多孔的高分子纳米纤维膜。在喷射的过程中，由于高分子纳米纤维之间存在大量的空隙，从而使得高分子纳米纤维膜的介电常数大量降低。适合的高分子材料为聚乙烯醇、聚丙烯腈、聚甲基丙烯酸甲酯或聚酰亚胺前驱体等，所获得的高分子纳米纤维膜的介电常数最低可以达到1.53左右，从而使获得的高分子纳米纤维膜可以在微电子工业上进行应用。该方法适用于各种可电纺丝高分子材料，且具有设备简单，操作方便，产率高，易于扩大和推广的优点。

公开(公告)号：CN1951987A

公开(公告)日：2007-04-25

申请号：CN200610131651.X

申请日：2006-11-20

Applicant: 吉林大学

Inventor： 王策 ,  李振宇 ,  刘结宇 ,  黄绘敏 ,  郑伟 ,  王海鹰 ,  赵一阳 ,  杨洋 ,  吴洪亮

IPC: C08J5/18 ,  C08L29/04 ,  C08L33/20 ,  C08L33/12 ,  D01D5/00 ,  H01L21/312 ,  B82B3/00

Abstract: 本发明属于低介电膜材料制备技术，具体是利用电纺丝技术制备具有低介电常数高分子纳米纤维膜的方法。它是以可溶性的高分子材料或者前驱体为可溶性的高分子和溶剂为原料，采用电纺丝技术，利用高电压作用制备具有多孔的高分子纳米纤维膜。在喷射的过程中，由于高分子纳米纤维之间存在大量的空隙，从而使得高分子纳米纤维膜的介电常数大量降低。适合的高分子材料为聚乙烯醇、聚丙烯腈、聚甲基丙烯酸甲酯或聚酰亚胺前驱体等，所获得的高分子纳米纤维膜的介电常数最低可以达到1.53左右，从而使获得的高分子纳米纤维膜可以在微电子工业上进行应用。该方法适用于各种可电纺丝高分子材料，且具有设备简单，操作方便，产率高，易于扩大和推广的优点。